PDF《RTX 薄膜晶片电阻器规格标准书》

2512 6.30±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20 RALEC 旺诠 RTX 薄膜晶片电阻器规格标准书 文件编号 IE-SP-017 版本日期 2015/06/18 页次4/9 备注发行管制章 DATA Center. Series No.

60 非经允许,禁止自行影印文件 非发行管制文件自行注意版本更新6信赖性试验项目: 6.1 电气性能试验(Electrical Performance Test) Item 项目 Conditions 条件 Specifications规格 Resistors Temperature Coefficient of Resistance 温度系数 TCR(ppm/℃)= (R2-R1) R1(T2-T1) *106 R1:室温下量测之阻值(?) R2:-55℃或+125℃下量测之阻值(?) T1:室温之温度(℃) T2:-55℃或+125℃之温度(℃). 依 JIS-C5201-1 4.8 参考3.规格表 Short Time Overload 短时间过负荷 施加2.5倍的额定电压5秒,静置30分钟以上再量测阻值变化率. (额定电压值请参考 3.规格表) 依 JIS-C5201-1 4.13 ±(0.5%+0.05?) 外观无损伤,无短路或烧毁现象. Insulation Resistance 绝缘电阻试验 将晶片电阻置於治具上,在正负极施加100 VDC一分钟后测量电 极与保护层及电极与基板(底材)之绝缘电阻值. 依 JIS-C5201-1 4.6 电阻背面A测试点印刷保护层面绝缘材质晶片电阻压力弹簧B测试点电阻背面A测试点印刷保护层面绝缘材质晶片电阻压力弹簧B测试点R109 ? Dielectric Withstand Voltage 绝缘耐电压 将晶片电阻置於治具上,在正、负极施加VAC (参考下列) RTX

02、03用300VAC-分钟 RTX

05、06 、12 、20 、25用500VAC-分钟 依 JIS-C5201-1 4.7 无短路或烧毁现象. 6.2 机械性能试验(Mechanical Performance Test) Item 项目 Conditions 条件 Specifications规格 Resistors Terminal Strength 端电极拉力测试 测试项目一:将电阻焊在电路板上,在电阻背面施以5N的力量持续 10sec后,检查侧导体外观. 测试项目二:将电阻焊在电路板上,逐渐施加力量於电阻背面,测 试端电极最大剥离强度. 依 JIS-C5201-1 4.16 项目一:外观无损伤,无侧导脱落 及本体断裂发生. 项目二:R5N Resistance to Solvent 耐溶剂性试验 浸於20~25℃异丙醇溶剂中5±0.5分钟后,取出静置48 hrs以上, 再量测阻值变化率. 依 JIS-C5201-1 4.29 ±(0.5%+0.05?) 外观无损伤,无G2保护层及锡层 被Leaching现象. RALEC 旺诠 RTX 薄膜晶片电阻器规格标准书 文件编号 IE-SP-017 版本日期 2015/06/18 页次5/9 备注发行管制章 DATA Center. Series No.

60 非经允许,禁止自行影印文件 非发行管制文件自行注意版本更新Item 项目 Conditions 条件 Specifications规格 Resistors Solderability 焊锡性 前处理: 将晶片电阻放置於PCT试验机内,在温度105℃、湿度100%及气 压1.22*105 pa的饱和条件下进行4小时的老化测试,取出后静置 於室温下2小时. 测试方法: 将电阻浸於235±5℃之炉中2秒后取出置於显微镜下观察焊锡面 积. 依 JIS-C5201-1 4.17 导体吃锡面积应大於95%. Resistance to Soldering Heat 抗焊锡热 测试项目一(焊锡炉测试): 浸於260+5/-0℃之锡炉中10 秒+1/-0,取出静置60分钟以上,再 量测阻值变化率. 测试项目二(焊炉测试): 浸於260+5/-0℃之锡炉中30+1/-0秒,取出后洗净.置於显微镜下 观察焊锡面积. 测试项目三(电烙铁试验): 加热温度:350±10℃ 烙铁加热时间:3+1/-0 sec. 取电铬铁加热於电极两端后,取出静置60钟以上,再量测阻值变 化率. 依 JIS-C5201-1 4.18 试验项目一: (1).阻值变化率 R%=±(1.0%+0.05?) (2).电极外观无异常,无侧导脱落. 试验项目二: (1).导体吃锡面积应大於95%. (2).在电极边缘处不应见到下层的 物质(例如白基板). 试验项目三: (1).阻值变化率 R%=±(1.0%+0.05?) (2).电极外观无异常,无侧导脱落. Bending Test 弯折性测试 将晶片电阻焊於弯折性测试板中,置於弯折测试机上,在测试板 中央施力下压,於负荷下量测阻值变化率. 下压深度(D): RTX