编辑: yyy888555 2019-12-04
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一、 建设项目基本情况 项目名称 超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化项目 建设单位 无锡新洁能股份有限公司 法人代表 朱袁正 联系人 肖东戈 通讯地址 无锡市高浪东路

999 号B1 号楼

2 层 联系电话

15651581219 传真 / 邮政编码

214028 建设地点 无锡新吴区,研发一路以东,研发二路以南地块 立项审批部门 新吴区行政审批局 批准文号 备案证号:锡新行审投备 [2018]1001 号 建设性质 √新建 扩建 改建 行业类别 及代码 工程和技术研究和试验发展 [M7320] 占地面积 (平方米)

1200 绿化面积 (平方米) ― 总投资 (万元) 48118.

04 其中:环保 投资(万元)

10 环保投资占 总投资比例 0.02% 评价经费 (万元) ― 预期投产 日期

2023 年6月原辅材料(包括名称、用量)及主要设施规格、数量(包括锅炉、发电机等) 原辅材料及主要生产设备见第

2 页表 1-

1、表1-2. 水及能源消耗量 名称 消耗量 名称 消耗量 水(吨/年) 395.2 燃油(吨/年) / 电(万kWh/年)

50 燃气(吨/年) / 燃煤(吨/年) / 蒸汽(吨/年) / 能源总消耗(折合标准煤)量61.45 吨/年 废水(工业废水、生活废水 √)排水量及排放去向: 本项目无生产废水的排放,生活污水 316t/a 经化粪池预处理后接入新城水处理厂集中 处理,尾水排入江南运河. 放射性同位素和伴有电磁辐射的设施的使用情况: 无.

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1、建设项目主要原辅材料 本项目主要原辅材料消耗情况见表 1-1. 表1-1 本项目主要原辅材料及其用量一览表 序号 名称 年用量 来源及运输

1 30V-300V 屏蔽栅沟槽功率 MOSFET

15 万片/年 委外加工,汽运

2 500V-900V 超结功率 MOSFET

6 万片/年 委外加工,汽运

3 沟槽场截止型 IGBT

3 万片/年 委外加工,汽运

4 功率集成器件 0.6 万片/年 委外加工,汽运

5 同类型产品(研发用)

200 颗/年 外购,汽运

2、主要生产设备 本项目产品生产工序均委外进行,设备主要为测试用设备,具体见表 1-2. 表1-2 本项目主要生产设备一览表 序号 名称 数量(台) 备注(用途)

1 栅极电阻 Rg 和电容自动测试 系统

10 功率器件集成栅极电阻测试及功率器件集 成电容测试

2 场效应雪崩(EAS)自动测试 系统

10 功率器件封装成品雪崩耐量可靠性测试

3 Juno 直流测试机

10 功率器件击穿电压、导通电阻、阈值电压 等静态参数测试

4 8 英寸晶圆全自动探针台

10 晶圆级静态参数测试

5 电子防潮柜

5 产品存储

6 充氮烘箱

5 产品存储

7 超低温除湿干燥柜

5 产品存储

8 晶圆级大电流开关损耗自动 测试系统

5 晶圆级产品动态参数测试

9 晶圆级雪崩耐量自动测试系 统5晶圆级功率器件雪崩耐量可靠性

10 LEMSYS IGBT/MOSFET 动 静态特性测试系统

1 功率器件击穿电压、 阈值电压、 开关时间、 开关损耗等动静态电学特性测试

11 ITC55100 雪崩能量测试系统

2 功率器件封装成品雪崩耐量可靠性测试分 析仪

12 ITC59100 Rg 栅极串联等效电 阻测试系统

2 功率器件体内栅极寄生电阻、集成电阻测 试分析

13 功率模块 DC 测试系统

2 大功率模块直流参数测试

14 Phase11 稳态热阻分析测试系 统1功率器件及功率模块封装稳态热阻测试仪

15 莱卡显微镜

3 功率器件微观形貌分析、版图分析

16 仿真服务器

5 半导体功率器件计算机仿真平台搭建

17 版图服务器

3 功率器件版图设计计算机

18 SEM 扫描电镜

1 半导体器件纵向形貌分析仪

3 19 红外失效分析显微镜

1 功率器件失效热点测试分析仪

20 能谱分析仪

1 功率器件材料测试分析仪

21 高低温循环测试系统

1 功率循环、高低温循环可靠性测试分析系 统22 恒温恒湿实验箱

1 高温高湿可靠性测试分析实验箱

23 高温实验箱

2 高温电学特性测试、高温可靠性考核

24 Espec 失效分析设备

1 寿命可靠性考核测试分析仪

25 高压绝缘测试仪

2 功率器件及模块绝缘特性测试

26 静电发生器

1 功率器件 ESD 防静电能力可靠性测试

27 HAST 测试设备

1 加速寿命退化可靠性测试分析仪

28 表面电阻率测试仪(SRP)

1 半导体掺杂浓度分布测试分析仪

29 半导体分析仪(Curve Tracer)

2 半导体功率器件电学特性曲线测试分析仪

30 Thermal-SENTRIS 瞬态显微 锁相热红外成像系统

2 功率器件瞬态热分布特性测试分析系统

31 TLP/VF-TLP 测试系统

1 功率器件脉冲电流能力测试

32 定点裂片设备

1 半导体器件失效点定点失效分析,失效点 纵向分析

33 深能级瞬态谱分析仪(DLTS)

1 半导体功率器件少子寿命测试、深能级测 试、重金属掺杂类型测试

34 原子力扫描探针显微镜

1 半导体器件表面形貌分析仪

35 扫描/透射电镜能谱仪 (元素分 析仪)

1 功率器件元素分析仪

36 晶圆背面减薄设备

1 减薄晶圆设备

37 激光平整度测量仪

1 芯片封装平整度测试分析

38 膜厚测量仪

1 半导体器件氧化层、多晶硅层等厚度测试 分析

39 大功率直流电源

3 测试系统供电电源

4 工程内容及规模:

1、项目由来 无锡新洁能股份有限公司成立于

2013 年1月5日,主要从事电力电子元器件的制 造、研发、设计、技术转让、技术服务、销售;

集成电路、电子产品的研发、设计、 技术转让、技术服务、销售;

计算机软件的研发、技术转让;

利用自有资产对外投资;

环境保护专用设备的制造、销售;

自营和代理各类商品及技术的进出口业务等. 为了适应时代发展,满足市场需求,公司拟投入 48118.04 万元,在无锡新吴区研 发一路以东,研发二路以南地块,租赁无锡电基集成科技有限公司厂房 1200m2 建设超 低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化项目,项目建成后具有年产 30V-300V 屏蔽栅沟槽功率 MOSFET

15 万片/年、500V-900V 超结功率 MOSFET

6 万片 /年、沟槽场截止型 IGBT

3 万片/年和功率集成器件 0.6 万片/年的生产能力. 企业现遵照《中华人民共和国环境保护法》 、 《国务院关于修改〈建设项目环境保 护管理条例〉的决定》 (中华人民共和国国务院令 第682号) ,并根据《建设项目环境 影响评价分类管理名录》 三十

七、研究和试验发展 中

108 研发基地 中的 其他 , 本项目的建设应该编制环境影响报告表.因此,公司委托苏州新视野环境工程有限公 司(国环评证乙字第1952号)对本项目进行环境影响评价. 项目所涉及的消防、安全、电磁辐射及卫生等问题不属于本评价范围,请公司按 国家有关法律、法规和标准执行.

2、工程内容 本项目总投资 48118.04 万元,建设后主体工程及产品方案见表 1-3. 表1-3 主体工程及产品方案 序号 工程名称(车间、生 产装置或生产线) 产品名称及规格 年产量 (万片/年) 年运行时数 (h)

1 研发及测试生产线 30V-300V 屏蔽栅沟槽功率 MOSFET

15 1976

2 500V-900V 超结功率 MOSFET

6 3 沟槽场截止型 IGBT

3 4 功率集成器件 0.6

3、项目概况 项目名称:超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化项目;

项目性质:新建;

5 建设地点:无锡新吴区,研发一路以东,研发二路以南地块;

投资总额:48118.04 万元,其中环保投资

10 万元,占总投资的 0.02%;

占地面积:1200m2 ;

职工人数:32 人;

工作制度:年工作天数

247 天,单班制,每班

8 小时;

预期投产日期:2023 年6月. 本项目不设食堂、 浴室等生活设施, 员工就餐由外送快餐解决, 公司提供就餐场所.

4、项目位置及项目厂区周围布置图 本项目位于无锡市新吴区研发一路以东, 研发二路以南地块. 项目东面为规划工业用地、 江苏圣宝罗药业有限公司,南面隔研发一路为无锡阿尔卑斯电子有限公司,西面为无锡电基 集成科技有限公司,北面为规划工业用地和加油站.项目周围

500 米范围内的敏感目标主要 为西南面

384 米处的新洲人家.建设项目地理位置图见图 1-1,建设项目周围环境示意图 见图 1-2. 本项目车间一层分为仓储区、试验区和危废仓库.厂区内实行雨污分流,本项目 生活污水经过研发一路的

1 个污水接管口接入市政污水管网,雨水经研发一路的雨水 排放口接入市政雨水管网.本项目所在厂区平面布置及雨污水管网图见图 1-3,车间平 面布置见图 1-4.

5、公用及辅助工程 本项目公用及辅助工程见表 1-4. 表1-4 本项目公用及辅助工程 类别 名称 设计能力 备注 贮运 工程 原材料仓库 100m2 储存原料和产品 产品仓库 100m2 外部运输 ― 汽车运输 公用 工程 给水 395.2t/a 无锡市新吴区自来水管网 排水 316t/a 雨污分流,生活污水经化粪池处 理后,进市政污水管网 供电

50 万kWh/年 由新吴区供电系统供给 纯水 6t/a 外购 绿化 ― 依托租赁方 环保 工程 废水处理 生活污水 4m3 依托租赁方设施 一般固废贮存场所 10m2 分类临时储存,零排放 危险固废贮存场所 5m2

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6、产业政策的相符性分析 本项目为超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化项目, 其产品生产工 序委外专业厂商进行,厂内主要进行研发设计和产品测试,本项目属于工程和技术研 究和试验发展,经查阅,本项目属于《产业结构调整指导目录(2011 年本) (2013 年 修订) 》 (中华人民共和国国家发展和改革委员会

2013 年第

21 号令)中的鼓励类 三十

一、科技服务业 中

10、........

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