PDF《BL6523GX》

6 VREF 参考电压端,片内基准电压标称值 2.5?8%,温度系数典型值为 5ppm/?C.外部参考源可以接在这个管脚上.另外,该管脚需要使用 1uF 的陶瓷电容消除对地耦合.

7 GND 内部模拟电路参考地. 这个管脚应该绑定到模拟接地板上或是系统中 最为稳定地静态地,此静态地使用在所有的模拟电路中,为了将芯片 中地信号中的噪声降至最低, 静态地平面只能在一点上连接数字地平 面.

8 /RST 芯片复位信号输入,低电平有效.

9 CF 校验脉冲输出脚,此管脚给出了有功功率的信息,这个输出可用来较 表,满刻度下的输出频率可以通过 WA_CFNUM 来调整.在计量小功 率时,CF 定脉宽为 90ms.当计量大功率时,CF 输出周期小于 180ms 时,CF 的脉宽为周期的一半.

10 CLKOUT 晶振可以通过该管脚和 CLKIN 管脚一起为芯片提供时钟,当外部时 钟和晶振被引入时,该管脚可以驱动一个 CMOS 负载.

11 CLKIN 内部模拟电路及数字处理电路的主时钟,可引入外部时钟.晶振可并 联在 CLKIN 和CLKOUT 上为芯片提供时钟源, 时钟频率为 3.58MHz. 22pF 和33pF 间的陶瓷负载电容可以使用在晶振电路中.

12 GND 内部模拟电路参考地.

13 TX 串行接口的数据输出端.

14 RX 串行接口的数据输入端.RX 管脚复用/RST 复位功能

15 VDD 正电源(+5V) ,提供模拟部分电源,正常工作时电源电压应该保持在 +4.5V~5.5V 之间. BL6523GX 单相多功能电能计量芯片 上海贝岭股份有限公司

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33 V1.11 上海市宜山路

810 号021-24261000 2. 封装尺寸 SOP16 3. 极限范围 (T =

25 ℃) 项目 符号 极值 单位 电源电压 VDD VDD -0.3 ~ +7 V 模拟输入电压(相对于 GND) IAP、IBP、VP -6 ~ +6 V 数字输入电压(相对于 GND) RX -0.3 ~ VDD+0.3 V 数字输出电压(相对于 DGND) CF、TX -0.3 ~ VDD+0.3 V 工作温度 Topr -40 ~ +85 ℃ 贮藏温度 Tstr -55 ~ +150 ℃ 功耗(SSOP24) P

80 mW 4. 电参数 (VDD = 5V,GND=0V,片上基准电压源,3.58MHz 晶振,25℃) 测量项目 符号 测量条件 测量点 最小 典型 最大 单位 有功功率测量误 差 (绝对误差) WATT_err 6000:1 输入动态 范围 CF 0.1 0.3 % 有功功率测量跳 动 (大信号) Δ Ib Ib=5A 输入,测试2圈平均 CF 0.006 0.01 % 有功功率测量跳 动 (小信号) Δ 0.02%Ib 0.02%Ib 输入, 测试

1 圈CF 0.1 0.2 % 通道间相角引起 测量误差(容性) PF08err 相位超前

37 (PF=0.8) 0.5 % 通道间相角引起 测量误差(感性) PF05err 相位滞后

60 (PF=0.5) 0.5 % AC 电源抑制 (输 出频率幅度变化) ACPSRR IP/N=100mV 0.01 % BL6523GX 单相多功能电能计量芯片 上海贝岭股份有限公司

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810 号021-24261000 DC 电源抑制 (输 出频率幅度变化) DCPSRR VP/N=100mV 0.1 % 电压有效值测量 精度(相对误差) VRMSerr 0.4%Ib~12Ib input DR 0.3 % 电流有效值测量 精度(相对误差) IRMSerr 0.4%Ib~12Ib input DR 0.3 % 模拟输入电平 差分输入 (峰值)

1200 mV 模拟输入阻抗

370 kΩ 模拟输入带宽 (-3dB)

14 kHz 模拟输入增益误 差 外部 2.5V 基准 电压 -4 +4 % 模拟输入相间增 益匹配误差 外部 2.5V 基准 电压 -1.5 +1.5 % 内部电压基准 Vref VREF 2.5 V 基准偏差 Vreferr ±200 mV 温度系数 TempCoef

5 15 ppm/℃ 逻辑输入高电平 VDD=5V±5% 2.6 V 逻辑输入低电平 VDD=5V±5% 0.8 V 逻辑输出高电平 VDD=5V±5%

4 V 逻辑输出低电平 VDD=5V±5%

1 V 电源 VDD VDD 4.5 5.5 V AIDD IAVDD VDD=5.25V

3 mA DIDD IDVDD VDD=5.25V