PDF《HPM3401》

HPM3401 -3.

8A,-30V贴片P沟道场效应管 产品参数规格书 P-Channel MOSFETs Internal Block Diagram 元件标识(打印) HPM3401 (Package: SOT-23) SOT-23 管脚排列 DEVICE MARKING: B1 Max 最大值 Symbol 符号 Characteristic 特性参数 MAXIMUM RATINGS 最大额定值 Unit 单位 SOT-23 内部结构 ±12 Drain-Source Voltage 漏极-源极电压 BVDSS -30 V Drain Current (pulsed) 漏极电流-脉冲 IDM -15 A Drain Current (continuous) 漏极电流-连续 ID -3.8 Gate- Source Voltage 栅极-源极电压 VGS Total Device Dissipation 总耗散功率 TA=25℃ (环境温度为25℃) PD

1250 mW Storage Temperature 储存温度 Tstg -55 to +150 ℃ Junction 结温 Tj

150 Solder Temperature/Solder Time 焊接温度/焊接时间 T/t 260/10 ℃/S HPM3401 P-Channel Enhancement Mode MOS FETs 对应其他工业型号 SI3401 AO3401 ME3401 GM3401 P沟道增强型场效应晶体管 P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs Features -30V, -3.8A, RDS(ON)=50m? @ VGS=-10V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable Lead free product is acquired SOT-23 Package Marking Code: B1 Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 http://www.szhhe.com 第1页共4页[email protected] HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 致力於中国功率器件优秀供应商 HPM3401_SOT-23 G S D D S G HPM3401 -3.8A,-30V贴片P沟道场效应管 产品参数规格书 P-Channel MOSFETs ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为25℃) VGS=0V, VDS=-24V VGS=0V,VDS=-24V,TA=55℃ Zero Gate Voltage Drain Current 零栅压漏极电流 -- -- IDSS Diode Forward Voltage Drop 内附二极管正向压降 (IS=-1A, VGS=0V) VSD -- -- HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. HPM3401_SOT-23 致力於中国功率器件优秀供应商 第2页共4页-- http://www.szhhe.com [email protected] Unit 单位 Max 最大值 Typ 典型值 Min 最小值 Symbol 符号 Characteristic 特性参数 Drain-Source Breakdown Voltage 漏极-源极击穿电压 (ID=-250μA, VGS=0V) BVDSS -30 -- Gate Threshold Voltage 栅极开启电压 (ID=-250μA, VGS=VDS) VGS(th) -0.6 -- ±100 μA -2.0 -- nA V -1 -5 -1 IGSS -- -- -- -- VGS=±12V, VDS=0V Gate Body Leakage 栅极漏电流 RDS(ON) m?

50 --

60 --

75 60

80 100 Input Capacitance 输入电容 (VGS=0V, VDS=-15V, f=1MHz) CISS --

954 Turn-ON Time 开启时间 (VDS=-15V, VGS=-10V, RGEN=6?) t(on) -- 6.3 38.2 -- nS pF -- -- Common Source Output Capacitance 共源输出电容 (VGS=0V, VDS=-15V, f=1MHz) COSS --

115 -- Pulse Width ≤ 300μs;

Duty Cycle ≤ 2.0% Turn-OFF Time 关断时间 (VDS=-15V, VGS=-10V, RGEN=6?) t(off) -- ID=-3.8A, VGS=-10V ID=-2A, VGS=-4.5V ID=-1A, VGS=-2.5V Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源导通电阻 HPM3401 -3.8A,-30V贴片P沟道场效应管 产品参数规格书 P-Channel MOSFETs P 7±2° M ≥0.20 N 0.60±0.10 J 0.13±0.05 K H 0.95±0.05 C D 1.00±0.10 0.40±0.10 1.90±0.10 http://www.szhhe.com [email protected] 第3页共4页E2.40±0.20 DIMENSION 外形封装尺寸数据 Package: SOT-23 HAOHAI Package Code: MM 0.00-0.10 G HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 致力於中国功率器件优秀供应商 HPM3401_SOT-23 序号 数值及公差 Packing Tape & Reel, 3Kpcs/Reel SOT-23 包装规格 SMD片式表面贴封装 包装方式: 载带卷盘包装 每卷数量3000只(3Kpcs/Reel) 每盒数量30000只(30Kpcs/BOX) 每箱数量300000只(300Kpcs/Cartons) A 2.90±0.10 B 1.30±0.10 HPM3401 -3.8A,-30V贴片P沟道场效应管 产品参数规格书 P-Channel MOSFETs FAX: +86-755-27801767 中国 广东省 深圳市 宝安区 82区 裕丰花园 零巷8号 宝馨楼 二楼 (全层) 经中华人民共和国工商行政管理总局商标局批准 HAOHAI、HHE 图案、字母、均为我公司正式注册商标,仿冒、盗用均属侵权,违法必究! 深圳市浩海电子有限公司 SHENZHEN HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 版本信息 2013-10-29 , HAOHAI ? Product Data-GW1.0 2014-07-29 , HAOHAI ? Product Data-GW1.1 HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 致力於中国功率器件优秀供应商 HPM3401_SOT-23 产品主页 http://www.szhhe.com http://www.kkg.com.cn http://www.szhhe.com 第4页共4页[email protected] E-mail: [email protected]