PDF《W Reach》

(3)尽量缩短输入输出延迟时间,以提高工作效率;

(4)安全的输入输出电器隔离特性,使信号电路与栅极驱动电路绝缘;

(5)短路、过流的情况下,具有灵敏的保护能力 公司愿景:做世界功率器件市场知名的民族品牌 AN-17011Rev.01 2017年8月13 IGBT驱动保护简介 栅极保护―― 栅极保护――

1、IGBT栅极―发射极间保证电压为±20V,超出 该电压范围会导致IGBT损坏 保护措施:设置栅极-发射极间电压限幅电路

2、IGBT栅极―发射极间开路,在集电极与发射 极间加电压,由于集电极与栅极间存在寄生电容, 导致栅极电压上升,集电极到发射极有电流流过, 若集电极与发射极间加载高压 会导致IGBT损毁 若集电极与发射极间加载高压,会导致IGBT损毁. 保护措施:设置栅极-发射极间并联电阻(几十K) 防止 公司愿景:做世界功率器件市场知名的民族品牌 AN-17011Rev.01 2017年8月14 IGBT驱动保护简介 ? 基于ACPL-332J分析 基于ACPL 332J分析 332J是基于316J的升级产品―― 1)直接使用GaA sP LED驱动,直接耦合到功率输出级,省去了缓冲器;

2)更低的传输延迟 在整个温度范围内 最大传输延迟时间为250ns;

2)更低的传输延迟,在整个温度范围内,最大传输延迟时间为250ns;

3)更低的脉宽失真,最大的脉宽失真为100ns;

4)集成了有源米勒钳位功能 5)管脚布局 5)管脚布局 公司愿景:做世界功率器件市场知名的民族品牌 AN-17011Rev.01 2017年8月15 IGBT驱动保护简介 米勒钳位消除寄生导通―― 1)当开通上桥臂S1时,下桥臂Vce电压存在dVce/dt变化, 1)当开通上桥臂S1时,下桥臂Vce电压存在dVce/dt变化, 电流Im流经上桥臂S1寄生的米勒电容Cco、门极电阻Rg 以及光耦内部的驱动点故障Rdrive,产生压降Vge, Vge=Im(Ro+Rdrive),如果这个值超过门极阈值电压, 则导致寄生导通.S2导通亦会导致同样现象. 2)当S2门极电压超过阈值时,三极管导通将门极与发射 极短接,避免出现寄生导通. 公司愿景:做世界功率器件市场知名的民族品牌 AN-17011Rev.01 2017年8月16 IGBT驱动保护简介 欠饱和检出与过流保护(主动保护)―― 导致欠饱和的两个原因:驱动器设计不良或性能差 导致门极驱动信号功率不足;

驱动电 导致欠饱和的两个原因:驱动器设计不良或性能差,导致门极驱动信号功率不足;

驱动电 源功率不足;

检测Vce值、Vge值同时比对输出电流: 1)检测门极输入电压 当其低于13V Vce升高 输出大电流时 进一步导致Vce升高但 1)检测门极输入电压,当其低于13V,Vce升高,输出大电流时,进 步导致Vce升高但 未超过设定的阈值,IGBT导通损耗增高,为避免模块过温损毁,封锁驱动. 2)Vce升高超过预设阈值,触发软关断机制,在出现破坏性损毁前彻底关断IGBT;

通过封 锁PWM输入、拉低门极使其负偏实现. 锁 输入、拉低门极使其负偏实现. 降低线路延迟及驱动内部延迟提升系统响应,从而提升IGBT保护的成功率及可靠性. 公司愿景:做世界功率器件市场知名的民族品牌 AN-17011Rev.01 2017年8月17 Thanks! Thanks! 公司愿景:做世界功率器件市场知名的民族品牌 AN-17011Rev.01 2017年8月18 ........