PDF《IT(AV) 200A》

GUOJINGKEJI (非绝缘可控硅模块) Thyristor Module 国晶科技 PWB200A40 杭州国晶电子科技有限公司 技术咨询:0571-56862135 专业可控硅模块制造商 特点: 芯片与底板电气绝缘,2500V 交流绝缘 采用德国产玻璃钝化芯片焊接,优良的 温度特性和功率循环能力 体积小,重量轻 典型应用: 加热控制器 交直流电机控制 各种整流电源 交流开关 IT(AV) 200A VDRM/VRRM 600V ITSM 7.

2KA I2 T

259 103 A2 S 参数值 符号 参数 测试条件 结温 Tj(℃) 最小 典型 最大 单位 IT(AV) 通态平均电流 180°正弦半波,50HZ单面散 热,Tc=85℃

125 200 A IT(RMS) 方均根电流

125 314 A VDRM VRRM 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V

125 600 V IDRM IRRM 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 VDM= VDRM VRM= VRRM

125 5 mA ITSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽,正弦半波

125 7.20 KA I2 t 浪涌电流平均时间积 VR=0.6 VRRM

125 259

103 A2 S VTO 门槛电压 0.80 V RT 斜率电阻

125 1.27 mΩ VTM 通态峰值电压 ITM=600A

25 1.65 V dv/dt 断态电压临界上升率 VDM=67%VDRM

125 800 V/μs di/dt 通态电流临界上升率 ITM=600A 门极 触发电流幅值IGM=1.5A, 门极电流上升时间tr ≤0.5μs

125 100 A/μs IGT 门极触发电流

30 50

180 mA VGT 门极触发电压 VA=12V,IA=1A

25 0.8 1.0 2.5 V IH 维持电流

20 100 mA VGD 门极不触发电压 VDM=67%VDRM

125 0.2 V Rth(j-c) 热阻抗(结至壳) 180°正弦半波,单面散热 0.140 ℃/W Rth(c-h) 热阻抗(结至散) 180°正弦半波,单面散热 0.04 ℃/W Fm 安装扭矩(M5) 安装扭矩(M6) 2.0 3.0 N・m N・m Tsbg 储存温度 -40

125 ℃ Wt 质量

780 g Outline M335G GUOJINGKEJI (非绝缘可控硅模块) Thyristor Module 国晶科技 PWB200A40 杭州国晶电子科技有限公司 技术咨询:0571-56862135 专业可控硅模块制造商 GUOJINGKEJI (非绝缘可控硅模块) Thyristor Module 国晶科技 PWB200A40 杭州国晶电子科技有限公司 技术咨询:0571-56862135 专业可控硅模块制造商 模块典型电路 电联结形式 (右图) PWB K G K G K G GUOJINGKEJI (非绝缘可控硅模块) Thyristor Module 国晶科技 PWB200A40 模块外型图、安装图 M335G 使用说明:

一、使用条件及注意事项:

1、使用环境应无剧烈振动和冲击,环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛.

2、 模块管芯工作结温: 可控硅为-40℃∽125℃;

环境温度不得高于 40℃;

环境湿度小于 86%.

3、模块在使用前一定要加装散热器,散热器的选配见下节.散热可采用自然冷却、强迫风 冷或水冷.强迫风冷时,风速应大于6米?秒.

二、安装注意事项:

1、由于 PWB 可控硅模块是非绝缘型,因此多个模块安装在同一散热器上,或装置的接地 外壳上时,必须先进行可靠绝缘处理.

2、 散热器安装表面应平整、 光滑, 不能有划痕、 磕碰和杂物. 散热器表面光洁度应小于 10μm. 模块安装到散热器上时,在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂.涂脂前,用细砂纸 把散热器接触面的氧化层去掉,然后用无水乙醇把表面擦干净,使接触良好,以减少热阻. 模块紧固到散热器表面时,采用 M5 或M6 螺钉和弹簧垫圈,并以 4NM 力矩紧固螺钉 与模块主电极的连线应采用铜排, 并有光滑平整的接触面, 使接触良好. 模块工作3小时后, 各个螺钉须再次紧固一遍. 模块散热器选择 用户选配散热器时,必须考虑以下因素: ① 模块工作电流大小,以决定所需散热面积;