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2018 ? 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 5/10 6. 典型应用电路 图6-1. EG1165 75V3A 电动车充电器方案典型应用电路图 屹晶微电子有限公司 EG1165 芯片数据手册 V1.0 半桥 PWM 控制芯片
2018 ? 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 6/10 7. 电气特性 7.1 极限参数 无另外说明,在TA=25℃条件下 符号 参数名称 测试条件 最小 最大 单位 HO 高端输出 - VS-0.3 VB+0.3 V VB 自举高端 VB 电源 - -0.3
600 V VS 高端悬浮地端 - VB-20 VB+0.3 V SDHIN 高端比较器输入 - VS-0.3 VS+5 V VCC 低端电源 - -0.3
20 V LO 低端输出 - -0.3 VCC+0.3 V SDLIN 低端比较器输入 - -0.3 +5 V FB、ERRO、CP、SS、 REF5V 低压端口 - -0.3 +5.5 V SD、EN 控制端口 - -0.3
20 V TA 环境温度 - -45
125 ℃ Tstr 储存温度 - -65
150 ℃ TL 焊接温度 T=10S -
300 ℃ 注:超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏,在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性. 7.2 典型参数 无另外说明,在TA=25℃ 符号 参数名称 测试条件 最小 典型 最大 单位 VB 高压电源 VB 输入电压
10 -
600 V VCC 低压电源 VCC 输入电压
10 -
20 V Istart VCC 启动电流 -
200 500 uA VCC(ON) VCC 开启电压 -
16 17
18 V VCC(OFF) VCC 关闭电压 -
7 8
9 V 基准电压 REF5V 5V 基准输出 VCC 开启,VCC=12V 4.9 5.0 5.1 V 屹晶微电子有限公司 EG1165 芯片数据手册 V1.0 半桥 PWM 控制芯片
2018 ? 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 7/10 Δ VREF 线性调整率 VCC=10V to 20V -
3 50 mV Δ VREF 负载调整率 IL=0 to 10mA -
5 50 mV Io 最大输出电流 -
50 mA 振荡器 Fosc 振荡频率范围 CT=200pF
65 72
80 KHz Δ f/Δ VCC 电压抑制比 CT=200pF ±3 ±5 % Δ f/Δ T 温度漂移 - ±5 ±8 % 误差放大器 FB 误差放大器反馈端 - 1.188 1.2 1.212 V Ierro 误差放大器输出电 流能力
15 20
25 uA Ib 输入偏置电流 - - - 0.1 uA AVOL 开环增益 -
60 75 - dB PWM 控制 D(max) LO、HO 最大输出占 空比 CT=200pF
45 47.5 % EN EN 使能端比较电压 1.15 1.2 1.25 V SD 逐周关闭 PWM 电压
3 - - V 电流比较器 SDHIN 高端电流比较器 相对 VS 电压
200 mV SDLIN 低端电流比较器 相对 COM 电压
200 mV 最小死区时间特性 DT 最小死区时间 CT=200pF
700 850
1000 nS 输出 MOS 驱动能力 LO、 HO 输出 拉电流 IO+ Vo=0V,VIN=VIH PW≤10uS
1 1.5 - A LO、 HO 输出 灌电流 IO- Vo=12V,VIN=VIL PW≤10uS 1.5
2 - A 屹晶微电子有限公司 EG1165 芯片数据手册 V1.0 半桥 PWM 控制芯片
2018 ? 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 8/10 8. 应用设计 8.1 REF5V 输入电容 在REF5V 引脚端对地放置一个高频小容值旁路电容将减少 REF5V 端的高频噪声,高频旁路电容可选用 1uF 陶瓷电容,布板时尽可能靠近芯片引脚 REF5V 输入端. 8.2 VCC 储能电容 EG1165 需求 VCC 引脚端对地放置一个 22uF 电容,主要用于启动时对 VCC 引脚进行储能充电和正常工 作时稳定 VCC 引脚的工作电压,同时该电容对输出短路保护有一定的作用,当输出短路时,VCC 引脚将掉 电,芯片进入 UVLO 模式,该电容的大小将影响当输出短路时芯片间隙去开启功率管的时间,电容越大间隙 的时间越长,功率管发热越小,反之功率管发热将增大. 8.3 启动过程 输入电源通过外部启动电阻对 VCC 引脚的外接电容开始充电, 此时 EG1165 芯片将在低静态电流工作模 式大概消耗