PDF《不同组分！ ＂》

1 四个样品是一个紧接 一个连续生长的1 B

5 C 测量是在M

5 C# $ $N O 电子显微镜上进 行的1 样品先进行机械减薄到( $ 7, 然后用氩离子 轰击直到电子束可以穿透为止1 为了得到 B

5 C 截 面像, 样品面对面粘在一起后再进行机械减薄和离 子减薄1 E F谱测量采用氦氖离子激光器作为激发光 第A 3卷第! !期# $ $ $年! !月!$$$6&

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$6$(物理学报.NB.E H P Q ) N .Q ) R ) N . G S

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1 源, 激发光波长为! # $ %&

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, 激光功率约为('

)* 样品放在液氦闭循环制冷装置中, 温度在( +到 + + ,之间可调* 输出信号用液氮冷却的锗探测器测量* 结果与讨论 ! # $ % &

与'

( &

图( ( - ) 为!. + $ (样品的截面/

0 1 像, 示意图 如图( (

2 ) 所示* 由此可估算出量子点的平均大小约 为# +&

'

* 从图(可以看出, 对应于3 &

4 5量子点的 起伏并不是很明显, 而且量子点附近的应变也没有 过多地延伸到

6 -

4 5缓冲层及盖层中* 这与普通的 用6 -

4 5做盖层的3 &

4 5量子点的截面像有区别* 普 通的

6 -

4 5盖层下的3 &

4 5量子点在 /

0 1 下会观察 到有明显的起伏, 而且应变场分布往往会沿生长方 向延伸到

6 -

4 5的缓冲层以及盖层中 [

7 ] * 可见3 &

8 6 -

4 5盖层的存在影响了3 &

4 5岛周围应变场的分 布,

3 &

4 5岛在生长方向承受的应力减小* 可以想象, 随3 &

组分的增加, 这种影响会更明显* 图( 含有 &

'

3 &

+ * (

6 - + *

9 4 5覆盖层的自组织3 &

4 5 量子点结构的/

0 1 像(-)和/

0 1 像的示意图 (

2 ) 但随 ! 值的增大, 发现淀积在3&

45上的3&

!6-(:!

4 5容易继续成岛* 图#为!.+ $ #和+ $ 样品的(! '

;

(! '

4 <

1 图* 从图#可以看出, !. + $ #样品的表面几乎是平的, 平均起伏小于( &

'

;

而!. + $ 样品的表面却是明显的岛, 平均大小约为 ! +&

'

, 高度超过(+&

'

* 这表明!.+ $ 时,

3 &

!

6 - ( :!

4 5在原来的3 &

4 5量子点上继续成岛, 岛 的尺寸变大* 淀积在3 &

4 5上的3 &

6 -

4 5必然对应变场 的分布产生影响, 本文的= >

谱测量证明了这一点* 图# 覆盖层为 &

'

3 &

+ * #

6 - + * %

4 5 ( - ) 和 &

'

3 &

+ *

6 - + *

7 4

5 (

2 ) 的自组织3 &

4 5量子点的

4 <

1 图! )*+谱测量 图 为( +, 时所有?块样品的= >

谱* 在图 没有观察到激发态发光* 很明显, 随! 值的增大, 量 子点的发光峰明显红移, 对!. + $ 的样品, 其发光 峰已经红移到( $ ( ! '

附近* 从图 得出的另一个重 要信息是各光谱的积分荧光强度和半高宽随! 值 的变化, 结果如图 内插图所示* 可以看出, 随! 值 的增大, 光谱的积分强度总的趋势是增加, 而半高宽 却减小* 如对!. + $ +样品, ( +,下其发光峰半高宽 为! #'

@ A, 但!. + $ #样品的发光峰半高宽却已经 减小到了 !'

@ A* 另外, 对于!. + $ 样品, 其发光 峰半高宽较!. + $ #样品略有增大 (约为? +'