PDF《MCP39F511》

1 ?A ― 0.050 0.100 ?A 仅数字输出引脚(ZCD、 PWM、EVENT1和EVENT2) 表1-1: 电气特性(续) 电气规范:除非另外说明,否则所有参数的适用条件均为AVDD和DVDD = 2.7V至3.6V,TA = -40°C至+125°C,MCLK =

4 MHz, PGA增益 = 1. 特性 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 注1: 规范由设计和特性确保;

未经生产测试. 2: 根据通过累积间隔为4个线路周期的无平均、单计算周期读取的寄存器值计算. 3: 当频率为50/60 Hz时,VIN = 1VPP =

353 mVRMS. 4: 仅适用于电压跌落和电压浪涌事件. 5: 变化仅适用于内部时钟和UART.所有计算的输出量均按照各自规范中列出的性能进行温度补偿. 6: 适用于所有增益.失调误差和增益误差取决于PGA增益设置.有关典型性能,请参见第2.0节 典型性能曲线 . 7: N = 累积间隔参数寄存器中的值.此寄存器的默认值为2,即50 Hz线路的TCAL =

80 ms. MCP39F511 DS20005393A_CN 第8页?2015 Microchip Technology Inc. 表1-3: 温度规范 电气规范:除非另外说明,否则所有参数的适用条件均为AVDD和DVDD = 2.7V至3.6V. 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 温度范围 工作温度范围 TA -40 ― +125 °C 存储温度范围 TA -65 ― +150 °C 封装热阻 热阻,28引脚5x5 QFN ?JA ― 36.9 ― °C/W ?

2015 Microchip Technology Inc. DS20005393A_CN 第9页MCP39F511 2.0 典型性能曲线 注:除非另外说明,否则AVDD = 3.3V,DVDD = 3.3V,TA = +25°C,增益 = 1,VIN = -0.5 dBFS(60 Hz时). 图2-1: 有功功率,增益 =

1 图2-2: RMS电流,增益 =

1 图2-3: 电能,增益 =

8 图2-4: 频谱响应 图2-5: THD直方图 图2-6: THD―温度曲线 注: 以下

图表为基于有限数量样本的统计结果,仅供参考.所列出的性能特性未经测试,我们不做保证.在一些

图表中,所列数据可能超出规定的工作范围(如,超出规定的电源电压范围),因而不在担保范围内. -0.50% -0.40% -0.30% -0.20% -0.10% 0.00% 0.10% 0.20% 0.30% 0.40% 0.50% 0.01 0.1

1 10

100 1000 Measurement Error (%) Current Channel Input Amplitude (mVPEAK) -0.100% -0.050% 0.000% 0.050% 0.100% 0.1

1 10

100 1000 RMS Current Error (%) Input Voltage RMS (mVPP) -1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2

0 0.2 0.4 0.6 0.8

1 1

10 100

1000 10000

100000 Energy Accumulation Error (%) Energy Accumulation (Watt-Hours) -200 -180 -160 -140 -120 -100 -80 -60 -40 -20

0 0

200 400

600 800

1000 1200

1400 1600

1800 2000 Amplitude (dB) Frequency (Hz) fIN = -60 dBFS @

60 Hz fD = 3.9 ksps

16384 pt FFT OSR =

256 Frequency of Occurrence Total Harmonic Distortion (-dBc) -120 -110 -100 -90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10

0 -50 -25

0 25

50 75

100 125

150 Total Harominc Distortion (dBc) Temperature (°C) G =

1 G =

2 G =

4 G =

8 G =

16 G =

32 MCP39F511 DS20005393A_CN 第10页?2015 Microchip Technology Inc. 注:除非另外说明,否则AVDD = 3.3V,DVDD = 3.3V,TA = +25°C,增益 = 1........