PDF《Si薄膜的光敏电阻特性研究 ∗》

2 S i薄膜生 长朝着不同晶面方向进行. 因此, 原子表面的扩散作 用形成不同晶面取向( 如图1所示的 X R D 衍射晶 面) 的Mg2Si晶粒, 又衬底的晶格失配度并不能制 约Mg2Si薄膜的生长模式, 从而表现出岛状生长特 性. 当沉积 M g膜较厚时, M g

2 S i晶粒就会聚集在一 起从而形成连续的薄膜, 岛状生长特性继续在Mg2Si薄膜生长机制中占据主导地位, 进而更多的 薄膜被岛状结构所覆盖. 图2 N G S i(

1 1

1 ) 衬底制备 M g

2 S i薄膜 S EM 图, 沉积 M g厚度 ( a )

3 6 0n m、 ( b )

4 0 0n m、 ( c )

4 4 0n m 、 ( d )

4 8 0n m、 ( e )

5 2 0n m、 ( f )

5 6 0n m 3.

3 光敏电阻光谱响应特性研究 单一相 M g

2 S i薄膜的 X R D、 S EM 测试表明, 其 具有良好的结晶性和微观形貌特性. 之后在其上采 用丝网印刷技术, 镀上叉指 A g电极, 高温烧结后制 备光敏电阻. 图3为NGSi(

1 1 1) 衬底上的光敏电阻 光谱响应曲线. 横坐标为入射单色光的波长, 纵坐标 为光谱响应电流. 光谱响应电流的大小反映了样品 将光信号转变成电信号的能力强弱. 由图可知, 在波 长为9

0 0n m~1

2 0 0n m 范围, 光敏电阻对光响应明 显. 随着入射波长从9

0 0n m 增加到1

2 0 0n m, 光敏 电阻产生 的光电流强度先增加后减小, 波长达到1100n m 附近 时, 光........