PDF《产品概览》

产品概览 FGA50N100BNTD:

1000 V NPT 沟道 IGBT 欲看完整文档,请参阅数据表.

该1000V NPT IGBT采用飞兆专有沟道设计和先进NPT技术,提供出色的导通和开关性能、高雪崩耐用性,易于并行运行.该器件为 UPS、焊机、感应加热以及微波炉等硬开关应用提供最佳性能 特性 ? 高速开关 ? 低饱和电压:VCE(sat) = 2.5V @ IC = 60A ? 高输入阻抗 应用 ? Uninterruptible Power Supply ? Other Industrial 器件电气规格 产品 Compliance Status V(BR)C ES Typ (V) IC Max (A) VCE(sa t) Typ (V) VF Typ (V) Eoff Typ (mJ) Eon Typ (mJ) Trr Typ (ns) Irr Typ (A) Gate Char ge Typ (nC) Short Circui t Withs tand (?s) EAS Typ (mJ) PD Max (W) Co- Pack aged Diode Pack age Type FGA50N100BNTDTU Pb-free Active

1000 35 2.5 1.2 Yes TO- 3P- 3LD / EIAJ SC- 65, ISOL ATE D 欲了解更多信息,请联系您当地的销售支援 www.onsemi.cn . 创建于:10/9/2017