PDF《！＂#$ 多层膜退火法中不同制备条件对 ！＂$% 超导薄膜性...》

5 中, 更高温度 (HE6 F) 退火制 备的薄膜冷却到 C6 O 仍没有出现零电阻@ 另外, N66 F退火的薄膜在 CEBE O 表现出超导转变, 表明 N66 F低温退火的薄膜中已经形成 -,I5 超导相, 但 是较大的超导转变宽度说明薄膜超导成相并不均 匀, 而且N66 F退火的薄膜冷却到 C6 O 仍没有出现 零电阻@ 表C列出了退火时间对 -,I5 薄膜 "K 的影响@ 厚度为 5E6 %' 的前驱薄膜经DE6 F退火 56―A6 '+% D M H D CC 期刘亮等:-,PI 多层膜退火法中不同制备条件对 -,I5 超导薄膜性质的影响 图!厚度为 !"# $% 的&'(! 超导薄膜 !) 与退火温度的关系 (退火时间为 !# %*$, 其中经过+## ,和-"# ,退火制备的薄膜冷 却到 .# / 没有出现零电阻) 得到最佳超导转变温度, !0123 )

4 5! /6 &'7( 多层膜退 火法制备 &'(! 薄膜中, 适当长时间退火有助于 &' 层和 ( 层之间扩散, 有利于 &'(! 晶粒生长6但是 &' 与89! :5 衬底在界面的反应会产生一些杂相, 阻碍 晶粒进一步生长 [.;

] , 而且退火时间进一步延长后, &' 原子的散失容易引起部分 &'(! 的分解6 表.经过不同退火时间制备的 &'(! 薄膜 !), 薄膜厚度为 !"# $%, 退火温度是 F,U>$' T,N3> R,V4$ R R,L3$' Q R,J4$' +,TM4$ R )##, 5-34 88)7 ["] =MK Q (, V3$' L +,A4 L L, JM3$' N R, Q/> =, JM3$' W S, QK T N,QK R,R4 L =,L/ J S,V3$5-34 XX [6] JM3$' W S,,

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