PDF《YLN12-1826C1》

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网址:www.yifengelectronics.com 噪声系数 条件 : Vd1, d2 = 0.8V, Id1 + Id2 = 60mA, Tamb = + 25° C (在片晶圆测试). YLN12-1826C1 数据手册

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网址:www.yifengelectronics.com 应用原理图 为了防止客户设计的不稳定性,强烈建议将小芯片电容尽可能地靠近到YLN12-1826C1芯片,并将它们尽可能 短地键合连接. 另外,以保证低频去耦,10nF的电容器可以添加在漏极连接处.在栅极电路中,添加一个500 的串联电 阻以此来提高隔离度和,并且阻止不必要的振动.在快速功率转换同时使用栅极控制结构的情况下,这些 电阻引入了某种低通过滤器. 根据50 Ohms连接线和相关的锥度,关于RFIN和RFOUT连接有许多连接方案可以研究/使用. 图4: 应用原理图 器件名称 值 类型 描述 所有 47pF 电容 47pF 芯片电容 芯片电容PRESIDIO COMPONENTS P/N SA151BX470M2HX5#013B 近芯片焊接,键合尽可能短 所有500Ω电阻

500 芯片电容 芯片电阻US MICROWAVES RG1421-500-1% 靠近47pF 芯片电容焊接,键合尽可能短 所有10nF 电容 10nF 芯片电容 MURATA GMA085R71C103MD01T GM260 X7R 103M 16M100 PM520 表1:器件参考 YLN12-1826C1 数据手册

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网址:www.yifengelectronics.com YLN12-1826C1 数据手册

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网址:www.yifengelectronics.com 结构框架和焊盘配置 焊盘 该放大器具有北面和南面,当RF输入在左侧和RF输出在右侧时,北面在顶端,南面在低端. 符号 焊盘 描述 RFOUT OUT RF 输出 RFIN IN RF 输入 Vd1 VD1 第一阶段漏极 Vd2 VD2 第二阶段漏极 Vg1 VG1 第一阶段栅极 Vg2 VG2 第二阶段栅极 GND 背面 接地 注意 : 为了保持良好的RF性能和稳定性,将芯片的金属背面接地是至关重要的. YLN12-1826C1 数据手册

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网址:www.yifengelectronics.com 键合焊盘坐标 晶圆上的MMIC 步进是沿X 和Y坐标各自1.5和2mm, 通常切割减小芯片尺寸到80um.切割使得整个 芯片尺寸不确定. 所有坐标以0点为参考,该点位于切割区域边缘器件左下角. 图7焊盘坐标参考 (不是YLN12-1826C1 芯片) 芯片参考位置 该放大器具有北面和南面,当RF输入在左侧和RF输出在右侧时,北面在顶端,南面在低端. DC焊盘 在芯片YLN12-1826C1北面, 从0点可以发现5 个焊盘80 x

80 ums ,步进 300um ,偏置 125um. 在芯片YLN12-1826C1 南面, 从0点可以发现5 个焊盘

80 x

80 ums,步进 300um,偏置75um. YLN12-1826C1 数据手册

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