PDF《DG6N50》

江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.

,Ltd 86-510-87136806

1 /11 http://www.jsdgme.com DG6N50 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 201603-A 产品概述 General Description DG6N50是N沟道增强型场效应晶体管,应用了东晨电子的相关专利技术,采用自对准平面工艺及先进的终 端耐压技术,降低了导通损耗,提高了开关特性,增强了雪崩耐量.该产品能应用于多种功率开关电 路,使得电源能效更高,系统更加小型化. DG6N50 is an N-channel enhancement mode MOSFET, which is produced using Dongchen Electronics's proprietary. The self-aligned planar process and improved terminal technology reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for higher efficiency and system miniaturization. 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS VDSS

500 V ID

6 A RDS(ON) 1.3 Ω Crss

12 pF 符号 Symbol 封装 Package 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

2 /11 http://www.jsdgme.com 绝对最大额定值 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25℃) 参数名称 Parameter 符号 Symbol 数值 Value 单位 Unit 漏极-源极直流电压 Drain-SourceVoltage VDSS

500 V 连续漏极电流 ContinuesDrainCurrent ID Tc=25℃ 6* A Tc=100℃ 3.6* 最大脉冲漏极电流 (注1) PlusedDrainCurrent(note1) IDM

24 A 最高栅源电压 Gate-to-SourceVoltage VGS ±30 V 单脉冲雪崩能量(注2) SinglePulsedAvalancheEnergy(note2) EAS

300 mJ 雪崩电流 (注1) AvalancheCurrent(note1) IAR

6 A 重复雪崩能量(注1) RepetitiveAvalancheEnergy(note1) EAR

11 mJ 二极管反向恢复最大电压变化速率(注3) PeakDiodeRecovery(note3) dv/dt 4.5 V/ns 耗散功率 PowerDissipation PD Tc=25℃ TO-251/TO-252

51 W TO-220

85 TO-220F

28 耗散功率减额因子 PowerDissipationDeratingFactor PD(DF) Above 25℃ TO-251/TO-252 0.39 W/℃ TO-220 0.67 TO-220F 0.22 最高结温及存储温度 OperatingandStorageTemperatureRange TJ,TSTG 150,-55~+150 ℃ 引线最高焊接温度 MaximumTemperatureforSoldering TL

300 ℃ 热特性 THERMAL CHARACTERIASTIC 参数名称 Parameter 符号 Symbol 最大 Max 单位 Unit 结到管壳的热阻 ThermalResistance,JunctiontoCase Rth(j-c) TO-251/TO-252 2.5 ℃/W TO-220 1.4 TO-220F 4.5 结到环境的热阻 ThermalResistance,JunctiontoAmbient Rth(j-A) TO-251/TO-252

83 ℃/W TO-220 62.5 TO-220F 62.5 * 漏极电流由最高结温限制 Draincurrentlimitedbymaximumjunctiontemperature 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

3 /11 http://www.jsdgme.com 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 关断特性 Off-Characteristics 参数名称 Parameter 符号 Symbol 测试条件 TestsConditions 最小 Min 典型 Type 最大 Max 单位 Unit 漏极-源极击穿电压 Drain-SourceBreakdownVoltage BVDSS ID=250μA, VGS=0V

500 - - V 击穿电压温度特性 BreakdownVoltageTemperature Coefficient BVDSS/ TJ ID=250μA, referenced to 25℃ - 0.5 - V/℃ 零栅压下漏极漏电流 ZeroGateVoltageDrainCurrent IDSS VDS=500V,VGS=0V,TC=25℃ - -

1 μA VDS=400V,TC=125℃ - -

10 正向栅极体漏电流 Gate-bodyleakagecurrent,forward IGSSF VDS=0V,VGS =30V - -

100 nA 反向栅极体漏电流 Gate-bodyleakagecurrent,reverse IGSSR VDS=0V,VGS=-30V - - -100 nA 通态特性 On-Characteristics 参数名称 Parameter 符号 Symbol 测试条件 TestsConditions 最小 Min 典型 Type 最大 Max 单位 Unit 阈值电压 GateThresholdVoltage VGS(th) VDS=VGS, ID=250μA 2.0 - 4.0 V 静态导通电阻 StaticDrain-SourceOn-Resistance RDS(ON) VGS=10V,ID=3.0A - 1.3 1.6 Ω 正向跨导 ForwardTransconductance gfs VDS =40V,ID=3.0A(note4) -

5 - S 动态特性 Dynamic Characteristics 参数名称 Parameter 符号 Symbol 测试条件 TestsConditions 最小 Min 典型 Type 最大 Max 单位Unit 输入电容 Inputcapacitance Ciss VDS=25V,VGS =0V, f=1.0MHZ -

635 748 pF 输出电容 Outputcapacitance Coss -

72 105 pF 反向传输电容 Reversetransfercapacitance Crss -

12 18 pF 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

4 /11 http://www.jsdgme.com 开关特性 Switching Characteristics 参数名称 Parameter 符号 Symbol 测试条件 TestsConditions 最小 Min 典型 Type 最大 Max 单位 Unit 延迟时间Turn-Ondelaytime td(on) VDD=250V,ID=6A,RG=25Ω (note4,5) -

20 49 ns 上升时间Turn-Onrisetime tr -

52 116 ns 延迟时间Turn-Offdelaytime td(off) -

55 118 ns 下降时间Turn-OffFalltime tf -

42 92 ns 栅极电荷总量TotalGateCharge Qg VDS =400V,ID=6A,VGS =10V (note4,5) -

18 24 nC 栅-源电荷Gate-Sourcecharge Qgs - 3.6 - nC 栅-漏电荷Gate-Draincharge Qgd - 7.8 - nC 漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 参数名称 Parameter 符号 Symbol 测试条件 TestsConditions 最小 Min 典型 Type 最大 Max 单位 Unit 正向最大连续电流 MaximumContinuousDrain-Source DiodeForwardCurrent IS - -

6 A 正向最大脉冲电流 MaximumPulsedDrain-SourceDiode ForwardCurrent ISM - -

24 A 正向压降 Drain-SourceDiodeForwardVoltage VSD VGS=0V,IS=6A - - 1.4 V 反向恢复时间 Reverserecoverytime trr VGS=0V,IS=6A dIF/dt=100A/μs(note4) -

352 - ns 反向恢复电荷 Reverserecoverycharge Qrr - 3.0 - μC 注释: 1:脉冲宽度由最高结温限制 2:L=15mH, IAS=6A, VDD=50V, RG=25 Ω, 起始结温TJ=25℃ 3:ISD ≤4.5A, di/dt ≤300A/μs, VDD≤BVDSS, 起始结温TJ=25℃ 4:脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2% 5:基本与工作温度无关 Notes: 1:Pulse width limited by maximum junction temperature 2:L=15mH, IAS=6A, VDD=50V, RG=25Ω, Starting TJ=25℃ 3:ISD ≤4.5A, di/dt ≤300A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4:Pulse Test: Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2% 5:Essentially independent of operating temperature 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

5 /11 http://www.jsdgme.com 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 图1. 输出特性曲线 图2. 传输特性曲线 Fig.

1 On-State Characteristics Fig.

2 Transfer Characteristics 图3. 击穿电压随温度变化曲线 图4. 导通电阻随温度变化曲线 Fig.

3 Breakdown Voltage Variation vs Temperature Fig.

4 On-Resistance Variation vs Temperature 图5. 电容特性曲线 图6. 栅电荷特性曲线 Fig.

5 Capacitance Characteristics Fig.

6 Gate Charge Characteristics 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

6 /11 http://www.jsdgme.com 图7. 最大安全工作区 图8. 最大漏极电流随温度变化曲线 Fig.

7 Maximum Safe Operating Area Fig.

8 Maximum Drain Current vs Case Temperature 图9. 瞬态热响应曲线(TO-251/TO-252) Fig.

9 Transient Thermal Response Curve (TO-251/TO-252) 图9. 瞬态热响应曲线(TO-220) Fig.

9 Transient Thermal Response Curve (TO-220) 图10. 瞬态热响应曲线(TO-220F) Fig.

10 Transient Thermal Response Curve (TO-220F) 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

7 /11 http://www.jsdgme.com 测试电路及波形 TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS 图11. 开关特性测试 Fig.11 Resistive Switching Test Circuit & Waveforms 图12. 栅电荷测试 Fig.12 Gate Charge Test Circuit & Waveform 图13. 雪崩能量测试 Fig.13 Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

8 /11 http://www.jsdgme.com 封装尺寸 TPACKAGE MECHANICAL DATA TO-251 TO-252 DIM MILLIMETERS DIM MILLIMETERS A 2.2±0.5 H 1.8±0.5 B 5.2±0.25 I 0.8±0.05 C 5.3±0.25 J 0.508±0.015 D 4.5±0.5 K 2.3±0.25 E 6.3±0.25 L 0.5±0.1 F 2.3±0.05 M 0.508±0.015 G 0.6±0.05 N 7.5±0.5 DIM MILLIMETERS DIM MILLIMETERS A 2.2±0.5 I 0.8±0.05 B 5.2±0.25 J 0.508±0.015 C 5.3±0.25 K 2.3±0.25 D 4.5±0.5 L 0.5±0.1 E 6.3±0.25 M 0.508±0.015 F 2.3±0.05 N 1.5±0.25 G 0.6±0.05 O 1.0±0.25 H 0.7±0.5 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

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10 /11 http://www.jsdgme.com 产品标记说明 Product labels 修改履历 Revision History 修改时间 Date 修改内容Content modification 旧版本Last Rev. 新版本New Rev. 注意事项 Note

1、 在应用中,如果超出最大额定值使用势必会导致器件损伤,甚至造成永久失效,这将影响到整机 系统的可靠性.建议在器件的80%最大额定值范围内使用.

2、 在安装散热片的时候,请注意扭矩及散热片的平整度.

3、 VDMOS是静电敏感型器件,在使用过程中需要采取必要的保护措施,以防器件遭受静电损伤.

4、 本说明书如有版本变更不另行通知. 1. Exceeding the maximun ratings of the device in performance may cause damage to the device , even the permanent failure, which may affect the dependability of the machine. It is suggested to be used under

80 percent of the maximun ratings of the device. 2. When installing the heatsink , please pay attention to the torsional moment and the smoothness of the heatsink. 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

11 /11 http://www.jsdgme.com 3. VDMOSFETs is the device which is sensitive to the static electricity , it is necessary to protect the device from being damaged by the static electricity when using it. 4. This publication is made by Dongchen Electronics and subject to regular change without notice.