PDF《SM2318E》

SM2318E 可控硅调光高功率因数线性恒流 LED 驱动芯片 QZZBIGV1.

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1 - SM2318E 特点 ? 输入电压 110Vac 或220Vac ? 恒流精度小于±5% ? 功率因数大于 0.98 ? THD 小于 15% ? 内置过温保护 ? 支持可控硅调光,可实现多段 LED 灯同亮同灭 ? 封装形式:ESOP8 应用领域 ? LED 恒流驱动 ? LED 球泡灯 ? LED 吸顶灯 概述 SM2318E 是一款高功率因数 LED 线性恒流驱动芯片,支持可控 硅调光,调光过程多段 LED 灯可实现同亮同灭,亮度均匀变化. 芯片内部集成维持电流电路,可控硅调光应用无需外部维持电 流,提高系统效率和 LED 光效. 芯片集成过温保护等功能,提升系统应用可靠性. 管脚图 GND OUT2 OUT1 VIN REXT2 REXT1 VDD OUT3

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6 5 ESOP8 TRAIC 典型示意电路图 深圳市聚泉鑫科技有限公司

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2 - 管脚说明 名称 管脚序号 管脚说明 TRAIC

1 可控硅调光控制端 VDD

2 芯片电源端 REXT1

3 维持电流值设置端 REXT2

4 输出电流值设置端 OUT3

5 恒流输出端口

3 OUT2

6 恒流输出端口

2 OUT1

7 恒流输出端口

1 VIN

8 芯片供电 GND 衬底 芯片地 订购信息 订购型号 封装形式 包装方式 卷盘尺寸 管装 编带 SM2318E ESOP8

100000 只/箱4000 只/盘13 寸 深圳市聚泉鑫科技有限公司

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3 - 极限参数 若无特殊说明,环境温度为 25°C. 符号 说明 范围 单位 VOUT OUT 端口电压 -0.5 ~

500 V IOUT OUT 端口电流 1~

60 mA RθJA PN 结到环境的热阻

65 ℃/W TJ 工作结温范围 -40 ~

150 °C TSTG 存储温度 -55 ~

150 °C VESD HBM 人体放电模式 >2 KV 注:表贴产品焊接最高峰值温度不能超过 260℃,温度曲线依据 J-STD-020 标准、参考工厂实际和锡膏商建议由工厂自行设定. 电气工作参数 若无特殊说明,环境温度为 25°C. 符号 说明 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VOUT_BV OUT 端口耐压 -

500 - - V IOUT 输出电流 - - -

100 mA IDD 静态电流 VIN=10V - 0.30 0.50 mA VREXT0 REXT1 端口电压 VIN=10V - 0.45 - V VREXT3 REXT2 端口电压 VIN=10V,VOUT3=10V 0.9 V DIOUT IOUT 片间误差 IOUT = 10mA~50mA - ±5 - % T 过温保护起始点 - -

140 - ℃ 深圳市聚泉鑫科技有限公司

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4 - 功能表述 SM2318E 是一款高功率因数 LED 线性恒流驱动芯片,工作于分段式自动切换模式.并支持可控硅调光,调光过 程可实现多段 LED 灯同亮同灭,LED 亮度均匀变化. 芯片集成过温保护等功能,提升系统应用可靠性.可通过外部参数调整适应不同类型可控硅调光器. ? 泄放电流 SM2318E 具有可控硅调光泄放电流供电功能,泄放电流通过芯片 REXT1 端口的电阻值进行调节, R V I rext1 ? ,其中

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0 1 ? rext V V,I 为泄放电流. ? 输出 LED 灯珠压降及各段灯珠比例设计 SM2318E 芯片各 OUT 端口开启电压恒流点 out U =4.0V(I=40mA),当各 OUT 端口灯珠压降比例依次为 8:5:2 时,系 统获得较佳的光效和较高的功率因素(PF>0.98) ,如果想获得更高的光效,可适当调整各段灯珠比例. ? 过温保护 当芯片内部温度高于过温保护点,芯片会自适应降低输出电流,降低功耗. ? 增大输出电流的措施 SM2318E 内部有温度补偿电路, 因此要增大输出电流, 就必须有良好的散热措施, 以降低 SM2318E 芯片的温度. 1)采用铝基板 PCB;

2)增大 SM2318E 衬底(GND)的覆铜面积;

3)增大整个灯具的散热底座 SM2318E 支持芯片并联应用方案.若系统输出功率过大导致芯片温度高时,可以采用多颗 SM2318E 芯片并联的 应用方案. 深圳市聚泉鑫科技有限公司

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5 - 典型应用方案 ? 12W@120Vac/60Hz 可控硅调光方案 原理图 120Vac/60Hz 输入可控硅调光典型应用电路 BOM 单 位号 参数 位号 参数 FR1 10R/1W 绕线电阻 R

5、R6 430R/1206 RV1 7D471 R7 1M/1206 DB1 MB6S R8 30K/0805 D1-D4 ES1J R9 100K/1206 R1 10R/0805 C1-C3 1uF/16V R2 12R/0805 LED1-LED23 9V/100mA/2835 R3 18R/0805 E1 100uF/160V R4 20R/0805 U

1、U2 SM2318E 1. 调节 R1,R2 电阻值改变系统输出电流值. 2. 根据不同可控硅调光器性能,可通过调节 R3,R4 电阻值改变系统工作的泄放电流. 深圳市聚泉鑫科技有限公司

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6 - ? 12W@220Vac 可控硅调光方案 原理图 220Vac 输入可控硅调光典型应用电路 BOM 单 位号 参数 位号 参数 FR1 10R/1W 绕线电阻 R7 1M/1206 RV1 7D471 R8 20K/0805 DB1 MB6S R9 300K/1206 D1-D4 ES1J C

1、C2 1uF/16V R1 22R/0805 C3 10uF/16V R2 24R/0805 LED1-LED22 18V/30mA/2835 R

3、R4 4.7R/0805 E1 47uF/400V R

5、R6 430R/1206 U

1、U2 SM2318E 1. 调节 R1,R2 电阻值改变系统输出电流值. 2. 根据不同可控硅调光器性能,可通过调节 R3,R4 电阻值改变系统工作的泄放电流. 深圳市聚泉鑫科技有限公司

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7 - 系统 PCB 图及布板注意事项 (1) IC 衬底部分进行铺铜处理,进行散热,增加可靠性,铺铜如上图所示. (2) IC 衬底焊盘漏铜距离 PIN1 和PIN8 端口需保证 1mm 以上的间距. 铺铜散热 深圳市聚泉鑫科技有限公司

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8 - 封装形式 ESOP8 Min(mm) Max(mm) A 1.25 1.95 A1 - 0.25 A2 1.25 1.75 b 0.25 0.7 c 0.1 0.35 D 4.6 5.3 D1 3.12 供参考 E 3.7 4.2 E1 5.7 6.4 E2 2.34 供参考 e 1.270(BSC) L 0.2 1.5 Θ 0° 10° 深圳市聚泉鑫科技有限公司

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