PDF《晶闸管、二极管主要参数及其含义》

l 通态电流下降率 di/dt=-20A/μs;

l 重加电压上升率 dv/dt=30A/μs;

l 反向电压 VR=50V;

l 结温 Tj=115°C. 如果用户需要在某一特定应用条件下的关断时间测试值,可以向我们提出要求. 9.通态电流临界上升率 di/dt(晶闸管) 是指晶闸管从阻断状态转换到导通状态时,晶闸管所能承受的通态电流上升率最大值.器件所能承受 的通态电流临界上升率 di/dt 受门极触发条件影响很大,因此我们建议用户应用中采用强触发方式,触发 脉冲电流幅值:IG≥10IGT;

脉冲上升时间:tr≤1μs. 10.断态电压临界上升率 dv/dt 在规定条件下,不会导致晶闸管从断态转换到通态所允许的最大正向电压上升速度.台基公司产品手册中 给出了所有品种晶闸管的最小 dv/dt 值,当用户对 dv/dt 有特殊要求时,可在订货时提出. 11.门极触发电压 VGT 晶闸管、二极管主要参数及其含义 *更多电力电子技术参数及其含义请咨询北京时代北方半导体技术部 010-57197891 门极触发电流 IGT 在规定条件下,能使晶闸管由断态转入通态所需的最小门极电压和门极电流.晶闸管开通过程中的 开通时间、开通损耗等动态性能受施加在其门极上的触发信号强弱影响很大.如果在应用中采用较临界的 IGT 去触发晶闸管,将不能让晶闸管得到良好的开通特性,某些情况下甚至会引起器件提前失效或损坏.因 此我们建议用户应用中采用强触发方式,触发脉冲电流幅值:IG≥10IGT;

脉冲上升时间:tr≤1μs.为了 保证器件可靠工作,IG 必须远大于 IGT. 12.结壳热阻 Rjc 指器件在规定条件下,器件由结至壳流过单位功耗所产生的温升.结壳热阻反映了器件的散热能力, 该参数也直接影响着器件的通态额定性能.台基公司产品手册中对平板式器件给出了双面冷却下的稳态热 阻值,对半导体功率模块,给出了单面散热时的热阻值.用户须注意,平板式器件的结壳热阻直接受安装 条件的影响,只有按手册中推荐的安装力安装,才能保证器件的结壳热阻值满足要求. 关键字:晶闸管参数,二极管参数,正向平均电流,通态平均电流,正向方均根电流,通态方均根电流, 浪涌电流,断态不重复峰值电压,反向不重复峰值电压,通态峰值电压 关键字:晶闸管参数,二极管参数,正向平均电流,通态平均电流,正向方均根电流,通态方均根电流, 浪涌电流,断态不重复峰值电压,反向不重复峰值电压,通态峰值电压,断态电压临界上升率 dv/dt