PDF《AN96614》

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cypress.com 文档编号:001-98304 版本**

1 AN96614 将SPI EEPROM 替换为赛普拉斯的 SPI F-RAM? 作者:Shivendra Singh 相关项目:无 相关器件系列:SPI F-RAM 软件版本:无 相关应用笔记:AN

304、AN87352 要想获得本应用笔记的最新版本,请访问 www.cypress.com/go/AN96614. AN96614 介绍了将 SPI EEPROM 替换为赛普拉斯可靠性高且节能的 SPI F-RAM 解决方案时需要考虑的各种优点和差 异. 目录

1 简介

1 2 SPI F-RAM 比EEPROM 的优势

2 2.1 更快的存储器

2 2.2 更简单设计.2 2.3 数据安全性.2 2.4 其他性能:2

3 将SPI EEPROM 替换为 SPI F-RAM

2 3.1 引脚和封装兼容性

2 3.2 指令(操作码)兼容性.4 3.3 状态寄存器的兼容性

5 3.4 Hold 兼容性.6 3.5 参数兼容性.7

4 固件兼容性

8 4.1 EEPROM 中的多个页面与 F-RAM 中的单页面

8 4.2 页面写延迟.9 4.3 状态寄存器中的RDY /WIP 位.9

5 总结

10 6 相关文档.10 6.1 应用笔记

10 文档修订记录.11 全球销售和设计支持.12

1 简介 EEPROM 通常用于系统数据的非易失性存储.然而,由于 EEPROM 的非易失性写入速度慢以及写耐久性有限,因此 会限制在系统中使用 EEPROM(这些系统需要以总线速度对非易失性存储器进行写入操作).许多系统设计尝试通过 使用耗损均衡技术来提高有效耐久性来解决与 EEPROM 相关联的问题,但这样会增大 EEPROM 容量和软件开销.其 他保存关键系统数据的备用方法是将数据存储在暂存器 RAM 内,然后通过备用电源在断电时将已存储的数据传输到非 易失性存储器(如EEPROM 或闪存)内.这两种方法的效率都很低,因为它们需要的组件、电路板空间、硬件设计复 杂性和软件开销都不占优势. 赛普拉斯的 SPI F-RAM 是采用先进铁电过程的串行、非易失性存储器.它是世界上最节能的高性能、高可靠性的非易 失性 RAM 解决方案.赛普拉斯的 SPI F-RAM 适用于工业和汽车级的温度范围. 赛普拉斯的 F-RAM 产品具有快速随机访问 SRAM 存储器单元,提供了高达

1014 次的读/写次数(几乎相当于无限次数 的读写耐久性).与EEPROM 相比,该次数量提高了好几个数量级.与串行 EEPROM 和闪存存储器不同,F-RAM 可 以以总线速度执行写操作而不会引起任何写延迟(NoDelay?).数据可以被直接写入到 F-RAM 阵列内,而且在进行 后续访问之前不需要检查器件是否就绪便可以立即启动新的总线周期. 将SPI EEPROM 替换为赛普拉斯的 SPI F-RAMTM www.cypress.com 文档编号:001-98304 版本**

2 串行 SPI F-RAM 器件可以替换标准的 SPI EEPROM 器件.本应用笔记介绍了工业标准 SPI EEPROM 和赛普拉斯 SPI F-RAM 解决方案之间的差异.将基于 SPI EEPROM 的解决方案替换为赛普拉斯的 SPI F-RAM 解决方案时,需要考虑 这些差异.本应用笔记在进行比较过程中参考了 M95M01 和AT256B SPI EEPROM 数据手册. 更多有关 SPI F-RAM 设计的信息,请参考应用笔记 AN304 ― F-RAM?的SPI 指南. 欲了解串行赛普拉斯 F-RAM 比串行 EEPROM 的优势,请参考应用笔记 AN87352 ― 用于智能电子仪表的 F-RAM?.

2 SPI F-RAM 比EEPROM 的优势 2.1 更快的存储器 ? 随机访问:不需要进行任何页读/写操作. ? 以总线速度写入到整个存储器,对每一页进行写操作后不存在任何内部页面程序延迟. 2.2 更简单设计 ? 与EEPROM 不同,不需要用于管理页边界的软件. ? 无限次数(1014 )的读/写耐久性不需要耗损均衡技术 ? 在工业标准封装中提供 2.3 数据安全性 ? 高级高可靠性的铁电工艺 ? 不需要用于存储最新数据的电池或电容备用 2.4 其他性能: ? 赛普拉斯 F-RAM 是世界上最节能的快速非易失性 RAM ? 在65 ?C 温度下,数据保留时间为