编辑: ok2015 | 2019-08-02 |
1.项目名称――指项目立项批复时的名称, 应不超过30 个字 (两个英文字段作一个汉字) . 2.建设地点――指项目所在地详细地址,公路、铁路应填写起止地点. 3.行业类别――按国标填写. 4.总投资――指项目投资总额. 5.主要环境保护目标――指项目区周围一定范围内集中居民住宅区、学校、医院、保护文 物、风景名胜区、水源地和生态敏感点等,应尽可能给出保护目标、性质、规模和距厂界距离 等. 6.结论与建议――给出本项目清洁生产、达标排放和总量控制的分析结论,确定污染防治 措施的有效性,说明本项目对环境造成的影响,给出建设项目环境可行性的明确结论.同时提 出减少环境影响的其他建议. 7.预审意见――由行业主管部门填写答复意见,无主管部门项目,可不填. 8.审批意见――由负责审批该项目的环境保护行政主管部门批复.
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一、建设项目基本情况 项目名称 紫光南京集成电路基地项目一期 建设单位 南京紫光存储科技有限公司 法人代表 赵伟国 联系人 陈炜宁 通讯地址 江苏省南京市浦口区桥林街道步月路
29 号12 栋-226 号 联系电话 010-57850888 传真 ―― 邮政编码
211805 建设地点 南京浦口区江北新区桥林新城,紫峰路以西,林中路以北,听莺路以南,云杉路 以东 立项审批 部门 南京市浦口区发展和改革局 批准文号 浦发改备[2017]199 号 建设性质 新建改扩建 技改 行业类别 及代码 C397 电子器件制造 占地面积 (平方米) 395914.25 绿化面积 (平方米) 71858.4 总投资 (万元)
7000000 其中:环保投 资(万元)
19080 环保投资占总 投资比例 0.27% 评价经费 (万元) 预期投产日期 第一阶段:2020 年5月第二阶段:2021 年5月原辅材料(包括名称、用量)及主要设施规格、数量(包括锅炉、发电机等) 原辅材料及主要设备情况详见第2页. 水及能源消耗量: 名称 消耗量 名称 消耗量 水(吨/天)
34989 燃油(吨/年) ― 电(千瓦时/年)
120000 燃气(万标立方米/年) 146.87 燃煤(吨/年) ― 蒸汽(吨/年) ― 废水(工业废水 、生活废水 )排水量及排放去向 建设项目实行 雨污分流 制,雨水经水管网收集后排入市政雨.工艺酸碱废水、含氨废水、 含氟废水、研磨废水、含铜废水及纯水系统再生废水及其他各类预处理后工艺废水,一共 28962m3 /d 进入厂内相应废水处理系统处理达标后,汇总接管排入处理后,汇总接管排入南京浦 口经济开发区工业废水处理厂二期(在建,为本项目配建)集中处理;
食堂废水经隔油后,与 其它生活污一道共 305m3 /d 经厂内化粪池预处理后达接管要求接管排入桥林污水处理厂集中. 放射性同位素和伴有电磁辐射的设施的使用情况 项目生产过程中会使用有辐射的设备,该部分内容另行评价. √ √
2 原辅材料及主要设备
1、原辅材料 本项目生产所需的主要原辅材料及年用量见表 1,各原辅材料理化性质见专项. 表1 主要原辅材料及年用量一览表 涉及商业秘密,不予公示.
2、主要设备 本项目
12 英寸集成电路生产为当今国际领先的技术, 主要设备都由国外进口, 全厂生 产设备共 2730(台/套) ,具体工艺设备清单详见下表. 表2 主要设备和仪器一览表 涉及商业秘密,不予公示. 工程内容及规模:(不够时可附另页)
1、项目概况 1.1 单位简介 紫光南京集成电路基地项目一期(以下简称 本项目 )将由紫光集团有限公司注册成 立子公司――南京紫光存储科技有限公司负责建设及运营.由紫光集团有限公司及其下属 子公司提供资金、技术、人才支持. 紫光集团有限公司是清华大学国有资产管理公司――清华控股有限公司旗下的大型骨 干企业之一.从2013 年7月至
2015 年6月的两年时间内,紫光集团连续完成三次国际并 购和一次外资入股:斥资 18.7 亿美元和 9.07 亿美元连续收购美国纳斯达克上市公司展讯通 信和锐迪科微电子,成为世界第三大手机芯片企业;
与全球半导体巨头英特尔公司达成战 略合作,英特尔向紫光集团旗下持有展讯通信和锐迪科微电子的控股子公司投资人民币
90 亿元(约15 亿美元) ,并获得该控股子公司 20%的股权;
斥资
25 亿美元收购原惠普旗下新 华三集团 51%股权,成为中国排名第
一、世界排名第二的网络产品与服务领军企业.2016 年,紫光控股上海宏茂微电子公司,布局集成电路封装测试领域.同时,2016 年紫光控股 武汉长江存储有限公司,并在成都、南京陆续签约落地总投资额近
1000 亿美元的存储芯片 与存储器制造工厂,全面构筑从 芯 到 云 的信息产业生态系统. 1.2 项目特点 本项目在江苏省南京市浦口经济开发区建设紫光南京集成电路基地项目一期,是紫光
3 集团的第
2 条存储芯片生产线.本项目的产品方案是生产 3D NAND Flash 储存器芯片,其中3D NAND 切入点选择为 4X nm
64 层堆叠的 3D NAND 产品,逐年实现 256Gb、512Gb、 1Tb 闪存芯片及模组产品包括:SSD、eMMC、eMCP、存储卡等的产业化,达到或接近国 际同类产品的技术指标. (1)本项目产品聚焦在 3D NAND Flash 储存器芯片.存储器是全球主要集成电路产 业后进入者实现跨越发展的切入点,当前存储器正处于技术变革的转折期,为我国打破主 流存储器领域空白、实现跨越发展提供了难得的战略机遇期.因此,抓住产业发展的 窗口 机遇期,加紧产业布局,解决存储器供应链安全、产业安全问题,实现存储器安全可 控、保障国家信息安全的任务十分急迫. (2)本项目属于典型工业生产项目.本项目采用热氧化、物理气相沉积、化学气相沉 积、快速升降温、光刻离子注入、铜制程、化学机械抛光等工艺进行
12 英寸芯片生产,原料、设备及污染物类型较多,项目属于典型的工业生产项目. (3)本项目环境影响主要为废气、废水、固废及环境风险.本项目主要的环境影响发 生在运营期,主要污染物为废气、废水、噪声、固体废物,同时项目涉及有毒有害气体泄 漏遇明火产生爆炸及泄漏后扩散引起大气环境污染事故等可能造成的环境风险. (4)本项目重金属不进入水体.本项目离子注入工序中使用砷化氢,通过优化废气收 集系统及污染治理措施,控制含砷废物不进入水体.砷化氢经设备自带的干式吸附装置处 理后单独收集直接排放,不与其他酸性废气混排.由于含砷废气全程采用干式吸附处理........