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第九节: ESD 设计策略 ? ESD 设计 手工设计 自动化设计方法 参数化单元 ESD 设计 ? ESD 检查和验证 方法 ? ESD 综合设计实例 ESD 基本规则 ESD 设计手册文档 ESD 设计手册 ESD 检查和验证 咨询

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八、教授简介 Steven H. Voldman 博士 静电放电(ESD)领域的第一位 IEEE Fellow 中文版的 ESD:电路与器件;

ESD:射频(RF)技术与电路;

ESD 设计与综合原著作者 Steven H. Voldman 博士静电放电(ESD)领域的第一位 IEEE Fellow,基于 对CMOS、绝缘体上硅和硅锗技术的 ESD 保护贡献.他1979 年在布法罗大学工 程科学专业获得学士学位;

1981 年获得来自麻省理工学院(MIT)EE 第一个硕 士学位;

1986 年获得第二个 Engineering Physics 硕士学位,1991 年获得佛 蒙特大学电子工程博士学位,隶属于 IBM 的驻地研究员项目. Voldman 是IBM、Qimonda、Intersil、TSMC、三星电子公司和 Silicon Space Technology / VORAGO Corporation 的半导体开发成员.他的研究和开发包括 软错误率(SER) 、宇宙射线、栅极感应漏极泄漏机制、DRAM 泄漏、闩锁、ESD 和EOS. 他发起了一个大学讲座计划,旨在为国际大学教师和学生带来讲座和互动;

该计划已覆盖美国、韩国、 新加坡、 台湾、 马来西亚、 菲律宾、 泰国、 印度、 塞内加尔、 斯威士兰和中国的

45 所大学.Voldman 博士讲授关于 ESD、闩锁、专利和发明的短期课程. Voldman 博士负责启动 ESD 学生章节章程,并 与电子科技大学合作建立了第一个 ESD 协会学生章节. Voldman 博士是关于 ESD、EOS 和闩锁的第一本系列著作的作者(十本书) :ESD:物理与器件;

ESD: 电路与器件;

ESD:电路与器件第二版;

ESD:射频(RF)技术与电路;

闩锁;

ESD:失效机制与模 型;

ESD 设计与综合;

ESD 基础:从半导体制造到产品使用;

电过载(EOS) :器件、电路与系统;

ESD:模拟电路与设计;

ESD 测试:从组件到系统;

以及 硅锗:技术、建模和设计以及纳米电子: 纳米线、分子电子和纳米器件 一书的撰稿人.此外,还有国际中文版的 ESD:电路与器件;

ESD: 射频(RF)技术与电路;

ESD 设计与综合(2014) . 他是

260 项美国专利的获得者, 并在 ESD 和CMOS 闩锁方面撰写了

150 多篇技术论文. 自2007 年以 来,他一直担任专利诉讼的专家证人;

并且还成立了有限责任公司(LLC)咨询业务,支持专利、专 利撰写和专利诉讼.在他的有限责任公司中,Voldman 担任 DRAM 开发、半导体开发、集成电路、 软件和静电放电案件的专家证人. 他目前正在为律师事务所和技术公司撰写专利.Steven Voldman 在马来西亚、斯里兰卡和美国提供有关发明、创新和专利的教程和讲座. ........