编辑: 阿拉蕾 | 2013-05-09 |
可控硅.com IEC 标准中用来表征晶闸管、二极管性能、特点的参数有数十项,但用户经常用到的有十项左右,本 文就晶闸管、二极管的主要参数做一简单介绍. 1.正向平均电流 IF(AV)( 整流管) 通态平均电流 IT(AV)( 晶闸管) 是指在规定的散热器温度 THS 或管壳温度 TC 时,允许流过器件的最大正弦半波电流平均值.此时,器件的 结温已达到其最高允许温度 Tjm.台基公司产品手册中均给出了相应通态电流对应的散热器温度 THS 或管壳 温度 TC 值,用户使用中应根据实际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件. 2.正向方均根电流 IF(RMS)( 整流管) 通态方均根电流 IT(RMS)( 晶闸管) 是指在规定的散热器温度 THS 或管壳温度 TC 时,允许流过器件的最大有效电流值.用户在使用中,须保证 在任何条件下,流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值. 3.浪涌电流 IFSM(整流管)、ITSM(晶闸管) 表示工作在异常情况下,器件能承受的瞬时最大过载电流值.用10ms 底宽正弦半波峰值表示,台基公 司在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许结温下,施加 80% VRRM 条件下的测试值.器件在 寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的,用户在使用中应尽量避免出现过载现象. 4.断态不重复峰值电压 VDSM 反向不重复峰值电压 VRSM 指晶闸管或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压,一般用单脉冲测试防止器件损坏.用 户在测试或使用中,应禁止给器件施加该电压值,以免损坏器件. 5.断态重复峰值电压 VDRM 反向重复峰值电压 VRRM 是指器件处于阻断状态时,断态和反向所能承受的最大重复峰值电压.一般取器件不重复电压的 90% 标注(高压器件取不重复电压减 100V 标注).用户在使用中须保证在任何情况下,均不应让器件承受的 实际电压超过其断态和反向重复峰值电压. 6.断态重复峰值(漏)电流 IDRM 反向重复峰值(漏)电流 IRRM 晶闸管、二极管主要参数及其含义 *更多电力电子技术参数及其含义请咨询北京时代北方半导体技术部 010-57197891 为晶闸管在阻断状态下,承受断态重复峰值电压 VDRM 和反向重复峰值电压 VRRM 时,流过元件的正反向 峰值漏电流.该参数在器件允许工作的最高结温 Tjm 下测出. 7.通态峰值电压 VTM(晶闸管) 正向峰值电压 VFM(整流管) 指器件通过规定正向峰值电流 IFM(整流管)或通态峰值电流 ITM(晶闸管)时的峰值电压,也称峰值压降.该 参数直接反映了器件的通态损耗特性,影响着器件的通态电流额定能力. 器件在不同电流值下的的通态(正向)峰值电压可近似用门槛电压和斜率电阻来表示: VTM=VTO+rT*ITM VFM=VFO+rF*IFM 台基公司在产品手册中给出了各型号器件的最大通态(正向)峰值电压及门槛电压和斜率电阻,用户需要 时,可以提供该器件的实测门槛电压和斜率电阻值. 8.电路换向关断时间 tq(晶闸管) 在规定条件下,在晶闸管正向主电流下降过零后,从过零点到元件能承受规定的重加电压而不至导通 的最小时间间隔.晶闸管的关断时间值决定于测试条件,台基公司对所制造的快速、高频晶闸管均提供了 每只器件的关断时间实测值,在未作特别说明时,其对应的测试条件如下: l 通态峰值电流 ITM 等于器件 ITAV;