PDF《MCP6441/2/4》

10 kΩ 0.5V 输入过驱动 输出短路电流 ISC ― ±3 ― mA VDD = 1.4V ― ±22 ― mA VDD = 6.0V 电源 供电电压 VDD 1.4 ― 6.0 V 每个放大器的静态电流 IQ

250 450

650 nA IO = 0, VDD = 5.0V MCP6441/2/4 DS22257B_CN 第4页?2010-2011 Microchip Technology Inc. 1.2 测试电路 图1-1 显示了用于大多数直流和交流测试的电路.该电 路可以独立地设置 VCM 和VOUT (见公式 1-1) .请注 意, VCM 不是电路的共模电压 ((VP + VM)/2),并且 VOST 包括 VOS 加上温度、CMRR、PSRR 和AOL(对 于输入失调误差, VOST)产生的影响. 公式 1-1: 图1-1: 大多数规范值的交流和直流 测试电路 交流电气规范 电气特性:除非另外声明,否则 TA = +25°C, VDD = +1.4V 至+6.0V, VSS = GND, VCM = VDD/2, VOUT ≈ VDD/2, VL = VDD/2, RL =

1 MΩ 连接至 VL 且CL =

60 pF. (见图 1-1. ) 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 交流响应 增益带宽积 GBWP ―

9 ― kHz 相位裕度 PM ―

65 ― ° G = +1 V/V 压摆率 SR ―

3 ― V/ms 噪声 输入噪声电压 Eni ―

5 ― ?Vp-p f = 0.1 Hz 至10 Hz 输入噪声电压密度 eni ―

190 ― nV/√Hz f =

1 kHz 输入噪声电流密度 ini ― 0.6 ― fA/√Hz f =

1 kHz 温度规范 电气特性:除非另外说明,否则 VDD = +1.4V 至+6.0V 且VSS = GND. 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 温度范围 工作温度范围 TA -40 ― +125 °C 注1储存温度范围 TA -65 ― +150 °C 封装热阻 热阻,

5 引脚 SC70 θJA ―

331 ― °C/W 热阻,

5 引脚 SOT-23 θJA ― 220.7 ― °C/W 热阻,

8 引脚 SOIC θJA ― 149.5 ― °C/W 热阻,

8 引脚 MSOP θJA ―

20 ― °C/W 热阻,

14 引脚 SOIC θJA ― 95.3 ― °C/W 热阻,

14 引脚 TSSOP θJA ―

100 ― °C/W 注1: 内部结温 (TJ)不得超出绝对最大结温规范 (+150°C) . GDM RF RG ? = VCM VP VDD

2 ? + ( )

2 ? = VOUT VDD

2 ? ( ) VP VM C ( ) VOST

1 GDM + ( ) + + = 其中: GDM = 差模增益 (V/V) VCM = 运放的共模输入电压 (V) VOST = 运放的总输入失调电压 (mV) VOST VINa VIN+ C = VDD RG RF VOUT VM CB2 CL RL VL CB1

100 kΩ

100 kΩ RG RF VDD/2 VP

100 kΩ

100 kΩ

60 pF

1 MΩ

1 ?F

100 nF VINC VIN+ CF 6.8 pF CF 6.8 pF MCP6441 ? 2010-2011 Microchip Technology Inc. DS22257B_CN 第5页MCP6441/2/4 2.0 典型性能曲线 注:除非另外声明,否则 TA = +25°C,VDD = +1.4V 至+6.0V,VSS = GND,VCM = VDD/2,VOUT ≈ VDD/2,VL = VDD/2, RL =

1 MΩ 连接至 VL 且CL =

60 pF. 图2-1: 输入失调电压 图2-2: 输入失调电压漂移 图2-3: 输入失调电压 ― 共模输入电压 曲线 (VDD = 6.0V) 图2-4: 输入失调电压 ― 共模输入电压 曲线 (VDD = 1.4V) 图2-5: 输入失调电压 ― 输出电压曲线 图2-6: 输入失调电压 ― 电源电压曲线 注: 以下

图表来自有限数量样本的统计结果,仅供参考.所列出的性能特性未经测试,不做任何保证.一些图 表中列出的数据可能超出规定的工作范围 (例如,超出了规定的电源电压范围) ,因此不在担保范围内. 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30% 35% -4.5 -3.5 -2.5 -1.5 -0.5 0.5 1.5 2.5 3.5 4.5 Input Offset Voltage (mV) Percentage of Occurences

1700 Samples VCM = VSS 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30% -10 -8 -6 -4 -2

0 2

4 6

8 10 Input Offset Voltage Drift (矿 /C) Percentage of Occurences

1700 Samples VCM = VSS TA = -40Cto +125C°C °C (?V/°C) -500

0 500

1000 1500

2000 2500

3000 -0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 Common Mode Input Voltage (V) Input Offset Voltage ( 矿)VDD = 6.0V Representative Part TA = +125CTA = +85CTA = +25CTA = -40C°C °C °C °C ?V -500