PDF《新一代节能开关式电镀整流器技术》

140 於工业用途.因为一般普及的j效应管 只可应用於DC650V左右的电压,而超过 这个电压的MOSFET,会有比较大的损 耗.故此只适合单相输入(AC220~230V) 的电器装置,其输出功率一般不会超过 3KW.因为消费市j有大量需求,所以 MOSFET的价格是非常有竞争力.IGBT 可应用的电压在DC1200V以上,它适合 三相输入(AC380V) 的电器装置,而因为 三相的应用,输入电源的电流亦容易达致 平衡.所以大功率的开关整流器都是采用 IGBT元件,但因为主要用於工业用途, 数量不及消费类的产品,所以价格都比较 贵. 在技术方面,MOSFET的运作频率可 高达500K Hz以上,而IGBT一般都不会 超过40K Hz.故此,由IGBT组成的整流 器的体积都是大的;

在结构上,内部的零 件也比较多. 在损耗方面,MOSFET大部分都是 它在导通状态下的内阻所构成,而新一代 开发的MOSFET内阻都非常低,损耗比 较小.IGBT的主体是个晶体管,它的损 耗主要来自Vce的电压降(一般在1.7V之间),故此与MOSFET比较,IGBT损耗会 比较大;

但它的应用电压高,也是它的优 点.过去几年,已开始有厂家生产以碳化 矽(Silicon Carbide)为材料的j效应管, 在日本已开始应用.它除了有保持低损 耗和高频的优点外,还可以工作在超过 DC1200V电压的地方.所以,从节能要 求来看,在将来的整流器市j,碳化矽 j效应管很可能会代替IGBT元件.但目 前,碳化矽j效应管的价格还是非常高, 与现有的j坑鼙冉,大概在8倍以 上. 结论 (1) 在选择开关式电镀整流器时,应选 有功率因素修正设置的器材.市埸 上有有源功率因素修正器(Active Power Factor Correction-PFC)的 整流器,功率因素一般在0.98或以 上. (2) 一台整流器如能集合上述改善损耗 的设计,它的整体效率能够增加5%- 10%. 141 ........