PDF《IP3001》

150 ℃ 热阻(结温到环境) θJA

50 ℃/W 人体模型(HBM) ESD

4 KV *高于绝对最大额定值部分所列数值的应力有可能对器件造成永久性的损害,在任何绝对最大额定值条件下 暴露的时间过长都有可能影响器件的可靠性和使用寿命.

6 电气特性 除特别说明,TA=25℃ 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 电压检测 过充电压 VCU= 4V~4.575V, 25mv step VCU VCU-0.025 VCU VCU+0.025 V 过充恢复电压 VCL= 3.85V~4.4V, 50mv step VCL VCL-0.025 VCL VCL+0.025 V 过放电压 VDL= 2.3V~3V, 100mv step VDL VDL-0.025 VDL VDL+0.025 V 过放恢复电压 VDR= 2.4V~3.1V, 100mv step VDR VDR-0.025 VDR VDR+0.025 V 充电检测电压 VCHA -0.07 -0.12 -0.2 V 过充电压保护延迟时间 tCU

320 ms 过放电压保护延迟时间 tDL

80 ms 电流检测 IP3001 V1.0 www.injoinic.com

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13 Copyright ? 2015, Injoinic Corp. 放电过流 IIOV= 4A~10A, 250mA step IIOV 95% IIOV IIOV 105% IIOV A 充电过流 IIOC= 2A~8A, 250mA step IIOC 95% IIOC IIOC 105% IIOC A 短路电流 ISC

15 A 放电过流保护延迟时间 tIOV

10 ms 充电过流保护延迟时间 tIOC

10 ms 短路保护延迟时间 tSC

600 ?s 功耗 正常工作电流 IOPE VDD=3.6V,VM=0V 3.0 ?A 关断电流 IPDN VDD=2V,VM=0V 1.5 ?A 控制系统 VM 上拉电阻 RVMD

320 kΩ VM 下拉电阻 RVMS

30 kΩ MOSFET 导通电阻 Ron VDD=3.6V,IVM=1A

20 mΩ 热关断温度 TOTP 上升温度

125 ℃ 热关断温度迟滞 ΔTOTP

40 ℃

7 功能结构图 IP3001 V1.0 www.injoinic.com

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13 Copyright ? 2015, Injoinic Corp. 图3内部功能结构框图 IP3001 V1.0 www.injoinic.com

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13 Copyright ? 2015, Injoinic Corp.

8 功能描述 充电过压 当电池电压 VDD>

VCU,且t>

tCU 时,为充电过压状态.IP3001 会控制内部充电逻辑,关闭 内部功率 MOSFET,使电池停止充电.当出现以下两种情况,充电过压状态将被释放: (1) 充电器连接时,当电池电压掉至过充恢复电压 VCL 时,芯片会打开内部功率 MOSFET,回到正常工作状态;

(2) 充电器未连接时, 当电池两端接入负载开始放电时, 芯片打开内部功率 MOSFET, 回到正常工作状态. 具体实施方式如下:当负载连接到电池两端,电池开始放电,电流通过内部功率 MOSFET 内部寄生二极管放电,此时 VM 电压立刻从 0V 升到 0.7V 左右(二极管导通电压) ,芯片检测到 VM 电压并释放过充状态.当VDDVCU 时,即使接入负载引起放电过流,但在电池电压 VDD 降低到 VCU 之前都不会让 放电过流保护起作用.由于电池本身的内阻,在接入引起放电过流负载的瞬间,电池电压就会下 降,如果降到 VCU 以下,就会触发放电过流保护.如果负载短路,电池电压瞬间会下降到 VCU 以下,进入短路保护状态. 放电欠压 当电池电压 VDD tDL 时,为放电欠压状态.IP3001 会控制内部放电逻辑,关闭内 部功率 MOSFET,使电池停止放电. 当内部功率 MOSFET 被关断,芯片内部 VM 与GND 间的上拉电阻 RVMD 会使 VM 的电压上 升.当VM>

1.5V,IVDD <

IPDN 时,芯片进入关........