PDF《C39 计算机、通信和其他电》

1 基本情况 表1项目名称 聚力成氮化镓外延片产业化和芯片产线项目(一期) 建设单位 聚力成半导体(重庆)有限公司 法人代表 叶顺闵 联系人 李欣霖 联系电话

18183055178 邮政编码

402368 通讯地址 重庆市大足区万古镇高新科技园区 建设地点 重庆市大足区万古镇高新科技园区 立项审批部门 大足区发展和改革委员会 批准文号 2018-500111-39-03-048214 建设性质 新建 改扩建 技改 行业类别 C39 计算机、通信和其他电 子设备制造业 总投资

50000 万元 环保投资

500 万元 投资比例 1% 占地面积 60358m2 建筑面积 10636.

6m2 评价经费 万元 年能耗情况 煤 /万吨 电310 万KW.h 油 /吨 天燃气

120 万立方米 用水情况 (万吨) 分类 年用水量 年新鲜用水量 年重复用水量 生产用水 12.3863 12.3863 457.07 生活用水 0.4147 0.4147

0 合计12.801 12.801 457.07

一、工程内容及规模 1.1 项目由来 随着近几年能源消耗的急剧增长,进一步节能降耗成为半导体功率器件的首要目 标.同时,市场上出现的新兴需求(如更大功率,更高工作温度,用户体验优化等)需 要通过对现有产品的更新换代来满足.在此情况下,由于器件本身性能的优势,具有更 出色器件性能的氮化镓 (第三代半导体) 功率器件应运而生. 作为继第一代半导体硅 (现 代电子信息产业变革)和第二代半导体砷化镓(无线通信)之后的第三代半导体器件代 表,氮化镓具有独特的特性:宽禁带,耐高温,高导热性,高电子浓度,高电子迁移率, 以及高功率密度等.因此,氮化镓在功率器件领域亦拥有更加出色和卓越的性能,以符 合技术革新和市场对产品更新换代的需求.

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1 聚力成半导体有限公司是一家采用业界先进的三五族半导体工艺, 专注整合设计与 制造(IDM)商业模式的研发及生产制造商.聚力成半导体的核心技术为硅基氮化镓 (GaN on Si) 外延片的研发和生产, 企业的半导体技术可用于第三代半导体大功率器件、 高端射频器件. 基于集成电路行业发展趋势, 聚力成半导体(重庆)有限公司拟总投资

16 亿元在重庆 市大足区高新技术产业开发区进行分期建设, 本次新建聚力成氮化镓外延片产业化和芯 片产线项目(一期,总投资

5 亿元,以下简称 本项目 ).本项目拟建设

6 寸氮化镓外延 生产线

1 条, 形成年产

6 寸氮化镓外延片

120960 片的生产能力.

2018 年9月27 日重庆 市大足区发展和改革委员会对本项目的投资建设予以备案,备案编码:2018-500111-39-03-048214. 按照《中华人民共和国环境保护法》、《中华人民共和国环境影响评价法》、《建 设项目环境保护管理条例》(国务院令第

682 号)以及国家相关环保法律法规要求,该 项目应进行环境影响评价.按照《建设项目环境影响评价分类管理名录》(环境保护部 令第

44 号),本项目属于 二十

八、计算机、通信和其他电子设备制造业――81 电子 真空器件、集成电路、半导体分立器件制造、光电子器件、其他电子器件制造等 ,本 项目不含集成电路的前段工序(氧化、离子注入、光刻等)和显示器件,仅涉及外延,因 此应编制环境影响报告表. 受聚力成半导体(重庆)有限公司委托,我公司承担本项目的环境影响评价工作,接 受委托后,我单位在多次进行现场踏勘、调查、收集相关资料的基础上,结合项目的特 点、性质、建设规模、建设内容和环境现状,按照相关环评导则的要求,完成了环境影 响报告表的编制,呈大足区环保局审批. 1.2 评价构思 (1)本项目属于一期工程,仅包含晶片的外延工艺,不含晶体生长、研磨、抛光、氧化、扩散、光刻等芯片生产的前端工艺,也不含后端的封装工艺;

(2)本项目环境质量现状监测计划采用现场实测与引用资料相结合的方式,其中,项 目所在区域环境空气质量达标区判定引用

2017 年重庆市环境状况公报中大足区环境空 气质量现状数据进行分析;

评价范围内的环境空气质量现状引用引用《重庆市大足永晟 实业发展有限公司标准厂房(二期)项目环境影响报告表》中重庆渝久环保产业有限公 司 渝久(监)字[2017]第HP100 号 监测报告大气监测数据;

同时, 在项目所在地设置了

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1 个现状监测点,分别对环境空气.声环境进行了实测. (3)在接受建设单位的环评工作委托后,由于项目初期技术资料深度欠缺,为保证大 气特征污染因子监测数据的有效性,对非甲烷总烃、氯、氯化氢、硫酸雾、氨均进行了 现状监测.随着建设单位技术资料的逐步完善,确定本次评价对象为一期工程,仅含外 延工艺,废气特征污染物仅排放氨、氯、非甲烷总烃. (4)本项目需要使用膜厚仪(XRD 衍射仪)进行检验,XRD 设备属于三类射线装置, 需要单独填报环境影响评价登记表. (5)根据 AERSCREEN 估算模型,本项目有组织排放的 NH3 占标率最大,为4.54%, 按照《环境影响评价技术导则 大气环境》(HJ2.2-2018)评价等价判定方法,本项目属 于二级评价,不进行进一步预测,只对污染物排放量进行核算. 1.2 项目概况 项目名称:聚力成氮化镓外延片产业化和芯片产线项目(一期) 建设单位:聚力成半导体(重庆)有限公司 建设性质:新建 项目投资:50000 万元,环保投资

500 万元 建筑面积:聚力成半导体(重庆)有限公司总占地面积为 60358m2 ,总建筑面积约 46998.60m2 ;

其中,本次一期工程项目总建筑面积为 10636.6m2 . 劳动定员:共237 人,其中生产工人

62 人,管理及技术人员

175 人 工作制度:年工作

350 天;

一线职工两班制,每班 12h 连续运行;

管理人员一班制;

MOCVD 外延炉年工作时间为 8050h. 1.3 生产规模及产品方案 本项目建成后形成年产 12.096 万片硅基氮化镓外延片的生产规模. 表1.3-1 本项目主要产品方案一览表 序号主要产品名称 设计产量(万片) 单位产品 产品图示 质量 直径 厚度(mm)

1 氮化镓外延片 (GaN on Si) 12.096 约80g/片6寸(200mm) 1.1 1.4 建设内容 建设内容及生产规模:聚力成半导体(重庆)有限公司在重庆市大足区万古镇高新科

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1 技园区的项目为分期建设,本次评价仅针对一期工程进行评价.一期工程总建筑面积 10636.6m2 ,拟建 1#生产厂房、2#动力站、3#化学品库、4#鱼雷车棚、5#污水处理站、 门卫及配套公辅设施等. 本项目工程组成及建设内容一览表见表 1.4-1 表1.4-1 本项目工程组成一览表 类别 名称 建设内容及规模 备注 主体 工程 1#厂房 位于整个厂区东南侧,钢结构厂房,共2层,高9.0m,建筑面积 7723.8m2 ,厂内设置以下主要功能区: ①MO区:位于1#厂房西北侧,建筑面积约687.24m2 ,为GaN外延片 生产区,设置MOVCD(金属有机化学气相沉积)设备21台;

②清洗区:位于MO区东侧,建筑面积206.6m2 ,对晶片进行清洗;

③品保区:位于清洗区东侧,建筑面积200.66m2 ,对产品进行检测;

/ 辅助 工程 厂区办公室 位于 1#厂房内西侧,建筑面积约 1000m2 仅为本项目使用 动力站 位于 1#厂房北侧 15m,建筑面积约 1913.67m2 , 共1F,站内设置热水锅炉房、螺杆式冷水机组、 纯水机组、空调机房、柴油发电机房、空压机房 装置等,屋顶设置冷却塔 为聚力成半导体(重庆)有限 公司在重庆市大足区万古 镇高新科技园区建设厂区 共同使用, 建筑物一次性建 设,设备仅为本项目所需 大宗气体系统 ①氢气储存站:位于1#厂房外北侧独立设置的鱼 雷车棚,建筑面积400m2 ,采用鱼雷车储罐(容积22.5m3 )存放,最 大储量1罐,考虑防爆要求,氢气直接从鱼雷车连接管道引至厂 内纯化间,厂内不设氢气储罐 ②液氮储存站:紧邻鱼雷车棚设置的液氮储槽,采用储槽(30m3 ) 的方式存放高纯液氮,最大储量2槽(48t) 鱼雷车棚 一次性建 设, 氮气储 槽仅为本 项目所需 大宗气体 纯化间 位于氨气房上方夹层内,采用除氧剂、分子筛、过滤器对N

2、 H

2、NH3进行纯化,主要去除其中的水分、氧气、颗粒物等杂质 仅为本项 目使用 特气间 ①液氨房:位于 1#厂房内西北侧独立区域,建筑面积 140.96m2 , 采用 T 型钢瓶(净重 480kg)存放液氨,最大储量为

2 罐(960kg) ②氯气房:位于 1#厂房内西北侧独立区域,建筑面积 34.72m2 , 采用钢瓶(47L)存放氯气,最大储量为

6 瓶(300kg) ③硅烷/氢气:位于鱼雷车棚旁,采用钢瓶(0.5kg)存放,混合气体 中硅烷浓度约占200ppm,最大储量 仅为本项 目使用

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1 续表 1.4-1 本项目工程组成一览表 类别 名称 建设内容及规模 备注 公用 工程 给水 给水水源接自市政自来水管道, 由大足万古镇市 政自来水管网供应 / 排水 雨污分流制,雨水经汇集后由雨水管网排入淮远河,污水主要 为生产废水和生活污水,厂内仅进行干式打扫,不产生地坪清 洗水.万古工业园区污水处理厂接纳本项目污水前,生产废水 经 调节+酸碱中和 处理后,与生活污水一并进入生化池处理 达《污水综合排放标准》(GB 8978-1996)一级标准后排入淮 远河;

万古工业园区污水处理厂能够接纳本项目污水后,污水 可经处理达《污水综合排放标准》(GB 8978-1996)三级标准 后排入市政污水管网,进入万古工业园区污水处理厂处理,达 《城镇污........