PDF《La 或N掺杂 SiC 纳米线的制备、场发射性能及第一性原理计算》

(b) La-doped;

(c) N-doped

1193 Acta Phys. -Chim. Sin.

2015 Vol.31 格, 产生置换原子, 形成点缺陷, 在三维方向上都很 小, 引起的晶格畸变较小, 所以不会对产物的形貌 产生影响. 由于掺杂前后, 纳米线形貌没有改变, 所 以本文所得到的场发射性能的增强是由于元素掺 杂所致. 图4是产物的透射电子显微镜, 选区电子衍射 和高分辨透射电子显微镜图像. 其中图 4(a, b, c)分 别对应于未掺杂、 La掺杂和N掺杂SiC纳米线. 通过 图4(a, b, c)的比较可以看出, 元素掺杂并不会改变 纳米线的........