PDF《先进材料研究中心》

且由于底部填充材料固化后具有 一定的耐热耐化学性能,若芯片倒装后出现缺陷,需更换整 个电子元器件,从而造成资源浪费.另外随着芯片尺寸和间 距的减小, 迫切需要开发出适用于窄间距的底部填充料和填 充技术. 中国科学院深圳先进技术研究院在广东省创新团队 项目的支持下, 围绕高密度倒装芯片底填料开展了大量的研 究工作,取得的研究成果包括:从材料源头做起,开发出适 用于倒装芯片底部填充料的高品质无机填料二氧化硅;

底部 填充料的材料复合工艺和物理、机械性能分析方法;

国内外 市场典型底部填充料的性能分析, 并为在不同用途和不同填 充方式下应用的底部填充料提出了复配工艺和相关技术参 数指标. 为了满足电子产品小型化的需求, 埋入式无源器件技术由于 高集成度、高可靠性及低制造成本,目前正逐步地应用于无 线通讯终端及其他小型化电子产品中, 以替代大量使用的表 面贴装无源器件.本研究中心以市场需求为导向,开发了一 系列高介电和具有一定磁导率的薄膜介质覆铜板材料, 并基 于这些埋入式功能材料开发出了一系列内埋入 PCB 基板的 低通和带通滤波器.其中低通滤波器的封装尺寸小于 4mm?4mm, 通频带 DC-2600MHz 内插损 loss?1dB.其性能可 以与基于 LTCC 技术的 VLF-2600 滤波器媲美.带通滤波器 封装尺寸小于 5mm?5mm,通频带宽 60MHz-300MHz、中心频率 可以很方便地在 180MHz-1GHz 的频率范围内调节,其带内 插损 loss?3dB, 带阻特性好,可用于小型化基站的 TRX 电路.

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