PDF《深圳市华创信电子有限公司》

100 150 ms 下降时间 τd θ2=20°VD = 4.1V

150 200 ms 5.时序特性 4.

1 读写时序 TIMING CHART 时序标准值项目符号测试条件 MIN TYPE MAX 单位 允许时间周期 TCYCE

1000 ns 允许脉冲宽度,高电平 PWEH

450 -- -- ns 允许上升和下降时间 tEr tEf -- --

25 ns 地址建立时间 tAS

140 -- -- ns 数据延迟时间 tDDR -- --

320 ns 数据建立时间 tDSW

195 -- -- ns 数据保持时间 tH

10 -- -- ns DATA HOLD TIME tDHR

20 -- -- ns 地址保持时间 tAH 5.1a 5.1b

10 -- -- ns Vcc = 5.0V±5%,Ta = 25°C 深圳市华创信电子有限公司字符模块使用手册

7 5.1a WRITE OPERATION (写操作) 5.1b READ OPEERATION (读操作) 5.1a 5.1b 5.2 内部 RESET 电路对电源的要求 符号测试条件MIN MAX 单位电源上升时间 TRON 5.2a 0.1

10 ms 电源下降时间 TOFF 5.2a 1.0 -- ms NOTE Toff stipulates the time of power OFF for power supply instantaneous dip Or when power supply repeats ON and OFF. 5.2a 1.如电源不能满足 RESET 电路的要求,需要用指令程序进行初始化. 2.所有符号只要字母相同(不分大小写),所代表的意义就相同. 6.引脚和指令功能 5.

1 模块引脚功能 引线号符号名称功能1Vss 接地 0V

2 VDD 电路电源 5V±10%

3 VEE 液晶驱动电压 保证 VDD-VEE=4.5∽5V 电压差

4 RS 寄存器选择信号 H:数据寄存器 L:指令寄存器

5 R/W 读/写信号 H:读L:写6E片选信号 下降沿触发,锁存数据

7 |

14 DB0 | DB7 数据线 数据传输 Tas Tah PWeh Tei Vili Vihi Vili Vihi Vili Thr Tdsw Th Vihi Vili Valid Data Vihi Vili TcycE RS R/W E DB0~DB7 TcycE Th Tdsw DB0~DB7 Valid Data Vili Vihi Vihi Vili PWeh Tas Vihi R/W E Thr RS Vihi Vili Tah Tei Vili Vihi Vihi Vili 5.1a 5.1b Tron Toff 0.2v 0.2v Toff>

=1ms 0.2v 4.5v VDD 0.1ms>

=Tron>

=10ms 深圳市华创信电子有限公司字符模块使用手册

8 6.2 寄存器选择功能 RS R/W 操作00指令寄存器(IR)写入

0 1 忙标志和地址计数器读出

1 0 数据寄存器(DR)写入

1 1 数据寄存器读出 备注:忙标志为

1 时,表明正在进行内部操作,此时不能输入指令或数据,要等内部操作结 束,忙标志为

0 时. 6.3 指令功能 格式:RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 共11 种指令:清除,返回,输入方式设置,显示开关,控制,移位,功能设置,CGRAM 地址设 置,DDRAM 地址设置,读忙标志,写数据到 CG/DDRAM,读数据由 CG/DDRAM. 指令表指令码指令名称 RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 说明执行周期 FCP=250KHZ 清屏LLLLLLLLLH清除屏幕,置AC为零 1.64ms 返回LLLLLLLLHX设DDRAM 地址为零,显示回原 位,DDRAM内容不变 1.64ms 输入方式 设置LLLLLLLHI/D S 设光标移动方向并指定整体显 示是否移动 40us 显示开关 控制LLLLLLHDCB设整体显示开关(D),光标开关 (C),及光标位的字符闪耀(B) 40us 移位LLLLLHS/C R/L X X 移动光标或整体显示,同时不改 变DDRAM内容 40us 功能设置 L L L L H DL N F X X 设接口数据位数(DL),显示行数 (L),及字型(F) 40us CGRAM 地址设置 L L L H ACG 设CGRAM地址,设置后CGRAM数 据被发送和接收 40us DDRAM 地址设置 L L H ADD 设DDRAM地址,设置后DDRAM数 据被发送和接收 40us 读忙信号 (BF) 及地址计数器 L H BF AC 读忙信号位(BF)判断内部操作 正在执行并读地址计数器内容 0us 写数据CG/DD RAM H L 写数据 写数据到CG或DDRAM 40us Tadd=6ns 读数据由CG/DD RAM H H 读数据 读数据由CG或DDRAM 40us Tadd=6ns 深圳市华创信电子有限公司字符模块使用手册

9 I/D 1:增量方式, 0:减量方式 S 1:移位 S/C 1:显示移位,0:光标移位 R/L 1:右移,0:左移 DL 1:8 位,0:4 位N1:2 行,0:1 行F1:5*10,0: 5*7 BF 1:内部操作,0:接收指令 RS :寄存器选择 R/W :读/写DDRAM : 显示数据RAM CGRAM: 字符生成RAM AC: 用于DD和CGRAM地址 的地址计数器 执行周期随 主频率改变 而改变 例如:当Fosc或fcp 为270KHZ