编辑: AA003 2013-09-10

249 %室温隧穿磁阻比率, 低到

7 的电阻面积矢量积以及相对小的临界翻转电流密度. 此外通过计算,我们发现发现单层钨可以使得结构发生共振隧穿使得结构具有更高的隧穿磁阻比率.总的来说,我们首次在 钨插入层垂直磁性隧道结中实现了纯电流驱动磁矩翻转, 实验结果及理论分析都得出单层钨对高性能垂直磁性隧道结意义重 大,将对新型超高隧穿磁阻 STT-MRAM 的研发奠定了基础. D06-03 三维闪存存储器电荷存储层的可靠性研究(Invited)

1 陈杰智

1 ,武继璇

1 ,姜向伟

2 1.山东大学 信息科学与工程学院 2.中国科学院半导体研究所 随着大数据等新兴技术的迅速发展,存储分析的信息量需求正在爆炸式地增长.为克服器件尺寸缩小所面临的物理极 限, 继续提高集成密度, 三维立体闪存存储器已逐步取代二维平面闪存存储器成为未来十几年大容量非挥发存储器的主流产 品形态.本文将从系统回归材料全面讲述目前三维 NAND 闪存存储器的可靠性问题,并重点探讨了三维电荷俘获型 NAND 闪存存储器中与数据保持特性密切相关的电荷扩散的物理机制. 在利用第一型原理计算方法研究电荷存储层中氢原子和氧原 子相关各种缺陷的基础之上,我们发现虽然可以通过氢工艺优化来降低浅能级缺陷的存在几率,但要有效抑制写/擦除循环 期间产生的浅能级缺陷却需要新的工艺途径和方法. D06-04 基于离子注入的空位调制相变存储材料(Oral) 王勇 1,2 ,宋三年

1 ,宋志棠

1 1.上海微系统与信息技术研究所 2.中国科学院大学 在过去的

20 年里,相变存储器技术获得了飞速的发展,其中以 GeTe-Sb2Te3 伪二元线上的材料研究最为广泛.近几年 来,Sb2Te3 基材料的研究成为热点,我们已有的研究表明 Sb2Te3 存在低温下大量空位随机分布的亚稳态面心立方相,在较 低的温度下,就可以发生空位有序化,完成面心立方相向六方相的转变.由于 Sb2Te3 较差的非晶态热稳定性,通过物理气 相沉积获得的沉积态薄膜就已经是晶态(面心立方相).因此我们提出了一种空位调控机制,利用惰性气体 Ar 对沉积态的 Sb2Te3 薄膜进行离子注入,使得沉积态 Sb2Te3 薄膜中的空位重新分布.通过不同剂量的 Ar 离子注入我们获得了不同电阻 率的非晶态 Sb2Te3 材料,我们发现在注入剂量达到 1*1016 cm-2 以后,继续提高注入剂量对薄膜电阻率的影响可以忽略.通 过离子注入后,使得亚稳态的面心立方相向六方相的转变温度提高,有利于提高器件的功耗和疲劳特性.基于 Ar 离子注入 剂量为 1*1016 cm-2 的Sb2Te3 相变材料存储单元可以在

100 ns 完成擦写操作,表现出低功耗的潜力.我们这份工作为以后的 缺陷调控在相变存储器研究领域的应用提供了一种新的思路和方法. D06-05 超薄薄膜表界面的电荷行为(Invited) 张小娴 国家纳米科学中心 在固态材料中,界面电荷行为比如电荷转移、离子输运等是非常重要的过程.这里我们将介绍我们在一些超薄薄膜体 系中界面电荷运动的研究进展.首先,通过结合实验结果和计算,我们发现有机半导体,特别是超薄有机半导体(几纳米厚 度)的界面电荷转移会对半导体进行有效的掺杂,在费米能级附近引入新的杂质态,从而影响载流子的输运进而影响热电效 应. 同时, 我们还实现了微观尺度对忆阻器中氧离子运动的原位探测, 从而首次从实验上澄清了氧空位导电细丝的运行机制. 该研究方法充分的结合了离子的电荷和质量两种属性, 为固体中离子的运动提供了一种高精度的普适的方法, 可以广泛的应 用在固态体系如锂电池、太阳能电池、传感器等,为这些体系中离子相关的微观过程的深入理解提供新的研究思路. D06-06 锰氧化物薄膜表面轨道调控导致的磁性增强效应(Oral) 彭晶晶 中国航发北京航空材料研究院 锰氧化物具有高的自旋极化率、高的居里温度、庞磁阻效应等特性,因而是最有希望应用于氧化物自旋电子学器件的 材料.然而,锰氧化物薄膜的磁性衰退成为限制其运用的瓶颈.锰氧化物的磁性衰退主要是指铁磁锰氧化物薄膜在临界厚度 以下转变为反铁磁甚至无磁状态.之前关于此问题的研究都集中在界面而忽略了表面的重要作用.值得指出的是,表面对于 超薄薄膜具有重大的影响.锰氧化物表面存在着由于氧原子缺失(表面对称性破坏)导致的面外 3z2 C r2 轨道择优占据,其 被证明能削弱面内铁磁耦合作用. 本论文采用在 LaMnO3 薄膜上覆盖 SrTiO3 层的方式, 使其表面的 3z2?r2 轨道变为界面的

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