编辑: 颜大大i2 | 2019-07-04 |
6 : 三相桥的6块芯片的电路 图.1-4标记规格 第1章 产品概述 商标 型号 年份代码(0至9) 月份代码(1至9以及O、N、D) 产品代码 日期代码和序列号 YMNNNN Y:年(0至9) M:月(1至9以及O、N、D) NNNN:序列号 原产地标识 (空白):日本 P:菲律宾 Fuji Electric Co., Ltd. MT6M10224 版本.1.1 July.-2013 1-6 Preliminary 4.封装尺寸图 图.1-5.外壳外形图 Pin No. Pin Name
22 N(W)
23 N(V)
24 N(U)
26 W
28 V
30 U
32 P
36 NC Pin No. Pin Name
3 VB(U)
5 VB(V)
7 VB(W)
9 IN(HU)
10 IN(HV)
11 IN(HW)
12 VCCH
13 COM
14 IN(LU)
15 IN(LV)
16 IN(LW)
17 VCCL
18 VFO
19 IS
20 COM
21 Temp 第1章 产品概述 绝缘金属底层 端子表面镀锡 绝缘金属底层 注:1 绝缘金属基板被设计成突起于外壳的背部表面, 它能提高绝缘金属基板和散热片之间的热传导. Fuji Electric Co., Ltd. MT6M10224 版本.1.1 July.-2013 1-7 Preliminary 6MBP15VSA060-50的最大额定值示例如表格1-2所示. 项目 符号 额定值 单位 描述 直流母线电压 VDC
450 V 允许P-N(U),N(V),N(W)端子之间印 加的直流电压 母线电压(浪涌) VDC(Surge)
500 V 在开关时允许印加在P-N(U), N(V), N(W)端子之间浪涌电压的峰值 集电极-发射极电压 VCES
600 V 内置IGBT芯片的最大集电极-发射 极电压和FWD芯片上可重复印加的 反向峰值电压 集电极电流 IC@25
15 A IGBT芯片允许流过的最大集电极电 流Tc=25℃, Tj=150℃ 集电极电流峰值 ICP@25
45 A IGBT芯片允许流过的最大脉冲集电 极电流 Tc=25℃, Tj=150℃ 二极管的正向电流 IF@25
15 A FWD芯片允许流过的最大正向电流 Tc=25℃, Tj=150℃ 二极管的正向电流峰值 IFP@25
45 A FWD芯片允许流过的最大脉冲正向 电流 Tc=25℃, Tj=150℃ IGBT功耗 PD_IGBT 38.5 W 一个IGBT元件的最大功耗 Tc=25℃, Tj=150℃ FWD功耗 PD_FWD 20.5 W 一个FWD元件的最大功耗 Tc=25℃, Tj=150℃ 逆变器部的工作结温 Tj -40 ~ +150 ?C 连续工作时IGBT和FWD芯片的最高 结温 上臂控制电源电压 VCCH -0.5 ~
20 V 允许印加于COM和VCCH端子之间的 电压 下臂控制电源电压 VCCL -0.5 ~
20 V 允许印加于COM和VCCL端子之间的 电压 上臂偏置电压 VB(U)-COM VB(V)-COM VB(W)-COM -0.5 ~
620 V 允许印加于VB(U)端子和COM端子, VB(V)端子和COM端子以及VB(W) 端子和COM端子之间的电压. IGBT门极驱动上臂偏置 电压 VB(U) VB(V) VB(W)
20 V 允许印加于U端子和VB(U)端子,V 端子和VB(V)端子以及W端子和 VB(W)端子之间的电压. 输入信号电压 VIN -0.5 ~ VCCH+0.5 -0.5 ~ VCCL+0.5 V 允许印加于COM和每个Vin端子之间 的电压 输入信号电流 IIN
3 mA COM和每个Vin端子之间的电流 故障信号电压 VFO -0.5 ~ VCCL+0.5 V 允许印加于COM和VFO端子之间的 电压 故障信号电流 IFO
1 mA 从VFO流向COM端子的下降电流 过电流检测输入电压 VIS -0.5 ~ VCCL+0.5 V 允许印加于COM和IS端子之间的电 压 控制电路部的工作结温 Tj -40 ~ +150 ?C 连续工作时控制电路部的最大结温 5.最大额定值 表.1-2 Tj=25℃,Vcc=15V时的最大额定值(除非有另行规定) 第1章 产品概述 Fuji Electric Co., Ltd. MT6M10224 版本.1.1 July.-2013 1-8 Preliminary 项目 符号 额定值 单位 描述 外壳工作温度 TC -40 ~ +125 ?C 外壳工作温度(IGBT或FWD正下方 的铝底板温度) 仓储温度 Tstg -40 ~ +125 ?C 没有电力负荷时,储存或运输的环 境温度范围 绝缘电压 Viso AC
1500 Vrms 当所有的端子同时短路时,端子和 散热片之间印加的正弦电压的最大 有效值(正弦波=60Hz / 1min) 表.1-2 Tj=25℃,Vcc=15V时的最大额定值(续) 第1章 产品概述 Fuji Electric Co., Ltd. MT6M10224 版本.1.1 July.-2013 1-9 Preliminary VCE,IC=0 短路电流 ≤ VDC(Surge) ≤ VDC VCE,IC=0 集电极-发射极电流 ≤ VDC(Surge) ≤ VDC VCES : IGBT集电极-发射极电压最大额定值 VDC :印加于P和N(*)间的直流母线电压 VDC(Surge) :直流母线电压和由于P-N(*)端子至大容量电容之间的导线(或引脚)的电感所产生的浪 涌电压的总和 图.1-6 集电极-发射极电压 图.1-6 表示了关断和短路时两种情况下的波形.各种情况下的VDC(Surge)是不同的.因此, VDC的设定时需 要考虑以上这些情况. VCES表示IGBT集电极-发射极电压的最大额定值. VDC(Surge)规定需考虑该IPM中的导线电感所产生的浪涌 电压的裕量. 此外,VDC还需考虑由于P-N(*)端子至大容量电容之间的导线(或引脚)电感所产生的浪涌电压的裕量. (a) 关断时 (b) 短路时 在最大额定值中,在IGBT的集电极-发射极电压中定义了一些参数. 在工作模式中,P和N(*)之间的电压通常印加于上臂或下臂的IGBT侧.因此,印加于P和N(*)之间的电压不 得超过IGBT的最大额定值VCES .最大额定值中集电极-发射极电压的一些参数在以下内容中说明. N(*): N(U),N(V),N(W) 最大额定值中集电极-发射极电压的规定 第1章 产品概述 ........