PDF《第三代半导体产业发展报告（ 2018 年）》

第三代半导体产业发展报告(2018 年) 第三代半导体产业技术创新战略联盟

2019 年1月目录 前言.

1

一、贸易环境多变,自主发展迫切

5

(一)中美贸易摩擦影响,国内急须摆脱依赖

5

(二)国内各级政策频出,旨在实现自主可控

12

二、技术稳步提升,商业进程加快

18

(一)国际技术日渐成熟,产品性能不断提升

18

(二)国内技术稳步提升,商用产品陆续推出

29

三、产业持续整合,生态不断完善

32

(一)国际企业积极扩产,产品后续降价可期

32

(二)国内产业积极推进,分工体系逐渐形成

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四、应用规模扩大,市场渗透加快

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(一)SiC 应用领域拓展,射频市场渗透加快

50

(二)国内市场需求庞大,国产器件渗透较低

53 展望.59

1 前言半导体产业是现代信息社会的基石, 是支撑当前经济社会发展和 保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业.第三代半导体作为半 导体产业的重要组成部分,其发展壮大对国民经济、国防安全、国际 竞争、社会民生等领域均具有重要战略意义,是当前世界各国科技竞 争的焦点之一. 中国迎接第三次半导体产业转移浪潮.从历史进程看, 全球范围 完成两次明显的半导体产业转移: 第一次为

19 世纪

70 年代从美国转 向日本,第二次则从

80 年代转向韩国与中国台湾地区,而目前,中 国大陆则日渐成为半导体产业第三次转移的核心地. 尽管大陆半导体 产业起步较晚,但凭借着巨大的市场容量和生产群体,中国已成为全 球最大的半导体消费国.加上政策大力支持、资本源源汇集、产业链 初步形成、技术进步加速、劳动力资源丰富,中国大陆吸引了全球优 秀半导体企业纷纷投资布局. 半导体产业向中国大陆转移的浪潮已开 启. 国际贸易争端加大国内自主创新决心.2018 年,世界经济领域 最具关注度和影响力的事件之一,无疑是贸易保护主义的抬头,具体 表现为美国威胁退出 WTO,以及发起中美贸易摩擦.美国为维持其 全球领先地位,对中国悍然发动有史以来最大规模贸易战,并主要针 对《中国制造 2025》中包含的高科技领域,以获取更多经济利益, 遏制中国技术进步,防范中国发展壮大.在妥善应对中美贸易摩擦的

2 同时,我们更意识到,中国面临的不是简单的贸易战,而是影响长期 发展的技术战.因此,把握新一轮技术革命战略机遇,全国上下团结 一致、戮力同心,化压力为动力,充分发挥我国制度、产业、市场优 势,加速技术追赶,提升科技水平、提高自主创新能力,不断扩大对 外开放,对接高标准国际经贸规则,提升产业国际竞争力,才是根本 战略. 第三代半导体国际竞争日趋激烈,我国迫切需要加快发展步伐.

2018 年, 美国、 欧盟等继续加大第三代半导体领域的研发支持力度, 国际厂商积极、务实推进,商业化的 SiC、GaN 电力电子器件新品不 断推出,性能日益提升,应用逐渐广泛.2018 年,国际技术层面, SiC 同质外延和 Si 基GaN 异质外延片商业化最大尺寸为

6 英寸,8 英寸产品也已开发出.据CASA 统计 Mouser 数据,商业化 SiC 肖特 基二极管最高耐压达 3300V,最高工作温度下的电流小于 60A;

SiC MOSFET 目前最高耐压为 1700V, 最高工作温度下电流在 65A 以下;

全SiC 功率模块耐压达到 3300V,最高电流达到 800A,并已开发出 6500V 样品;