PDF《SMT 焊接工艺说明》

SMT 焊接工艺说明 TN660-1.

0 www.gowinsemi.com.cn 1(7) SMT 焊接工艺说明 回流曲线建议 SMT 回流焊制程的影响因素很多,比如:PCB 材料、助焊剂、焊膏、 焊料合金,以及生产场地、设备、环境等等,所以每一个 SMT 的回流焊制 程是独一无二的. 当使用高云公司芯片时,应根据芯片的镀层工艺、封装体的大小及湿度 敏感等级进行回流焊和储存,并根据您自身的工艺独特性研发出所需的回流 焊曲线,高云公司推荐使用 JEDEC/IPC 标准 J-STD-020E 的回流曲线. 不建议使用超过 JEDEC/IPC 标准 J-STD-020E 的回流曲线要求,否则 可能会导致晶粒和/或引线框架/基板封装材料之间的内部分层、封装内的内 部裂缝、压焊损坏、线颈缩、压焊翘起、晶粒翘起、薄膜裂开或压焊下面有 坑,在最严重的情况下,应力会导致外部封装裂纹,即"爆米花"现象. SMT 焊接工艺说明 TN660-1.0 www.gowinsemi.com.cn 2(7) 图1红外/对流回流焊曲线(IPC/JEDEC J-STD-020E) 关于 JEDEC 建议的回流焊参数及峰值温度, 请参见表 1, 表2及表 3. SMT 焊接工艺说明 TN660-1.0 www.gowinsemi.com.cn 3(7) 表1回流曲线建议 (JEDEC/IPC J-STD-020E) 曲线特征 锡铅共晶组装 无铅组装 预热/浸泡 最小温度 (Tsmin) 最大温度 (Tsmax) 预热时间 (Tsmin to Tsmax) (ts)

100 ° C

150 ° C 60-120 秒150 ° C

200 ° C 60-120 秒 爬升率 (TL to Tp) 最大 3° C/秒 最大 3° C/秒 液化温度(TL) 维持大于 TL 温度的时间(tL)

183 ° C 60-150 秒217 ° C 60-150 秒 峰值封装本体温度(Tp) 参考表

2 参考表

3 峰值温度 TP 5℃之内的时间(tP) ,见图

1 20 秒30 秒 下降率 (Tp to TL) 最大

6 ° C/秒 最大

6 ° C/秒25 ° C 到峰值温度的时间 最大

6 分钟 最大

8 分钟 注! ? 表中所述温度指在封装体表面中心测出的温度;

? 板组装曲线应根据用户自身的工艺独特性及板设计进行研制, 且不应该超过本表所述的 参数值,例如: TC 为260℃,时间 tP 为30s,即:峰值温度 T P 必须≤ 260℃,超过 255℃的时间 t P 必须≤ 30s. 表2SnPb 共晶制程-峰值回流温度(TP) 封装厚度 体积(mm3 )