PDF《产品特性》

10 mA EEPROM 擦写次数

100 cycle ESD HBM

4000 V 工作温度 TA -40

125 ℃ 存储温度 TSTG -65

165 ℃ 最大结温 TJ(max)

165 ℃ -

7 - 电学参数表 Characteristics Symbol Test Conditions Min. Typ. Max. Unit 电源电压 VDD 4.5 5.0 5.5 V 电源电流 IDD No load, fmag=0 rpm

10 16

22 mA 基准电压 Vbg 1.18 1.25 1.32 V 参考电压 Vref

45 50

55 %VDD 开启电压阈值 Vth(on) Increasing voltage 3.5 3.8 4.1 V 关闭电压阈值 Vth(off) Decreasing voltage

3 3.3 3.6 V 迟滞 Vth(Hys) 0.3 V 参考电压偏差 VR(offset)

470 500

530 mV 系统时钟 f(sys) Bias current adjusted 0.8 1.0 1.2 MHz AD转换器频率 f(sdc) Bias current adjusted 13.65

16 19 MHz 分辨率 RES(sdc)

12 bit 非线性误差 INLopt -0.35 0.35 Deg 非线性误差 INLtemp Maximum error with respect to the best line fit, Tamb=-40 to 125℃ -0.9 0.9 Deg A/B正空比 AA(rel) With reference to an output period at A, B -20

0 +20 % 角度输出延时 TD at ABZ hysteresis = "1LSB" 2.0 uS 内部正弦余弦幅度 Vpp 3.2 4.0 4.8 V 调整时间 t(on) to ± 10% of final amplitude

300 uS 最小幅度报警 Vt(lo) 1.0 2.8 V 最大幅度报警 Vt(hi) 4.8 5.8 V Valid through the full operating temperature range, VDD=5V, CBYPASS=0.1uF;

unless otherwise specified Electrical Characteristics Voltage Reference Clock Generation Sine/Digital Converter Signal Level Control -

8 - Characteristics Symbol Test Conditions Min. Typ. Max. Unit 磁铁直径 dmag 4.0 6.0 mm 磁铁厚度 tmag 2.5 mm 安装距离 Din Recommended magnets

2 mm 磁场强度范围 Hext At chip surface

25 125 mT 转速频率 f(mag) 1.667 kHz 转速 rpm 100,000 rpm 霍尔阵列与磁铁中心偏差 xdis 0.2 mm 霍尔阵列与封装中心偏差 xpac -0.15 0.15 mm 芯片在封装体内偏移角度 φpac -3

3 Deg 芯片与封装表距离 hpac 0.4 mm 偏差电压最大允许量 V(os) -56

56 mV 高电平阈值 Vt()hi

2 V 低电平阈值 Vt()lo 0.8 V 下拉电流 MOSI,TEST Ipd() V() =

1 V...VPD

6 38

60 uA 上拉电流 CS,SCLK Ipu() V() = 0...VPD ?

1 V -80 -140 -200 uA 下拉电流 PTE Ipd() V() =

1 V...VPD

1 4

10 uA 开启阈值 PTEon 1.7 V 关闭阈值 PTEoff 1.3 V 饱和电压高电平 Vs()hi I()hi = -4 mA, with reference to VDD

200 mV 饱和电压低电平 Vs()lo I()lo =

4 mA, with reference to GND

200 mV 输出高电平短路到地 Ishort()hi V() = GND;

10 20 mA 输出低电平短路到地 Ishort()lo V() = VDD;

5 15 mA 上升沿时间 tRise RL =

100 Ω to GND;

5 30 nS 下降沿时间 tFall RL =

100 Ω to VDD;

5 30 nS Serial Interface, Digital INPUTS:CS,SCLK,MOSI,TEST Digital OUTPUTS:A,B,Z,U,V,W,PWM,MISO Digital INPUTS:PTE Magnetic Input Specification φ6mm x 2.5mm for cylindrica Magnets -

9 - 霍尔阵列工作原理与角度定义 芯片集成的霍尔感应点矩阵为正方形,位于整个封装体的正中心,相邻两个感应点的间距为 2.0mm .四个感 应点分别产生 PCOS,NCOS 和PSIN,NSIN 四个信号 如下图所示,角度零点定义为磁铁旋转时,VPCOS-VNCOS 达到最大值,此时感应点 PC 位于磁铁南极,而感应 点NC 位于磁铁北极,而NS 和PS 两个点位于磁极的交接点.当磁极逆时针旋转时,信号角度增加,相反, 当磁极顺时针旋转时,信号角度减小. Angle = 0°

1 2

3 4

5 6

7 8

16 15

14 13

12 11

10 9

1 2

3 4

5 6

7 8

16 15

14 13

12 11

10 9 N S Angle = 45° NS NC PS PC NS NC PS PC -

10 - SPI 串行接口 (SC60226-U) Serial Peripheral Interface Timing Diagram with Absolute Angular Position Data SPI Timing Definition SPI Read Data Frame Parameter Decription Min Max Units tL Time between CS falling edge and SCLK rising edge