PDF《SVS20NF60FJD2 说明书》

SVS20NF60FJD2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.

0 http: //www.silan.com.cn 共8页第1页20A, 600V DP MOS功率管 描述 SVS20NF60FJD2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士兰微 电子 DP MOS 技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗.使得功率 转换器具有高效,高功率密度,提高热行为. 此外,SVS20NF60FJD2 应用广泛.如,适用于硬/软开关拓扑. 特点 ? 20A,600V,RDS(on)(典型值)=0.17?@VGS=10V ? 创新高压技术 ? 低栅极电荷 ? 定期额定雪崩 ? 较强 dv/dt 能力 ? 高电流峰值 产品规格分类 产品名称封装形式 打印名称 环保等级 包装形式 SVS20NF60FJD2 TO-220FJ-3L 20NF60FJD2 无卤 料管 SVS20NF60FJD2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: //www.silan.com.cn 共8页第2页极限参数(除非特殊说明,TC=25?C) 参数名称符号参数范围单位 漏源电压 VDS

600 V 栅源电压 VGS ±

30 V 漏极电流 TC=25° C ID

20 A TC=100° C

12 漏极脉冲电流 IDM

80 A 耗散功率(TC=25?C) - 大于25?C每摄氏度减少 PD

38 W 0.3 W/?C 单脉冲雪崩能量(注1) EAS

1100 mJ 体二极管(注2) dv/dt

15 V/ns MOS 管dv/dt 耐用性(注3) dv/dt

50 V/ns 工作结温范围 TJ -55~+150 ?C 贮存温度范围 Tstg -55~+150 ?C 热阻特性 参数名称符号参数值单位 芯片对管壳热阻 RθJC 3.3 ?C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 ?C/W SVS20NF60FJD2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: //www.silan.com.cn 共8页第3页电气参数(除非特殊说明,TC=25?C) 参数名称符号测试条件最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250?A

600 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=600V,VGS=0V -- -- 1.0 μA 栅源漏电流 IGSS VGS=± 30V,VDS=0V -- -- ±

100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS,ID=250?A 2.0 -- 4.0 V 静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V,ID=10A -- 0.17 0.20 ? 栅极电阻 Rg f=1.0MHz 2.4 ? 输入电容 Ciss VDS=100V,VGS=0V, f=1.0MHz --

1149 -- pF 输出电容 Coss --

68 -- 反向传输电容 Crss -- 4.0 -- 开启延迟时间 td(on) VDD=300V,VGS=10V, RG=25Ω,ID=20A (注4,5) --

18 -- ns 开启上升时间 tr --

56 -- 关断延迟时间 td(off) --

108 -- 关断下降时间 tf --

47 -- 栅极电荷量 Qg VDD=480V, VGS=10V, ID=20A (注4,5) --

38 -- nC 栅极-源极电荷量 Qgs -- 8.5 -- 栅极-漏极电荷量 Qgd --

20 -- 源-漏二极管特性参数 参数符号测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的 反偏 P-N 结-- --

20 A 源极脉冲电流 ISM -- --

80 二极管压降 VSD IS=20A,VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr VDD=50V,IF=20A, dIF/dt=100A/?s (注2) --

227 -- ns 反向恢复电荷 Qrr -- 2.0 -- ?C 注: 1. L=79mH,IAS=4.2A,VDD=100V,RG=25?,开始温度TJ=25?C;

2. VDS=0~400V,ISD