PDF《SVS24N65FJHD2 说明书》

SVS24N65FJHD2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.

0 http: //www.silan.com.cn 共8页第1页24A, 650V DP MOS功率管 描述 SVS24N65FJHD2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士兰微 电子 DP MOS 技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗.使得功率 转换器具有高效,高功率密度,提高热行为. 此外,SVS24N65FJHD2 应用广泛.如,适用于硬/软开关拓扑. 特点 ? 24A,650V, RDS(on)(典型值)=0.16?@VGS=10V ? 创新高压技术 ? 低栅极电荷 ? 定期额定雪崩 ? 较强 dv/dt 能力 ? 高电流峰值 产品命名规则 产品规格分类 产品名称封装形式 打印名称 环保等级 包装形式 SVS24N65FJHD2 TO-220FJH-3L 24N65FJH 无卤 料管 SVS24N65FJHD2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: //www.silan.com.cn 共8页第2页极限参数(除非特殊说明,TC=25?C) 参数名称符号 参数范围单位 漏源电压 VDS

650 V 栅源电压 VGS ±

30 V 漏极电流 TC=25° C ID

24 A TC=100° C

15 漏极脉冲电流 IDM

96 A 耗散功率(TC=25?C) 大于25?C每摄氏度减少 PD

45 W 0.4 W/?C 单脉冲雪崩能量(注1) EAS

1538 mJ 反向二极管 dv/dt(注2) dv/dt

15 V/ns MOS管dv/dt 耐用性(注3) dv/dt

50 V/ns 工作结温范围 TJ -55~+150 ?C 贮存温度范围 Tstg -55~+150 ?C 热阻特性 参数名称符号参数范围单位 芯片对管壳热阻 RθJC 2.8 ?C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 ?C/W 电气参数(除非特殊说明,TC=25?C) 参数符号测试条件最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250?A

650 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=650V, VGS=0V -- --

1 ?A 栅源漏电流 IGSS VGS=± 30V, VDS=0V -- -- ±

100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS, ID=250?A 2.0 -- 4.0 V 静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=12A -- 0.16 0.19 ? 栅电阻 Rg f=1MHz -- 2.4 -- ? 输入电容 Ciss f=1MHz,VGS=0V, VDS=100V --

1494 -- pF 输出电容 Coss --

77 -- 反向传输电容 Crss -- 4.3 -- 开启延迟时间 td(on) VDD=325V, VGS=10V, RG=25Ω, ID=24A (注4,5) --

22 -- ns 开启上升时间 tr --

66 -- 关断延迟时间 td(off) --

133 -- 关断下降时间 tf --

51 -- 栅极电荷量 Qg VDD=520V, VGS=10V, ID=24A (注4,5) --

48 -- nC 栅极-源极电荷量 Qgs --

11 -- 栅极-漏极电荷量 Qgd --

24 -- SVS24N65FJHD2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: //www.silan.com.cn 共8页第3页源-漏二极管特性参数 参数符号测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续源极电流 IS MOS 管中源极、 漏极构成的反偏 P-N 结-- --

24 A 源极脉冲电流 ISM -- --

96 二极管压降 VSD IS=24A,VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr VDD=50V, IF=24A, dIF/dt=100A/?s (注2) --

449 -- ns 反向恢复电荷 Qrr -- 7.4 -- ?C 注: 1. L=79mH, IAS=5.8A,VDD=100V, RG=25?, 开始温度TJ=25?C;

2. VDS=0~400V,ISD