PDF《场效应管的选型及应用概览》

通常,便携式设备为 20V、FPGA 电源为 20~30V、85~220VAC 应用为 450~600V. 在连续导通模式下,场效应管处于稳态,此时电流连续通过器件.脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电 流)流过器件.一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可. 3)计算导通损耗.场效应管器件的功率耗损可由 Iload2*RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化, 因此功率耗损也会随之按比例变化.对便携式设计来说,采用较低的电压比较容易(较为普遍),而对于工 业设计,可采用较高的电压.注意 RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升.关于 RDS(ON)电阻的各种电气参数 变化可在制造商提供的技术资料表中查到. 需要提醒设计人员,一般来说 MOS 管规格书标注的 Id 电流是 MOS 管芯片的最大常态电流,实际使 用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制.因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的 最大电流限制.建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑 MOS 管的内阻参数. 4)计算系统的散热要求.设计人员必须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况.建议采用针对 最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效.在场效应管的资料表上 还有一些需要注意的测量数据;

比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻,以及最大的结温. 开关损耗其实也是一个很重要的指标.从下图可以看到,导通瞬间的电压电流乘积相当大.一定程度 上决定了器件的开关性能.不过,如果系统对开关性能要求比较高,可以选择栅极电荷 QG 比较小的功率 MOSFET.