PDF《齐头并进,5G 催生化合物半导体新龙头》

2018 韩国平昌冬奥 会上推出 5G 试用服务.之前工信部和中国 5G 推进组亦表示 5G 网络将于不晚 于2020 年实现正式商用. 根据中国 IMT-2020(5G)推进组

2015 年2月发布的 5G 概念白皮书预计的时间节点,2018 年5G 通信将进入产品密集研发阶段,化合 物半导体市场爆点临近.同时,2018 年三安光电化合物半导体项目将进入产能 完全释放阶段. 5G 落地、物联网爆发、中国主导标准、国产设备崛起多重利好叠加,三安 光电作为国内最先布局化合物半导体业务的公司,又得到国家大基金支持如虎 添翼,成为国内化合物微电子行业龙头前景光明.同时,三安 LED 业务强势不 改.翻倍产能打破市场双寡头格局,三安将独享 LED 市场增量.

图表 1:5G 与三安化合物半导体发展时间表

2013 2014

2015 2016

2017 2018

2019 2020 5G研究 5G标准化 产品研发 标准预研 技术需求评估 候选方案 标准化 技术准 备 制程 验证 国际 认证 产能 释放 需求爆发 数据来源:IMT-2020,公司数据,国联证券研究所 公司

2014 年4月成立控股子公司厦门三安集成电路有限公司, 布局化合物 集成电路领域.15 年8月,公司拟非公开发行 A 股募集资金发展化合物半导体 业务的预案获证监会核准,近期将实施定增.公司计划将募集资金中的

16 亿元 投入三安集成电路的通讯集成电路(一期)项目,启动通讯用化合物半导体砷 化镓(GaAs)和氮化镓(GaN)外延片和芯片生产业务.通讯集成电路(一期)

6 请务必阅读正文之后的免责条款部分 发现价值 实现价值 项目将建设 GaAs 和GaN6 寸生产线,完全建成后将形成 GaAs 外延片/芯片

30 万片/年,GaN 外延片/芯片

6 万片/年的生产能力.目前三安集成电路 GaAs 生 产线已开始试产,初步产能 5000/月,预计

2016 年将完成客户认证并提升产能 至1.5 万片/月. 公司建设国内首条 GaAs 和GaN

6 寸生产线战略意义深远.目前国内化合 物半导体代工仍处于空白,在我国通信行业国际竞争力趋强和国产化程度趋深 的局面下,国产化合物半导体芯片将成为新蓝海.公司 GaAs 项目甫建,即获 得锐迪科、国民技术、汉天下、中普、华光瑞芯、雷电微力等公司流片认可, 同时成为军工领域上海航天研究所的流片优选公司.此外,公司凭借

30 万片/ 年GaAs 芯片的规模,面向国际 IDM 客户开放代工后,有望成为全球最大的化 合物半导体代工企业.我们估计化合物半导体业务每年至少可为三安带来收入

20 亿元,贡献利润

5 亿元. 1.1 二十一世纪的半导体材料―GaAs、GaN 自上世纪

60 年代以来, 硅单晶材料因其超高的成本优势和均衡的性能一直 称霸信息技术时代.目前基于硅(Si)的半导体器件仍占据半导体行业的绝对 多数份额.但受限于硅材料平庸性质,如电子迁移率较小、击穿场强低、饱和 漂移速度较小、间接跃迁等,单一的硅基器件难以满足半导体器件向高频、大 功率、复杂环境等应用发展的需求.因此从上世纪

90 年代开始,性能优良的化 合物半导体,如GaAs、GaN、SiGe、InP、SiC 等,开始崭露头角.进入二十一 世纪,在激烈的化合物半导体应用竞争中,GaAs 和GaN 成为目前最具前途, 综合性能最佳的化合物半导体材料.

图表 2:化合物半导体性能优异 Ge Si GaAs GaN 禁带宽度(eV) 0.7 1.1 1.4 3.4 电子迁移率(cm2 /V-s)