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1 占用 8K 字节 的片内程序存储空间;

8K 字节的二级 FLASH 块能被映射到 64/32K 字节低地址空间它也能 从程序计数器中被隐藏掉而用做一个独立的类似 EEPROM 的数据存储器. FLASH 存储通过标准的 87C5x OTP EPROM 编程器来编程, 这个编程器必须有和 SST 器 件配套的适配器和硬件.在上电复位过程中,单片机能初始化为一个存储源代码的外部主机 的从机,或用来控制外部主机的 IAP 操作.单片机可预先设计存储器内的引导装入程序,可 以指导初学者装入程序代码和熟练者通过 IAP 更新代码. 引导装入程序仅仅是一个参考并带 来方便.单片机并没保证引导装入程序例子的可行性和有用性.芯片擦除和块擦除操作将擦 除预先编辑的例子代码.除了 72/40K 字节的超级 FLASH 程序存储器,器件能寻址到 64K 字 节外部程序存储空间.除了 1024*8 位的内部 RAM,外部 64K RAM 地址空间也能被寻址.SST 系列单片机的高可靠性,享有专利的超级 FLASH 技术和存储单元结构在设计和制造 MCU 方 面有较大的优势, 这些优势产生的高性能价格比,极大的方便了我们的客户. 深圳好记芯电子有限公司 TEL:0755-86100886 FAX:0755-86100961 www.superflash.cn

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第一章SST 系列单片机原理 1.1 功能框图 深圳好记芯电子有限公司 TEL:0755-86100886 FAX:0755-86100961 www.superflash.cn

6 1.2 引脚分配 1.2 引脚描述 深圳好记芯电子有限公司 TEL:0755-86100886 FAX:0755-86100961 www.superflash.cn

7 标志 类型 名称和功能 P0[7:0] I/O Port 0: P0 是一个漏极开路的

8 位双向 I/O 口. 作为输出口, 每位能驱动 多个 LS 型TTL 负载. P0 浮空,锁存器为

1 ,可作为高阻抗输入. 在访问外部存储器时, P

0 口作为低

8 位地址和数据总线分时复用. 在这种应用中,当转为高电平时,它用了 强大的内部上拉. 在外部主模式编程状态下,P0 接收代码字节,在外部主模式校验过 程中输出代码字节.在程序校验过程中需要外部上拉 P1[7:0] 带内 部上 拉的 I/O Port 1:P1 是一个带内部上拉电阻的

8 位准双向 I/O 口.每位能驱动 LS 型TTL 负载.当P1 口作为输入口用时,向内部锁存器写入

1 ,P1 引脚被内部上拉电 阻拉为高电平.由于内部上拉电阻,被拉为低的 P1 引脚能向外提供电流(IIL, 如10-3 和10-4 图示) .P1[5,6,7] 有16 毫安的高电流驱动能力.当外部主模式 在编程和测试时,P1 也接收低

8 位地址 P1[0] I/O T2 :定时器 /计数器

2 外部计数输入或时钟输出从定时器/计数器

2 P1[1] I T2EX: 定时器/计数器

2 捕捉/重装触发器和方向控制 P1[2] I EC1:PCA 定时器/计数器外部输入 P1[3] I/O CEX0:比较/捕捉外部输入输出模块,每个比较/捕捉模块连接到一 P1 口引脚,当 不用于 PCA 时, 这个口用作标准 I/O P1[4] I/O SS#: 主机输入、从机输出(SPI)或CEX1:比........