编辑: glay 2019-07-06

5 步骤试验应根据以下的步骤进行 a ) 用标定过的辐射计测量组件测试平面的辐照度, 并保证波长在

2 8

0 n m ^4

0 0 n m之间, 试验光 谱辐照度不超过其对应标准光谱辐照度的5 倍, 标准A MI .

5 太阳辐照分布由G B / T

6 4

9 5 .

3 表1给出, 保证波长低于

2 8

0 n m的光谱辐照是测量不到的, 并保证在测试平面辐照的均匀度 GB / T

1 9

3 9

4 -

2 0

0 3 / I EC

6 1

3 4

5 ;

1 9

9 8 为士1

5 %. b ) 将组件安装在测试平面上根据 a ) 选择的区域内, 使紫外辐照光线垂直于组件正面. C ) 维持组件温度在规定的范围内, 组件接受的最小辐照量为: ― 波长范围2

8 0 n m -3

2 0 n m,

7 .

5 k Wh, m- } 和―波长范围3

2 0 n m-4

0 0 n m,

1 5 k Wh・ m -

1 . d ) 调整组件使紫外辐照线垂直于组件背面. e ) 重复步骤 C ) , 辐照量为正面辐照水平的

1 0

0 0 , 注:正在修 改中的 I E C

6 1

2 1

5 , 单晶硅组件 的紫外辐照 试验不进行 步骤 d ) 和e),步骤 c ) 改为 : " 组 件接受 的辐照量 为:波长范围

2 8

0 n m-3

8 5 n m,

1 5 k Wh・ m- .使用本标准时, 单晶硅组件可参照此进行.

6 最终测试重复以下测量: ― 按GB/T9535-1

9 9

8 或GB/T18911进行外观检查;

― 按GB/T6495.1-1

9 9

6 在标准测试条件下测量I N 特性;

― 按GB/T9535-1

9 9

8 或GB/T18911进行绝缘测试.

7 要求试验的组件应满足以下要求: ― 无G B / T

9 5

3 5 -1

9 9

8 或G B / T

1 8

9 1

1 规定的严重外观缺陷. ― 在标准测试条件下, 最大输出功率衰降不大于试验前测试值的5

0 0 .对于薄膜组件, 在标准测 试条件下, 最大输出功率应大于制造商提供的该组件的标称功率的最小值. ― 按GB/T9535-1

9 9

8 或GB/T18911中规定, 绝缘电阻应满足初始测量值的要求. GB / T

1 9

3 9

4 -

2 0

0 3 / I E C

6 1

3 4

5 :

1 9

9 8 附录A(资料性附录) 推荐的策外光源 紫外光源的选择依据是其性能应满足本标准规定的光谱要求.以下的紫外光源正确安装或滤光后 能够满足本要求. A .

1 Q U V - A和Q U V - B紫外荧光 灯或同类型的 灯QU V - B灯能够提供波长介于

2 8

0 n m-3

1 5 n m的光.该光源唯一缺点是几乎全部辐照在规定辐 照波段的高能端, 由QU V - A和QUV - B组成的荧光灯组可以提供规定范围所要求的辐照. A .

2 滤光佩灯 滤光氮灯的光谱在紫外一可见光范围内最类似自然光光谱, 尤其在波长

2 8

0 n m-3

2 0 n m之间. 由于氨灯的光谱模拟太阳光谱, 在波长3

2 0 n m-4

0 0 n m之间比试验要求的辐照量大.用氛灯获得在

2 8

0 n m-3

2 0 n m之间

7 .

5 k Wh " m- , 的总辐照量, 在波长

2 8

0 n m-4

0 0 n m之间样品可能受辐照总量 会远大于巧k Wh ・ m

2 . A .

3 离压金属卤素紫外灯 这些是具有金属卤化物的高压汞灯, 其辐照主要是 U V A和UV B 特殊的石英玻璃应用于吸收 U VC辐照.这对避免产生臭氧也是重要的. A .

4 自然光 自然光聚光后可以使用.同氛灯源一样, 为了获得在波长2

8 0 n m -3

2 0 n m之间

7 .

5 k Wh " m- ' 的 总辐照量, 在波长

2 8

0 n m-4

0 0 n m之间样品可能受辐照总量远大于

1 5 k Wh " m - Z e

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