PDF《D11.半导体材料与器件》

11 微米室温工作的 QCLs:其中波长 4.6?5.1 微米的 QCL 室温连续工作输出功率 1.5W、室温脉冲功率超过 60W;

(2) 研制出连续波工作温度大于 100?C 的面发射单模可 调谐 QCL、室温阈值功耗仅 0.39W;

(3) 采用基于多孔 InP 阵列的复合结构光栅技术和亚波长金属光栅的复合光栅技术,研 发出室温连续工作的高光束质量面发射 QCLs;

(4) 提出二级应变补偿技术研发量子点 QCL 的思路,研制出室温连续工作的 量子点 QCL;

(5) 采用调制掺杂技术、 优化注入势垒, 研制出瓦级大功率 THz-QCLs、 大功率单模可调谐分布反馈 THz-QCLs. D11-10 题目待定 罗帅 江苏华兴激光 D11-11 GaAs 非平衡热电子的近场红外显微成像研究 杨乐,翁钱春,钱瑞杰,小宫山进,安正华*,陆卫* 中国科学院上技术物理研究所红外物理国家重点实验室,复旦大学 固体环境尤其是半导体材料中的电子行为调控是现代信息技术的基石. 传统半导体能带工程技术很好地实现了近平衡载 流子的输运调控,随着器件尺寸的不断缩小,处于非平衡态的热电子行为被预期越来越显著,为此对于非平衡态的热电子研 究越来越受到人们的关注并逐渐成为该领域新的前沿.我们采用自行研发的电荷敏感型 GaAs 量子阱红外光晶体管(Charge Sensitive Infrared Phototransistor, 简称 CSIP)作为核心探测器件[1],结合扫描探........