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151 年?无铅技术

3 将SPI EEPROM 替换为 SPI F-RAM 赛普拉斯的 SPI F-RAM 器件具有两种工业标准的包装类型:8 引脚 SOIC 和8引脚 DFN.这些标准灵活的封装选项使 赛普拉斯的 SPI F-RAM 能够替换封装相同的大多数 EEPROM,并不会影响系统性能.另外,赛普拉斯的 F-RAM 解决 方案提供了多项优势功能,如更高的数据吞吐量、无延迟(NoDelayTM )的写操作和节能操作. 下面的内容重点介绍了 SPI EEPROM 和SPI F-RAM 之间重要的差异和兼容性. 3.1 引脚和封装兼容性 在引脚和封装方面,赛普拉斯的 SPI F-RAM 与SPI EEPROM 相兼容.表1显示的是引脚的映射情况,表2显示的是 对SPI EEPROM 和SPI F-RAM 封装的比较. 表1. SPI EEPROM 和SPI F-RAM 之间的引脚映射情况 引脚说明 引脚名称 SPI EEPROM 赛普拉斯的 SPI F-RAM 芯片选择 SS ???? / S ? / CS ???? CS ???? 串行时钟 C/SCK SCK 串行数据输入 D/SI SI 串行数据输出 Q/SO SO 写保护 W ? / WP ????? WP ????? 保持 HOLD HOLD 供电电源 VCC/VDD VDD 接地 VSS/GND VSS 将SPI EEPROM 替换为赛普拉斯的 SPI F-RAMTM www.cypress.com 文档编号:001-98304 版本**

3 表2. SPI EEPROM 与SPI F-RAM 封装比较 特性/功能 SPI EEPROM SPI F-RAM 注释 DFN 裸露焊盘 无连接 无连接 F-RAM

8 引脚 DFN 封装上的裸露焊盘是无连 接(NC)焊盘,因此,它将处于悬空状态或 者连接到 VSS/VDD. 赛普拉斯不建议将 F-RAM DFN 裸露焊盘焊接 在PCB 上. 封装选项

8 引脚 DFN、

8 引脚 SOIC(150 mil)、

8 引脚 SOIC(208 mil)、

8 引脚 PDIP、

8 引脚 TSSOP、

8 引脚 dBGA、

8 引脚 UDFN、 8-WLCSP、

8 引脚 MSOP

8 引脚 DFN、

8 引脚 SOIC(150 mil)、

8 引脚 SOIC(208 mil) 可使用 SPI F-RAM 替换 EEPROM 的标准

8 引脚DFN 和8引脚 SOIC 封装. 其他 SPI EEPROM 封装与 SPI F-RAM 不兼 容,因此需要更改 PCB. 图1. SPI F-RAM

8 引脚 DFN(4 mm * 4.5 mm * 0.75 mm)封装外形 由于 SPI F-RAM 裸露焊盘未连接芯片(die),因此它处于悬空状态.将SPI EEPROM 替换为 SPI F-RAM 时,请不 要将 SPI F-RAM DFN 封装的裸露焊盘焊接在 PCB 上.否则会使 SPI F-RAM 的裸片(die)暴露在过高的温度中,从 而导致位故障和容限损失. 裸露焊盘 将SPI EEPROM 替换为赛普拉斯的 SPI F-RAMTM www.cypress.com 文档编号:001-98304 版本**

4 3.2 指令(操作码)兼容性 表3显示的是 SPI EEPROM 和SPI F-RAM 支持的操作码.EEPROM 单元操作专用操作码,如RDID(ABh)、PE0 (42h)和SE0(D8h)(表3中所示)是用于 SPI F-RAM 的指令,无需关注这些指令;

SPI F-RAM 在执行期间会忽 略这些指令.如果应用使用这些特性,SPI F-RAM 不能替换拥有这些特性的 SPI EEPROM. 表3. 操作码比较 指令操作码 (十六进制) 指令说明 SPI EEPROM SPI F-RAM 注释 WREN (06h) 置位写使能锁存 √ √ 功能相同. WRDI (04h) 复位写入使能锁存 √ √ RDSR (05h) 读状态寄存器 √ √ WRSR (01h) 写状态寄存器 √ √ 优点: 对状态寄存器进行写操作后,F-RAM 不需 要经过

5 ms 的非易失性写延迟. WRITE (02h) 读取存储器数据 √ √ 功能相同. WRITE (02h) 写入存储器数据 √ √ 优点: SPI EEPROM 突发写入操作中的地址计数 器在 EEPROM 页边界上被翻转.在写入每 个字节/页面后,EEPROM 需要经过

5 ms 的非易失性写延迟. SPI F-RAM 突发写操作允许以总线速度对 整个存储器进行写操作,而不需要任何写 延迟.该地址计数器在最后的存储器地址 被翻转. FSTRD (0Bh) 快速读取存储器数据 X √ 不受 EEPROM 的支持 SLEEP (B9h) 进入睡眠模式 √ √ 功能相同 RDID (9Fh) 读取器件 ID X √ 不受 EEPROM 的支持 SNR (C3h) 读取序列号 X √ RDID (ABh) 从深度掉电模式中释放 (不提供作为标准指令) √ X 这些指令不是标准的 SPI EEPROM 指令. 这些指令仅受特定 EEPROM 的支持, 不受 SPI F-RAM 的支持. PE0 (42h) 页面擦除 √ X SE0 (D8h) 扇区擦除 √ X RDID (83h) 读取标识的专用页面 √ X WRID (82h) 编写标识的专用页面 √ X RDLS (83h) 读取标识页面的锁存状态 √ X LID (82h) 将标识页面设置为只读模式 √ X 将SPI EEPROM 替换为赛普拉斯的 SPI F-RAMTM www.cypress.com 文档编号:001-98304 版本**