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14 纳米刻蚀设备、薄 膜设备、掺杂设备等高端制造装备及零部件,突破

28 纳米浸没式光刻机及核心 部件,研制

300 毫米硅片等关键材料,研发

14 纳米逻辑与存储芯片成套工艺及 相应系统封测技术,开展 7-5 纳米关键技术研究,形成 28-14 纳米装备、材料、 工艺、封测等较完整的产业链,整体创新能力进入世界先进行列.

2017 年4月, 科技部发布 《 十三五 先进制造技术领域科技创新专项规划》 , 提出要重点围绕 28-14 纳米技术节点进行工艺、装备和关键材料的协同布局,形成28-14 纳米装备、材料、工艺、封测等较完善的产业链,推动全产业链专项成 果的规模化应用,促进产业生态的改善和技术升级,实现技术促进产业发展的目 标.面向集成电路 14-10 纳米先进工艺,重点开展刻蚀、薄膜、化学机械处理、 掺杂和检测等关键装备及其配套核心零部件产品研发, 通过大生产线考核并进入 销售. 上述一系列支持中国集成电路产业发展的政策文件基本上都将国内的集成 电路产业规划为到 十三五 末期,实现

14 纳米技术代的量产. 此外,不论在产业政策层面还是在商业层面看,集成电路的产业发展是一个 持续的发展过程, 而且国内主要的代工厂和存储器厂都已经启动了再下一技术代 的器件研发.根据产业经验,一个关键技术代的器件从启动研发到量产大约需要 五年时间,结合该周期以及 5/7 纳米设备的技术难度,有必要尽快启动 5/7 纳米 设备的关键技术攻关,落实《 十三五 国家科技创新规划》中 开展 7-5 纳米关 键技术研究 的战略规划. 综上,通过实施本项目以加快集成电路装备产业发展并加速核心技术研发, 不仅是避免过度对外依赖、提升国家信息安全水平的保障,更是落实国家产业规 划的需要. ②满足巨大的产业市场需求的需要 随着世界经济的复苏和世界半导体市场的增长, 我国已经成为全球最大的........