编辑: xiaoshou | 2019-09-29 |
ablicinc.com ? ABLIC Inc., 2016-2017 Rev.2.1_02
1 本IC是采用CMOS技术开发的高耐压、高速检测、高精度磁特性交变检测型的霍尔效应IC.可通过检测磁束密度的强弱以及 极性变化,使输出电压发生变化.通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测.本IC还内置了输出电流限制电路. 本IC由于采用了插入型的TO-92S封装,因此可用于各种机械构造.还具备高精度磁特性,故与磁石组合的机械构造的工作偏 差可变少. 本公司可根据用户的机械构造推荐磁石与本公司霍尔IC的最佳组合,为用户提供 磁力模拟分析服务 .通过灵活应用此磁力 模拟分析服务,可削减试产次数、开发周期和开发费用,为实现最优化产品更高的性能价格比做出贡献.有关磁力模拟分析 服务的实施详情,请向本公司营业部咨询. ? 特点 ? 极性检测 : 交变检测 ? 输出逻辑*1 : 检测S极时VOUT = L 检测S极时VOUT = H ? 输出方式 *1 : N沟道开路漏极输出 N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻 ? 磁性灵敏度*1 : BOP = 1.8 mT (典型值) BOP = 3.0 mT (典型值) BOP = 6.0 mT (典型值) ? 斩波频率 : fC =
500 kHz (典型值) ? 输出延迟时间 : tD = 8.0 ?s (典型值) ? 电源电压范围 : VDD = 3.5 V ~ 26.0 V ? 内置稳压器 ? 内置输出电流限制电路 ? 工作温度范围 : Ta = ?40°C ~ ?125°C ? 无铅 (Sn 100%)、无卤素 *1. 可以选项. ? 用途 ? 家用电器产品 ? DC无刷电动机 ? 住宅设备 ? 各种产业设备 ? 封装 ? TO-92S (垂直) ? TO-92S (弯曲) 工作温度125?C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC S-5742 B系列 Rev.2.1_02
2 ? 框图 1. N沟道开路漏极输出产品 OUT VDD VSS *1 稳压器 输出电流限制电路 斩波 放大器 *1. 寄生二极管 图1 2. N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻产品 OUT VDD VSS *1 稳压器 输出电流限制电路 斩波 放大器 *1. 寄生二极管 图2 工作温度125?C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC Rev.2.1_02 S-5742 B系列
3 ? 产品型号的构成 1. 产品名 S-5742 x B x x B - Y3 x x U 环保标记 U : 无铅 (Sn 100%)、无卤素 引脚形状
2 : 垂直
3 : 弯曲 包装规格 B : 散装 (500个/包) Z : 折叠 (2000个/盒) 封装简称 Y3 : TO-92S 工作温度 B : Ta = ?40°C ~ ?125°C 磁性灵敏度
0 : BOP = 1.8 mT (典型值)
1 : BOP = 3.0 mT (典型值)
2 : BOP = 6.0 mT (典型值) 输出逻辑 L : 检测S极时VOUT = L H : 检测S极时VOUT = H 极性检测 B : 交变检测 输出方式 N : N沟道开路漏极输出 R : N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻 2. 封装 表1 封装图纸号码 封装名 外形尺寸图 卷带图 折叠包装图 TO-92S (垂直) 散装 YB003-A-P-SD ?? ?? 折叠 YC003-A-C-SD YC003-A-Z-SD TO-92S (弯曲) 散装 YB003-B-P-SD ?? ?? 折叠 YC003-B-C-SD YC003-B-Z-SD 工作温度125?C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC S-5742 B系列 Rev.2.1_02
4 3. 产品名目录 3.
1 TO-92S (垂直) 表2 产品名*1 输出方式 极性检测 输出逻辑 磁性灵敏度 (BOP) S-5742NBL0B-Y3n2U N沟道开路漏极输出 交变检测 检测S极时VOUT = L 1.8 mT (典型值) S-5742NBL1B-Y3n2U N沟道开路漏极输出 交变检测 检测S极时VOUT = L 3.0 mT (典型值) S-5742NBL2B-Y3n2U N沟道开路漏极输出 交变检测 检测S极时VOUT = L 6.0 mT (典型值) S-5742NBH0B-Y3n2U N沟道开路漏极输出 交变检测 检测S极时VOUT = H 1.8 mT (典型值) S-5742NBH1B-Y3n2U N沟道开路漏极输出 交变检测 检测S极时VOUT = H 3.0 mT (典型值) S-5742NBH2B-Y3n2U N沟道开路漏极输出 交变检测 检测S极时VOUT = H 6.0 mT (典型值) S-5742RBL0B-Y3n2U N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻 交变检测 检测S极时VOUT = L 1.8 mT (典型值) S-5742RBL1B-Y3n2U N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻 交变检测 检测S极时VOUT = L 3.0 mT (典型值) S-5742RBL2B-Y3n2U N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻 交变检测 检测S极时VOUT = L 6.0 mT (典型值) S-5742RBH0B-Y3n2U N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻 交变检测 检测S极时VOUT = H 1.8 mT (典型值) S-5742RBH1B-Y3n2U N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻 交变检测 检测S极时VOUT = H 3.0 mT (典型值) S-5742RBH2B-Y3n2U N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻 交变检测 检测S极时VOUT = H 6.0 mT (典型值) *1. 根据包装规格, n 会有如下变化. B : 散装、Z : 折叠 备注 如果需要上述以外的产品时,请向本公司营业部咨询. 3.
2 TO-92S (弯曲) 表3 产品名*1 输出方式 极性检测 输出逻辑 磁性灵敏度 (BOP) S-5742NBL1B-Y3n3U N沟道开路漏极输出 交变检测 检测S极时VOUT = L 3.0 mT (典型值) S-5742NBL2B-Y3n3U N沟道开路漏极输出 交变检测 检测S极时VOUT = L 6.0 mT (典型值) S-5742RBH1B-Y3n3U N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻 交变检测 检测S极时VOUT = H 3.0 mT (典型值) *1. 根据包装规格, n 会有如下变化. B : 散装、Z : 折叠 备注 如果需要上述以外的产品时,请向本公司营业部咨询. ? 引脚排列图 1. TO-92S Bottom view
3 1
2 表4 引脚号 符号 描述
1 VDD 电源端子
2 VSS GND端子
3 OUT 输出端子 图3 工作温度125?C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC Rev.2.1_02 S-5742 B系列
5 ? 绝对最大额定值 表5 (除特殊注明以外 : Ta = ?25°C) 项目 符号 绝对最大额定值 单位 电源电压 VDD VSS ? 0.3 ~ VSS ? 28.0 V 输出电流 IOUT
20 mA 输出电压 N沟道开路漏极输出产品 VOUT VSS ? 0.3 ~ VSS ? 28.0 V N沟道驱动器???内置上拉电阻产品 VSS ? 0.3 ~ VDD ? 0.3 V 工作环境温度 Topr ?40 ~ ?125 °C 保存温度 Tstg ?40 ~ ?150 °C 注意 绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值.万一超过此额定值,有可能造成产品劣化等 物理性损伤. ? 热敏电阻值 表6 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 结至环境热阻 ?JA TO-92S ??
153 *1 ?? ?C/W *1. 基板未安装时 备注 关于详情,请参阅 ? Power Dissipation . 工作温度125?C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC S-5742 B系列 Rev.2.1_02
6 ? 电气特性 表7 (除特殊注明以外 : Ta = ?25°C, VDD = 12.0 V, VSS =
0 V) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 测定 电路 电源电压 VDD ? 3.5 12.0 26.0 V ? 消耗电流 IDD N沟道开路漏极输出产品 平均值 ? 3.0 4.0 mA
1 N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻产品 平均值, VOUT = H ? 3.0 4.0 mA
1 输出电压 VOUT N沟道开路漏极输出产品 输出晶体管N沟道, VOUT = L , IOUT =
10 mA ? ? 0.4 V
2 N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻产品 输出晶体管N沟道, VOUT = L , IOUT =
10 mA ? ? 0.5 V
2 输出下降电压 VD N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻产品 VOUT = H , VD = VDD ??VOUT ? ?
20 mV
2 泄漏电流 ILEAK N沟道开路漏极输出产品 输出晶体管N沟道, VOUT = H = 26.0 V ? ?
10 ?A
3 输出限制电流 IOM VOUT = 12.0 V 22? ?
70 mA
3 输出延迟时间 tD ? ? 8.0 ? ?s ? 斩波频率 fC ?? ??
500 ?? kHz ?? 启动时间 tPON ?? ? 20? ? ?s
4 输出上升时间 tR N沟道开路漏极输出产品? C =
20 pF, R =
820 ?? ? ? 2.0 ?s
5 N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻产品? C =
20 pF? ? ? 6.0 ?s
5 输出下降时间 tF C =
20 pF, R =
820 ?? ? ? 2.0 ?s
5 上拉电阻 RL N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻产品
7 10
13 k?? ? BOP BRP 本IC所接受的 磁束密度 (B)
0 输出电压 (VOUT) 检测S极时 VOUT = H 产品 输出电压 (VOUT) 检测S极时 VOUT = L 产品 S极 N极 90% 10% 90% 10% tD tF tD tR tD tR tD tF 图4 工作时序 工作温度125?C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC Rev.2.1_02 S-5742 B系列
7 ? 磁特性 1. BOP = 1.8 mT (典型值) 产品 表8 (除特殊注明以外 : Ta = ?25?C, VDD = 12.0 V, VSS =
0 V) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 测定电路 工作点 *1 S极BOP ? 0.3 1.8 3.3 mT
4 复位点 *2 N极BRP ? ?3.3 ?1.8 ?0.3 mT
4 滞后幅度 *3 BHYS BHYS = BOP ? BRP ? 3.6 ? mT
4 2. BOP = 3.0 mT (典型值) 产品 表9 (除特殊注明以外 : Ta = ?25?C, VDD = 12.0 V, VSS =
0 V) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 测定电路 工作点 *1 S极BOP ? 1.5 3.0 4.5 mT
4 复位点 *2 N极BRP ? ?4.5 ?3.0 ?1.5 mT
4 滞后幅度 *3 BHYS BHYS = BOP ? BRP ? 6.0 ? mT
4 3. BOP = 6.0 mT (典型值) 产品 表10 (除特殊注明以外 : Ta = ?25?C, VDD = 12.0 V, VSS =
0 V) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 测定电路 工作点 *1 S极BOP ? 3.0 6.0 9.0 mT
4 复位点 *2 N极BRP ? ?9.0 ?6.0 ?3.0 mT
4 滞后幅度 *3 BHYS BHYS = BOP ? BRP ? 12.0 ? mT
4 *1. BOP : 工作点 指本IC所接受的由磁石 (S极) 产生的磁束密度增强 (靠近磁石) 时,输出电压 (VOUT) 切换时的磁束密度的值. 直至施加比BRP更强的N极磁束密度为止,VOUT会维持现状. *2. BRP : 复位点 指本IC所接受的由磁石 (N极) 产生的磁束密度增强 (靠近磁石) 时,输出电压 (VOUT) 切换时的磁束密度的值. 直至施加比BOP更强的S极磁束密度为止,VOUT会维持现状. *3. BHYS : 滞后幅度 指BOP与BRP之间的磁束密度的差值. 备注 按照1 mT =
10 Gauss的公式换算磁束密度的单位mT. 工作温度125?C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC S-5742 B系列 Rev.2.1_02
8 ? 测定电路 VDD VSS OUT A R *1
820 ? S-5742 B系列 *1. N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻产品,不需要电阻 (R). 图5 测定电路1 VDD VSS OUT A V S-5742 B系列 图6 测定电路2 VDD VSS OUT A V S-5742 B系列 图7 测定电路3 S-5742 B系列 VDD VSS OUT V R*1
820 ? *1. N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻产品,不需要电阻 (R). 图8 测定电路4 工作温度125?C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC Rev.2.1_02 S-5742 B系列
9 S-5742 B系列 VDD VSS OUT R*1
820 ? V C
20 pF *1. N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻产品,不需要电阻 (R). 图9 测定电路5 ? 标准电路 S-5742 B系列 VDD VSS OUT CIN R*1
820 ? 0.1 ?F *1. N沟道驱动器 ? 内置上拉电阻产品,不需要电阻 (R). 图10 注意 上述连接图以及参数并不作为保证电路工作的依据.实际的应用电路请在进行充分的实测基础上设定参数. 工作温度125?C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC S-5742 B系列 Rev.2.1_02
10 ? 工作说明 1. 施加磁束方向 本IC可针对标记面检测出垂直方向的磁束密度. 图11表示施加磁束的方向. 标记面 S N 图11 2. 霍尔传感器位置 图12表示霍尔传感器的位置. 霍尔传感器的中心位置如下图所示,处于封装中央的标有圆形标记的范围内. 霍尔传感器的中心 (? 0.3 mm内) 图12 工作温度125?C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC Rev.2.1_02 S-5742 B系列
11 3. 基本工作 本IC可通过磁石等所产生的磁束密度 (N极或S极) 的强弱以及极性变化来切换输出电压 (VOUT). 3.
1 检测S极时VOUT = L 的产品 将磁石的S极靠近本IC的标记面,针对标记面,当垂直方向的S极的磁束密度超过工作点 (BOP) 时,VOUT从 H 切 换为 L . 另外, 将磁石的N极靠近本IC的标记面, 当N极的磁束密度超过复位点 (BRP) 时, VOUT从 L 切换为 H . 若BRP........