PDF《应用笔记》

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1 时间 由图1-1明显看出,当到达P点的时候,整个电子市场将濒临瓦解,因此,电子市场采取措施以改善 电子系统的电磁兼容(EMC)是必要的,这样才能使P点落到无穷的时间线上. 应用笔记 U16935CA1V1AN00

9 第1章 绪论 1.2 缩写词列表 A Amplitude(振幅) APP Amplitude, peak-to-peak(峰峰值) ARMS Amplitude, root-mean-square(振幅,方均根) E Amplitude of E-field(电场幅值) f Frequency(频率) l Length, e.g. of a wire(长度,例如导线) r Distance, e.g. from a noise source (距离,例如躁声源) tF Fall time(下降时间) tR Rise time(上升时间) ZO Wave impedance in far-field, constant of 377(远场波阻抗,常数为377) ? Wavelength(波长) ? Equals 2? ? ? f( 等效为2? ? ? f) VSS Ground potential(地电势) VDD Power supply(电源) S Space(空间)

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第二章 背景电磁兼容性(EMC)主要包括两个相类似的问题,这两个问题仅是相对而言的.电磁辐射(EME)描 述的是器件在测试(DUT)的情况下是躁声源,而电磁敏感性(EMS)描述的是器件在DUT的情况下是躁 声受害者.根据NEC电子(欧洲)有限公司(以下简称NEC EE)的经验,客户的主要EMC需求是EME问题,因此本应用笔记主要叙述EME的相关问题.不过,反过来考虑,这里的叙述的大部分措施也是适用EMS 的. 2.1 直接半导体远场辐射 电磁辐射可能或辐射或传导,后者为噪声电压或电流噪声. 一般来讲,半导体器件是 EME 的来源, 如微控制器.众所周知,越接近噪声源,电磁辐射的对策越廉价.由于大部分标准的 EME 辐射测量是用远 场(r>

? )定义的,所以本应用笔记以半导体器件的直接辐射为开端介绍远场. 流过电线的任何电流都会引起远场辐射,为了得到可接受的半导体辐射的最差情况,具有极端参数的 平直导线(赫兹偶极子)和电流环路应按下列公式计算: 2.1.1 平直导线(赫兹偶极子) 在自由空间(周围无导电材料)里,据[1]最高电场'

E'

在距离为'

R'

、电流为'

i'

、波长为 '

? '

、流导线长为'

L'

情况下可以按下式计算: Z0 ? i ? l E =

2 ? r ? ? ? ? ? 例如: 根据 IEC61967C4 标准,展示了典型的器件在 20dB?A(10?A )、100MHZ(?= 3m)条件下的地电 流.假定此电流经过 10mm 长的独立导线,并且返回电流离(无赔偿远场)此电场在 10m 之外,计算如下: E = 377?

10 ?A ? 0.01m / (2 ?

10 m ?

3 m) ? 0.5 ?V/m ? -

6 dB?V/r 上面是近似极端的假设,实际直接辐射装置应远低于-6 dB?V/m. 很明显,和普通器件辐射的强度相 比,片内导线的直接器件辐射可以忽略不计.

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第二章 背景 Background 2.1.2 电流环路 据[1]最高电场'

E'

在距离为'

R'

、电流为'

i'

、波长为'

? '

、环路面积为'

S........