PDF《高压防闩锁型双通道SPDT开关 ADG5236》

160 ?(典型值) VS = ±10 V, IS = ?1 mA, 参见图25

200 250

280 ?(最大值) VDD = +13.5 V, VSS = ?13.5 V 通道间导通电阻 匹配ΔRON 1.4 ?(典型值) VS = ±10 V, IS = ?1 mA

8 9

10 ?(最大值) 导通电阻平坦度RFLAT (ON)

38 ?(典型值) VS = ±10 V, IS = ?1 mA

50 65

70 ?(最大值) 漏电流 VDD = +16.5 V, VSS = ?16.5 V 源极关断漏电流IS (O ) 0.01 nA(典型值) VS = ±10 V, VD = ?

10 V, 参见图27 0.1 0.2 0.4 nA(最大值) 漏极关断漏电流ID (O ) 0.01 nA(典型值) VS = ±10 V, VD = ?

10 V, 参见图27 0.1 0.4 1.2 nA(最大值) 通道导通漏电流ID (On)、IS (On) 0.02 nA(典型值) VS = VD = ±10 V, 参见图24 0.2 0.4 1.2 nA(最大值) 数字输入 输入高电压VINH 2.0 V(最小值) 输入低电压VINL 0.8 V(最大值) 输入电流IINL 或IINH 0.002 ?A(典型值) VIN = VGND或VDD ±0.1 ?A(最大值) 数字输入电容CIN

3 pF(典型值) 动态特性1 转换时间tTRANSITION

150 ns(典型值) RL =

300 ?, CL =

35 pF

230 280

315 ns(最大值) VS =

10 V, 参见图30 tON

170 ns(典型值) RL =

300 ?, CL =

35 pF

215 265

300 ns(最大值) VS =

10 V, 参见图32 tOFF

160 ns(典型值) RL =

300 ?, CL =

35 pF

185 205

225 ns(最大值) VS =

10 V, 参见图32 先开后合时间延迟tD

75 ns(典型值) RL =

300 ?, CL =

35 pF

30 ns(最小值) VS1 = VS2 =

10 V, 参见图31 电荷注入QINJ ?0.6 pC(典型值) VS =

0 V, RS =

0 ?, CL =

1 nF, 参见图33 关断隔离 ?85 dB(典型值) RL =

50 ?, CL =

5 pF, f =

1 MHz, 参见图28 通道间串扰 ?85 dB(典型值) RL =

50 ?, CL =

5 pF, f =

1 MHz, 参见图26 ?3带宽

266 MHz(典型值) RL =

50 ?, CL =

5 pF, 参见图29 插入损耗 ?7 dB(典型值) RL =

50 ?, CL =

5 pF, f =

1 MHz, 参见图29 CS (O ) 2.5 pF(典型值) VS =

0 V, f =

1 MHz CD (O )

12 pF(典型值) VS =

0 V, f =

1 MHz CD (On), CS (On)

15 pF(典型值) VS =

0 V, f =

1 MHz ADG5236 Rev. A | Page

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20 参数 25°C ?40°C至+85°C ?40°C至+125°C 单位 测试条件/注释 电源要求 VDD = +16.5 V, VSS = ?16.5 V IDD

45 ?A(典型值) 数字输入 =

0 V或VDD

55 70 ?A(最大值) ISS 0.001 ?A(典型值) 数字输入 =

0 V或VDD

1 ?A(最大值) VDD/VSS ±9/±22 V (最小值/最大值) GND =

0 V

1 通过设计保证,但未经生产测试. ±20 V双电源 除非另有说明,VDD = +20 V ± 10%,VSS = ?20 V ± 10%,GND =

0 V. 表2. 参数 25°C ?40°C至+85°C ?40°C至+125°C 单位 测试条件/注释 模拟开关 模拟信号范围 VDD 至VSS V(最大值) 导通电阻RON

140 ?(典型值) VS = ±15 V, IS = ?1 mA, 参见图25

160 200

230 ?(最大值) VDD = +18 V, VSS = ?18 V 通道间导通电阻 匹配ΔRON 1.3 ?(典型值) VS = ±15 V, IS = ?1 mA

8 9

10 ?(最大值) 导通电阻平坦度RFLAT (ON)

33 ?(典型值) VS = ±15 V, IS = ?1 mA

45 55

60 ?(最大值) 漏电流 VDD = +22 V, VSS = ?22 V 源极关断漏电流IS (O ) 0.01 nA(典型值) VS = ±15 V, VD = ?

15 V, 参见图27 0.1 0.2 0.4 nA(最大值) 漏极关断漏电流ID (O ) 0.01 nA(典型值) VS = ±15 V, VD = ?

15 V, 参见图27 0.1 0.4 1.2 nA(最大值) 通道导通漏电流ID (On)、IS (On) 0.02 nA(典型值) VS = VD = ±15 V, 参见图24 0.2 0.4 1.2 nA(最大值) 数字输入 输入高电压VINH 2.0 V(最小值) 输入低电压VINL 0.8 V(最大值) 输入电流IINL 或IINH 0.002 ?A(典型值) VIN = VGND 或VDD ±0.1 ?A(最大值) 数字输入电容CIN

3 pF(典型值) 动态特性1 转换时间tTRANSITION

150 ns(典型值) RL =