PDF《50ΩE》

华润华晶分立器件 R 硅NPN 低频放大双极型晶体管 3DD2102 无锡华润华晶微电子有限公司第1页共5页2008 版1产品概述: 3DD2102 是硅 NPN 型高反压大功率晶体管,该产品采用平面工 艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性.

产品封装形式:TO-3P(H)IS,符合 RoHS 指令要求.

2 产品特点: 击穿电压高 反向漏电小 开关速度快 饱和压降低 电流特性好

3 主要用途: 主要用于

21 英寸彩电的行输出电路. 产品中有毒有害物质或元素的名称及含量 有害物质或元素 铅(Pb) 汞(Hg) 镉(Cd) 六价铬(Cr(VI)) 多溴联苯 (PBB) 多溴二苯醚 (PBDE) 部件名称 (含量要求) ≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% 引线框 塑封树脂 管芯内引线 焊料:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下. 说明*:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求. 1.B 2.C 3.E 内部等效原理图 E B C 50?

3 2

1 特征参数 VCBO

1500 V IC

6 A Ptot(TC=25℃)

50 W TO-3P(H)IS 无锡华润华晶微电子有限公司第2页共5页2008 版R华润华晶分立器件 3DD2102

4 电特性 极限值 除非另有规定,Ta= 25℃ 参数名称符号额定值 单位集电极-基 极电压 VCBO

1500 V 集电极-发射极电压 VCEO

600 V 发射极-基 极电压 VEBO

5 V 集电极电流 IC

6 A Ta=25℃ 3.5 耗散功率 Tc=25℃ Ptot

50 W 结温 Tj

150 ℃ 贮存温度 Tstg -55~150 ℃ 电参数 除非另有规定,Ta= 25℃ 规范值参数名称符号测试条件最小 典型 最大 单位 集电极-基 极截止电流 ICBO VCB=1500V, IE=0

1 mA 发射极-基 极截止电流 IEBO VEB=5V, IC=0

66 200 mA 集电极-基 极电压 VCBO IC=1mA

1500 V 发射极-基 极电压 VEBO IE=0.2A

5 V hFE1 a VCE=5V, IC=1A

8 30 共发射极正向电流传输比 的静态值 hFE2 a VCE=5V, IC=4A

5 9 集电极-发射极饱和电压 VCE sat a IC=4A, IB=0.8A B 1.5

5 V 基极-发射极饱和电压 VBE sat a IC=4A, IB=0.8A B

1 1.3 V 阻尼二极管正向压降 -VF IF=5A

2 V 存储时间 tS

11 μs 下降时间 tf VCC=200V, IC=4A 2IB1= -IB2=1.6A 0.6 μs 特征频率 fT VCE=10V, IC=0.1A f=0.3MHz

1 MHz a: 脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2% 华润华晶分立器件 3DD2102 R 无锡华润华晶微电子有限公司第3页共5页2008 版5特性曲线

40 20

30 10 Ptot(W) 0.1 0.01

1 IC (A)

1 10

100 VCE (V) T(℃)

0 0

50 100

5 VCE(V)

0 IB=10mA Ic(A)

1 1

10 100 0.01

1 0.1

0 1 Tc=25℃ Ptot-Ta 图3输出特性曲线(IC -VCE) Ta=25℃ Ic(A) hFE Ptot-Tc Ta=25℃ 图4hFE - IC关系曲线 Ta=125℃ Ta=-55℃ VCE=5V 图1安全工作区(直流) 图2Ptot C T关系曲线 3DD2102 华润华晶分立器件 R 无锡华润华晶微电子有限公司第4页共5页2008 版0.1

1 10 0.1

1 10 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

1 1.1 0.1

1 图5VCEsat - IC关系曲线 图6VBEsat - IC关系曲线

10 VCEsat(V) VBEsat(V) Ta=125℃ Ta=25℃ Ta=25℃ Ta=125℃ IC/IB=5 IC/IB=5 B B Ic(A) Ic(A) 3DD2102 华润华晶分立器件 R 无锡华润华晶微电子有限公司第5页共5页2008 版6外形图 B C E

7 说明 7-1 包装说明: 1)产品的小包装,采用

100 只/ 板的塑料袋盘包装;

2)产品的中包装,采用

5 板/盒的中号纸盒包装;

3)产品的大包装,采用

5 盒/箱的大号纸板箱包装. 7-2 注意事项: 1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;

对于客户有特殊要 求的产品,双方应签订相关技术协议. 2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;