PDF《2017 年度国家科技奖推荐项目公示》

澳大利亚科学院院士 C. Jagadish (Nano Lett. 2009, 9, 695)和韩国科学家 S. H. Oh (Science 2010, 330, 489)在论文中,均借鉴该成果提出的 机理解释他们的实验现象. 2. 发展了制备具有分支形貌纳米孔的阳极氧化铝模板的方法;

开拓了用分支孔的 空间限域诱导作用构筑分支纳米结构的新方法,能够批量构筑与分支孔形貌完全一致 的纳米管、纳米线,以及由多段异质材料的纳米管与纳米线构成的分支形貌纳米结构. 美国科学院院士、哈佛大学 C. M. Lieber 在引文(PNAS 2011, 108, 12212)中指出,这类新结 构可用于设计构筑性能独特的电子及光电子器件. 3. 发展了可控构筑具有高的表面增强拉曼散射(SERS)效应的纳米结构阵列的新方 法;

提出了将贵金属的物理增强和半导体的化学增强效应相结合,提高 SERS 活性的 新方法;

实现了对几种高毒性有机污染物的快速痕量检测.澳大利亚科学院院士、工 程院院士、 联邦院士 D. R. MacFarlane 在引文(Adv. Mater. 2015, 27, 1090)中评价: 这些尺度、 形貌和间隙可控的周期性贵金属纳米结构阵列,具有优良的结构重复性和显著的信号 增强效应,是一类有前景的 SERS 活性衬底.

8 篇代表论文的影响因子(IF)均大于 10.包括 Adv. Mater.两篇、Adv. Funct. Mater. 三篇(一篇封面论文)、Nano Lett.两篇、Angew.Chem.Int.Ed.一篇(内封面,并被 Nature China 报道).国际同行正面他引

608 次,两篇论文被 SCI 刊物他引超过

100 次;

被Nature、 Science、Nature Nanotech.、Prog.Mater.Sci.、Adv.Mater.等IF 大于

10 的刊物正面他引

62 次,被综述论文正面他引

37 次.国内外大会邀请报告

20 余次;

应邀为 Prog. Mater. Sci.撰写综述论文、两本英文专著各撰写一章.授权中国发明专利

10 项,部分成果获

2014 年度安徽省自然科学一等奖. 客观评价: 获2014 年安徽自然科学一等奖.

8 篇代表论文的 IF 均大于 10;

获授权中国发明专 利10 项;

应邀为 Prog.Mater.Sci.撰写综述、为两本英文专著各撰写一章.

1、对重要发现一的评价(代表论文

1、2;

附件 1-1 和1-2,代表性引文

1、2) ? 周期孪晶纳米线(代表论文1 Nano Lett.)发表后, 瑞典皇家科学院院士L. Samuelson (Nature Nanotech. 2009, 4, 50)和荷兰科学家E.P.A.M. Bakkers (Nature 2008, 456, 369)参 照该成果,构筑了其它半导体的周期孪晶纳米线.另外,澳大利亚科学院院士 C. Jagadish(Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 3794;

Nano Lett. 2009, 9, 695;

ACS Nano 2013, 7, 8105)和韩国科学家S.H. Oh(Science 2010, 330, 489)在多篇论文中,均借鉴该成果提 出的机理解释他们观察到的现象. ? 国际纳米领域著名刊物Nano Lett.副主编、 哈佛大学H. Park教授在论文(JACS 2008, 130, 6252)中,对该成果提出的周期孪晶纳米线生长机理进行了论证:在高温快速 生长条件下,反应可能更易于生成层错,而不是单晶. ? 美国匹兹堡大学S.X. Mao教授在论文(J. Cryst. Growth 2008, 310, 4481)中充分肯定该 成果(代表论文1 Nano Lett.):Hao(郝玉峰)等认为周期性孪晶纳米线的形成是基于调 控催化剂液滴和纳米线端面的质量扩散造成的. ? 日本国立材料研究所Y. Bando教授在综述(Prog.Mater.Sci. 2011,56,175)中,对论文1 大篇幅图文并茂引用:ZnS周期孪晶纳米线及非对称多型纳米带的形成,是基于 催化剂液滴内和纳米线侧面调制的质量扩散过程引起的. ? 加拿大国家科学研究院M.A. El Khakani教授在研究SnO2薄膜发光的论文(J. Appl. Phys. 2010, 108, 063537)中,对代表论文2(Adv.Mater)的SnO2/SiO2微米环发光调控进 行了引用:An (安小红、第一完成人的博士生)等报道了393和513纳米的两个光 致发光峰,并发现其与微米环的尺寸相关. ? 杰出青年基金获得者、中科院长春应用化学研究所林君研究员在综述(Chem. Soc. Rev. 2012, 41, 7938.)中,引用代表论文2(Adv.Mater),指出:多步热处理方法能够用 来制备缺陷相关的发光材料. ? 日本国立材料研究所Y. Bando和Takao Mori教授在论文(Mater. Charact. 2012, 73, 81.) 中,引用代表论文2(Adv.Mater)提出的发光机理,指出:380纳米的紫外发射源于 二配位的Si共用电子对中心[O\Si\O].