PDF《二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究》

二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究 王利霞! 李建平 何秀丽 高晓光 (中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室, 北京 "###$#) (%##& 年'月%( 日收到;

%##& 年"% 月(日收到修改稿) 针对 )*% 薄膜在微测辐射热计上的应用, 采用射频反应溅射法, 在室温下制备氧化钒薄膜;

研究了氧分压对薄 膜沉积速率、 电学性质及成分的影响+通过调节氧分压, 先获得成分接近 )*% 的非晶化薄膜, 再在 ,##-空气中氧化 退火, 便可制得高电阻温度系数, 低电阻率的 )*% 薄膜, 电阻温度系数约为 .

,/0-, 薄膜方块电阻为 !! 为"##― 1##2!;

薄膜在室温下沉积, ,##-下退火的制备方法与微机电加工 (34567 8985:67385;

:83>, 简称为 @A@B) 工 艺有很好的兼容性+ 关键词:二氧化钒,电阻温度系数,氧分压,射频反应溅射法 !"##:C"$#D, ! AE3?< 谱(=) 及电阻随温度的变化曲线 (@) !"#" 氧化钒薄膜的 >)F 分析 为了更全面地对制得的薄膜进行表征, 采用 > 射线衍射 (>)F) 分别对未退火薄膜和退火后的薄膜 进行了结构分析, 如图

8 所示% 由于未退火薄膜的 >)F 谱均无明显的氧化钒衍射峰, 故只给出了氧分 压为 /"5&$ 时薄膜的 >)F 谱, 如图

8 (=) 所示% 图8(@) 是氧分压为 /"5&$时, 经.##-退火 /G 后制得 的高 '(), 低电阻率的 AB! 薄膜的 >)F 谱% 由图可知: 图8(=) 的衍射谱中, 只出现了基底 (R

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