PDF《ELECTRONIC GIANT》

10 V 参考部分 参考电压输出 Io=1.0mA 2.4 2.5 2.6 V 电源调整率 Vcc=5.5~9V -

2 20 mV 屹晶微电子有限公司 EG1201 芯片用户手册 V1.0 开关电源芯片

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14 负载调整率 Io=1.0~3mA -

3 5 % 温度稳定性 - - 0.2 - mV/℃ 输出噪声电压 F=10Hz~10KHz - -

50 uV 长期稳定性 T=85℃条件下工作 1000h -

5 - mV 输出短路电流 - - -

10 mA 振荡器部分 振荡器频率 Ct=680pF

57 61

65 KHz 频率随电压变化率 Vcc=5.5~9V - 0.2

1 % 频率随温度变化率 Ta=0~85℃ -

1 % 振荡器振幅(Vp-p) - 1.6 - V 振荡器下降沿 Ct=680pF -

800 - nS 反馈部分 上拉电阻 - - 0.58 0.6 mA 下拉电阻 - -

30 - KΩ 电源抑制比 Vcc=5.5V~9V

60 70 dB 电流取样部分 电流取样门限 - 0.54 0.58 0.62 V 防上限电流 Is=0.8V - 0.3 - mA 电源抑制比 - -

60 70 dB 传输延时 - -

150 250 nS 上拉电流 - -

580 - uA 脉宽调制部分 最大占空比 -

53 57

61 % 最小占空比 - - - 3.5

5 输出部分 高电压 IB=20mA 3.5 - - V 低电压 IB=20mA - - 0.3 V 输出电压上升时间 CL=1000pF - -

75 nS 输出电压下降时间 CL=1000pF - -

75 nS 输出限流电流 Rs=0.75Ω

720 770

800 mA OE 钳位电压 OE=0.001~1.2A - 1.6 - V 屹晶微电子有限公司 EG1201 芯片用户手册 V1.0 开关电源芯片

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14 8.应用设计 8.1 CT 定时电容与开关频率的关系 由内部电流源对 CT 电容进行 100uA 恒流充电形成时钟的上升沿,在充电电压至 1.6V 时,内部电路将 以1.9mA 的下拉电流对 CT 放电,形成时钟的下降沿,完成一个时钟周期,一个时钟周期约为: T=CT*24000(S) , F=1/T(Hz) 尽管双极型电路也能工作在较高的频率下,但对于功率开关而言,仍需考虑存储时间对开关损耗的影响. 相对

13003 等三极管来说,通常比较合适的开关频率在 70KHz 以下.在一般的应用场合可将 THX201 的CT 电容按 680pF 配置,此时对应的工作频率约为 61KHz 左右. 8.2 FB 反馈与控制 在正常工作状态,FB 的电压将决定最大开关电流的值,此电压越高开关电流越大(仅受限于峰值电 流限制) .FB 引脚内部上拉 600uA 电流源,下拉电阻约 30KΩ(近似等效值).此外在 FB 电压低于 1.8V 时, 将使振荡周期加大,开关频率下降,低于 1.8V 越多,开关频率降越低.外接 FB 电容将对反馈带宽产生影 响,进而影响某些外部参数,比如瞬态特性.

3 FB

4 GND 1.8V 25K 5K 600uA Ifb Rfb1 Rfb2 Isense EG201 OPT CT CFB 对于 CFB 电容的值,可在 103~104 之间根据反馈回路的频率特性进行选取. 8.3 电流取样电阻 Rs THX201 可使用外部 RS 电阻进行峰值开关电流设定.典型的最大开关电流约为: Ic_peak=0.6/RS (A) Rs 电阻决定了可利用的最大开关电流,因此应根据输出功率的要求合理选用 Rs 电阻.Rs 电阻阻值太 大则输出功率不足,阻值太小则开关管应力增加,变压器不易选择,同时安全性下降.对于一个给定 的输出功率,可按下式进行选择(忽略变压器效率) : Rs=(0.3*Vdc_min*Dmax)/Po (Ω) 这里,Vdc_min 为最小直流输入电压,Dmax 为最大占空比,Po 为额定输出功率.例如: 屹晶微电子有限公司 EG1201 芯片用户手册 V1.0 开关电源芯片

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14 Vdc_min=100V Po=5V/2A=10W Dmax=0.45 则: Rs=0.3*100*0.45/10=1.35Ω 选取一个略小于此值的电阻,比如:1.2Ω 8.4 过温度保护 IC 内部集成了精确的过温度保护功能.在芯片内部温度达到 135℃ 时,热保护电路动作,将时钟信号 下拉,使开关频率降低,降低功耗.开关频率随温度的升高而降低,直至振荡器关闭. 如下图所示, 125?C 135?C 125?C TEMP. CT VCC 4.4V 8.5 功率管驱动特性与高耐压偏置技术 功率管采用斜坡电流驱动, 驱动电流随输出功率增加而增加, 在FB=0 时, OB 电流约为 40mA, 在FB=0.6V 时,OB 电流约为 120mA,此特性有效地利用了 OB 的输出电流,降低了 EG201 的功耗. IC 内部集成了独特的偏置技术, 在功率管关断时, OB 输出立即下拉到地, 同时偏置 OE 输出到约 1.5V, 反向偏置发射结,加速 Ic 电流的下降速度,扩展了有效的安全工作区,开关管承受反向的 CB 电压,使的开 关管达到 700V 的电压承受能力.关于更详细的开关管耐压特性请参考相关的技术数据. 偏置波形如下图所示: OB OE 0.5V 1.5V 屹晶微电子有限公司 EG1201 芯片用户手册 V1.0 开关电源芯片