编辑: 戴静菡 | 2019-07-09 |
150 ° C 工作湿度
20 85 % 存储湿度
20 90 % 静电等级 所有脚位 HBM ±4 KV MM ±0.4 KV CDM* ±1.5 KV *CDM 测试是基于 ANSI/ESDA/JECEC JS-002-2014 推荐工作条件 参数 最小 最大 单位 VM 马达工作电压
0 12 V VCC 逻辑工作电压 1.8 5.5 V IOUT 马达直流电流
0 1.8 A fPWM PWM 输入频率
0 250 KHz VLOGIC 逻辑输入电压
0 5 V TA 环境工作温度 -40
85 ° C +0 电特性参数 如无特殊规定,TA=25℃ 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 电源电压(VM,VCC) VM 电流 IVM1 关断模式下 VM 电流 VM=5V ;
VCC=3V;
无PWM 关断模式
65 90 ?A IVM2 正/反转模式下 VM 电流 VM=5V ;
VCC=3V ;
无PWM 正/反转模式
300 500 ?A IVM3 刹车模式下 VM 电流 VM=5V ;
VCC=3V ;
无PWM 刹车模式
65 90 ?A IVM4 PWM 输入时 VM 电流 VM=5V ;
VCC=3V PWM=50KHz
240 400 ?A IVMQ 休眠模式下 VM 电流 VM=5V ;
VCC=3V nSLEEP=0
5 nA VCC 电流 IVCC1 关断模式下 VCC 电流 VM=5V ;
VCC=3V;
无PWM 关断模式
380 500 ?A IVCC2 正/反转模式下 VCC 电流 VM=5V ;
VCC=3V ;
无PWM 正/反转模式
450 650 ?A IVCC3 刹车模式下 VCC 电流 VM=5V ;
VCC=3V ;
无PWM 刹车模式
480 650 ?A IVCC4 PWM 输入时 VCC 电流 VM=5V ;
VCC=3V PWM=50KHz
450 650 ?A IVCCQ 休眠模式下 VCC 电流 VM=5V ;
VCC=3V nSLEEP=0
2 nA 逻辑输入 (IN1, IN2, nSLEEP) VIL 输入逻辑低电平 0.3*VCC V VIH 输入逻辑高电平 0.5*VCC V IIL 逻辑低电平输入的电流 VIN=0V
5 ?A IIH 逻辑高电平输入的电流 VIN=3.3V
50 ?A RPD 下拉电阻 IN1 IN2 nSLEEP
100 KΩ 马达驱动输出 (OUT1, OUT2) rDS(ON) 上臂+下臂 MOS 阻抗 VM=5V ;
VCC=3V ;
Io=800mA ;
Tj=25℃
280 mΩ IOFF 关断状态下漏电流 VOUT=0V
5 nA 保护功能 VUVLO VCC 欠压锁定 VCC 下降 1.7 V VCC 上升 1.8 V IOCP 过流保护触发点 1.9 3.5 A tRETRY 过流保护恢复时间
1 mS TTSD 过温保护温度点 芯片温度
160 ℃ +0 时序要求 TA=25℃, VM=5V, VCC=3V, RL=20Ω 时间 参数 最小 单位 t1 输出开启时间 0.8 ?S t2 输出关断时间 0.8 ?S t3 延迟时间, INx high to OUTx high 0.7 ?S t4 延迟时间, INx low to OUTx low 0.7 ?S t5 输出上升时间 0.5 ?S t6 输出下降时间 0.5 ?S twake 唤醒时间 , nSLEEP 上升沿到输入开启
5 ?S 图5. 输入输出时序图 +0 典型工作特性 (如无特殊规定,VM=5V, VCC=3V) 图6. IVMQ vs TA 图7. IVCCQ vs TA 图8. IVM vs TA(50KHz PWM) 图9. IVCC vs TA(50KHz PWM) 图10. HS + LS rDS-on vs TA 图11. HS + LS rDS-on vs VM
0 2
4 6
8 10
12 -40 -20
0 20
40 60
80 VM Sleep Current (nA) Ambient Temperature (℃)
0 1
2 3
4 5
6 -40 -20
0 20
40 60
80 VCC Sleep Current (nA) Ambient Temperature (℃)
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 -40 -20
0 20
40 60
80 VM Operating Current (mA) Ambient Temperature (℃)
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 -40 -20
0 20
40 60
80 VCC Operating Current (mA) Ambient Temperature (℃)
200 250
300 350
400 -40 -20
0 20
40 60
80 HS + LS r ds(ON) (mΩ) Ambient Temperature (℃)
200 250
300 350
400 0
1 2
3 4
5 6
7 8
9 10
11 12 HS + LS r DS(ON) (mΩ) VM (V) VCC=2V VCC=3V VCC=5V +0 图12. 50% 占空比 , 正转 图13. 20% 占空比 , 正转 图14. 50%占空比 , 反转 图15. 20%占空比 , 反转 +0 封装资料 8-PIN, DFN Symbol Dimensions Min. Nom. Max. A 0.70 0.75 0.80 A1
0 0.02 0.05 A3 0.20 REF b 0.18 0.25 0.30 D 2.00 BSC E 2.00 BSC e 0.50 BSC D2 1.50 1.60 1.65 E2 0.80 0.90 0.95 L 0.25 0.30 0.35 Note: Refer to JEDEC MO-229 +0