PDF《DIP-IPM》

UV lock out +VCC LV-ASIC UN VN WN FO CFO VN1 UP VP1 Gate Drive &

UV lock out Level Shift Input Signal Condition +VCC HVIC VUFB VUFS VP VP1 Gate Drive &

UV lock out Level Shift Input Signal Condition +VCC HVIC VVFB VVFS WP VP1 Gate Drive &

UV lock out Level Shift Input Signal Condition +VCC HVIC VPC VWFB VWFS P U V W N VNC CIN Gate Drive Protection Circuit Input Signal Conditioning Fault Logic &

UV lock out +VCC LV-ASIC UN VN WN FO CFO VN1 UP VP1 Gate Drive &

UV lock out Level Shift Input Signal Condition +VCC HVIC VUFB VUFS VP VP1 Gate Drive &

UV lock out Level Shift Input Signal Condition +VCC HVIC VVFB VVFS WP VP1 Gate Drive &

UV lock out Level Shift Input Signal Condition +VCC HVIC VWFB VWFS P U V W N VNC CIN VNO 图1(c) DIP-IPM 的内部功能框图(左:大型 DIP,右:小型 DIP) 1.3.2 产品特点 ①

3 相AC 变频输出电路搭载三菱第

5 代平面型 IGBT 和CSTBT(Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor: 具有载流子蓄积层的沟槽型门极构造双极晶体管)功率芯片,实现更低损耗. 5A~30A 品搭载平面型 IGBT,50A 品搭载 CSTBT 功率芯片. ② 采用自举电路结构,可实现单电源驱动.(需要自举电容,二极管等外部附加部品) ④ 内置有 IGBT 驱动电路,过载保护,控制电源欠压保护功能. P 侧:UV(控制电源欠压保护)→不输出故障信号 Fo N 侧:UV/SC(过载保护)→输出故障信号 Fo(过载保护功能需要外部配置母线电流检测用旁路电阻.) ⑤ 内置专用 HVIC(High Voltage IC:600V),无需绝缘电路(如光耦),可从单片机直接接收控制信号. ⑥ 输入接口电路采用高电平驱动逻辑,消除了旧产品低电平驱动方式对电源投入和切断时的时序要求.增强了 模块自保护能力.而且,可直接由 DSP 或3V 级单片机驱动. 三菱电机株式会社DIP-IPM DPH-2588-B(中国语版) Application Note (6/45) 第2章规格说明 2.1 最大额定值 表2PS21865 的最大额定值 (注1) (a)逆变器部 项目记号条件额定值单位电源电压 VCC P-N 端子间 (注2)

450 V 电源电压(含浪涌) VCC(surge) P-N 端子间 (注3)

500 V 集电极-发射极间电压 VCES (注4)

600 V 集电极电流 ±IC Tf=25℃ (注5)

20 A 集电极电流(峰值) ±ICP Tf=25℃,1ms 以下

40 A 集电极损耗 PC Tf=25℃,1 芯片单位 52.6 W 结合温度 Tj (注6) -20~+125 ℃ (b)控制和保护部 项目记号条件额定值单位控制电源电压 VD VP1-VPC, VN1-VNC 端子间

20 V 控制电源电压 VDB VUFB-VUFS,VVFB-VVFS, VWFB-VWFS 端子间

20 V 信号输入电压 VIN UP,VP,WP-VPC, UN,VN,WN-VNC 端子间 -0.5~VD+0.5 V 故障输出端印加电压 VFO Fo-VNC 端子间 -0.5~VD+0.5 V 故障输出电流 IFO Fo 端子吸入电流值 (注7)

1 mA 电流检测端输入电压 VSC CIN-VNC 端子间 -0.5~VD+0.5 V (c)全系统 项目记号条件额定值单位电源电压自己保护范围 (短路) VCC(PROT) VD=13.5~16.5V,逆变部 (注8) Tj=125℃开始,2?s 以内, 非反复

400 V 模块正常动作表面温度 Tf -20~+100 ℃ 保存温度 Tstg -40~+125 ℃ 绝缘耐压 Viso 正弦波 60Hz,AC

1 分钟, 全端子-散热器间 (注9)

2500 Vrms Tf 测定位置 N W V U P 控制端子 电力端子 DIP-IPM 热电耦位置 安装于 Al 板Al 板 热电耦位置 安装于 Al 板IGBT 芯片位置 沟槽 18mm 13.5mm Al 板尺寸: 100*100*10mm, 表面光洁度 12s, 凹凸度-50~100?m FWD 芯片 在模块和散热片之间均匀涂一层 100~200um 厚的硅胶 三菱电机株式会社DIP-IPM DPH-2588-B(中国语版) Application Note (7/45) 注1: 作为一个特例,本章使用 PS21865(20A/600V)的各项参数(没有另外指定时,Tj=25℃)进行说明.有关其他模块的技 术参数,请参阅各自的数据手册. 注2: 内藏 IGBT 在非开关动作状态 P-N 端子间容许施加的最大直流电压.如果 P-N 间的电压超过此值,则必须在电路中追加 制动电路来抑制母线电压的上升. 注3: 内藏 IGBT 在开关动作状态,P-N 端子间出现的最大浪涌电压值.如果母线电压超过此值,则必须降低母线分布电感或 追加吸收电路来抑制母线电压的上升. 注4: 内藏 IGBT 的C-E 间容许印加的绝对最大电压额定值. 注5: Tf=25℃时,最大许容直流连续通电电流. 注6: 内藏功率芯片的瞬时最高许容接合温度为 150℃.为了保证安全工作,规定芯片的平均接合温度不得超过 125℃(散热片 温度不超过 100℃). 在Tf=100℃时、芯片接合温度保持在 125℃以内、模块具有